| 隨著(zhù)開(kāi)關(guān)電源技術(shù)的不斷發(fā)展，低電壓大電流降低功耗已成為電源工程師的難題，開(kāi)關(guān)電源的損耗主要由功率開(kāi)關(guān)管損耗、高頻變壓器損耗、輸出端整流管損耗三部分組成，開(kāi)關(guān)電源同步整流芯片有利于降低電路的整體功率消耗，以滿(mǎn)足六級能效的需求。
開(kāi)關(guān)電源同步整流芯片工作原理：同步整流是采用通態(tài)電阻極低的專(zhuān)用功率MOSFET，來(lái)取代整流二極管以降低整流損耗的一項新技術(shù)，它能有效提高變換器的轉換效率，并且不存在由肖特基勢壘電壓而造成的死區電壓，并可利用其二次側的優(yōu)勢改善電源指標。
同步整流從拓撲架構角度可分為High side和Low side兩大類(lèi)，但從控制策略角度來(lái)看，同步整流可分為DCM模式和CCM模式，而CCM模式又以預測關(guān)斷和快速關(guān)斷為主導，那么他們之間又有什么優(yōu)缺點(diǎn)呢。
同步整流DCM模式
優(yōu)點(diǎn)：算法簡(jiǎn)單可靠，外圍精簡(jiǎn)。
缺點(diǎn)：控制算法與MOSFET通態(tài)電阻相關(guān)；SR須與原邊芯片配合，僅能工作在不連續導電模式。
CCM模式--預測關(guān)斷
由SR開(kāi)關(guān)波形撲捉Vg/n、Vo、T1信息，根據負秒平衡原理，估算SR關(guān)斷點(diǎn)：
優(yōu)點(diǎn)：控制算法與MOSFET通態(tài)電阻無(wú)關(guān)，應用靈活；SR深度導通，轉換效率高。
缺點(diǎn)：需采用電阻及積分電容提取相關(guān)信息，外圍復雜、誤差大；伏秒不平衡工況下(模式切換)有技術(shù)風(fēng)險。
CCM模式--快速關(guān)斷
優(yōu)點(diǎn)：算法簡(jiǎn)單可靠，外圍精簡(jiǎn)。
缺點(diǎn)：控制算法與MOSFET通態(tài)電阻相關(guān)；SR在t1~t2區間非深度導通，轉換效率有所降低。
通過(guò)以上幾種模式我們看出，同步整流控制器無(wú)論是那種模式都是具有算法簡(jiǎn)單可靠，外圍精簡(jiǎn)等優(yōu)點(diǎn). |
