兩種EMI需要考慮：輻射到空間的信號和通過(guò)揚聲器及電源線(xiàn)傳導的信號。D類(lèi)放大器調制方案決定傳導EMI和輻射EMI分量的基線(xiàn)譜。但是，可以使用一些板級的設計方法減少D類(lèi)放大器發(fā)射的EMI，而不管其基線(xiàn)譜如何。

　　一條有用的原則是將承載高頻電流的環(huán)路面積減至最小，因為與EMI相關(guān)的強度與環(huán)路面積及環(huán)路與其它電路的接近程度有關(guān)。例如，整個(gè)LC濾波器（包括揚聲器接線(xiàn)）的布局應盡可能地緊密，并且保持靠近放大器。電流驅動(dòng)和返回路印制線(xiàn)應當集中在一起以將環(huán)路面積減至最�。〒P聲器使用雙絞線(xiàn)對接線(xiàn)很有幫助）。另一個(gè)要注意的地方是當輸出級晶體管柵極電容開(kāi)關(guān)時(shí)會(huì )產(chǎn)生大的瞬態(tài)電荷。通常這個(gè)電荷來(lái)自?xún)δ茈娙�，從而形成一個(gè)包含兩個(gè)電容的電流環(huán)路。通過(guò)將環(huán)路面積減至最小可降低環(huán)路中瞬態(tài)的EMI影響，意味著(zhù)儲能電容應盡可能靠近晶體管對它充電。

　　有時(shí)，插入與放大器電源串聯(lián)的RF扼流線(xiàn)圈很有幫助。正確布置它們可將高頻瞬態(tài)電流限制在靠近放大器的本地環(huán)路內，而不會(huì )沿電源線(xiàn)長(cháng)距離傳導。

　　如果柵極驅動(dòng)非重疊時(shí)間非常長(cháng)，揚聲器或LC濾波器的感應電流會(huì )正向偏置輸出級晶體管端的寄生二極管。當非重疊時(shí)間結束時(shí)，二極管偏置從正向變?yōu)榉聪�。在二極管完全斷開(kāi)之前，會(huì )出現大的反向恢復電流尖峰，從而產(chǎn)生麻煩的EMI源。通過(guò)保持非重疊時(shí)間非常短（還建議將音頻失真減至最�。┦笶MI減至最小。如果反向恢復方案仍不可接受，可使用肖特基（Schottky）二極管與該晶體管的寄生二極管并聯(lián)，從而轉移電流并且防止寄生二極管一直導通。這很有幫助，因為Schottky二極管的金屬半導體結本質(zhì)上不受反向恢復效應的影響。

　　具有環(huán)形電感器磁芯的LC濾波器可將放大器電流導致的雜散現場(chǎng)輸電線(xiàn)影響減至最小。在成本和EMI性能之間的一種好的折衷方法是通過(guò)屏蔽減小來(lái)自低成本鼓形磁芯的輻射，如果注意可保證這種屏蔽可接受地降低電感器線(xiàn)性和揚聲器音質(zhì)。