去耦電容用在放大電路中不需要交流的地方，用來(lái)消除自激，使放大器穩定工作。

　　旁路電容用在有電阻連接時(shí)，接在電阻兩端使交流信號順利通過(guò)。

　　1.關(guān)于去耦電容蓄能作用的理解

　　1)去耦電容主要是去除高頻如RF信號的干擾，干擾的進(jìn)入方式是通過(guò)電磁輻射。而實(shí)際上，芯片附近的電容還有蓄能的作用，這是第二位的。你可以把總電源看作密云水庫，我們大樓內的家家戶(hù)戶(hù)都需要供水，這時(shí)候，水不是直接來(lái)自于水庫，那樣距離太遠了，等水過(guò)來(lái)，我們已經(jīng)渴的不行了。實(shí)際水是來(lái)自于大樓頂上的水塔,水塔其實(shí)是一個(gè)buffer的作用。如果微觀(guān)來(lái)看，高頻器件在工作的時(shí)候，其電流是不連續的，而且頻率很高，而器件VCC到總電源有一段距離，即便距離不長(cháng)，在頻率很高的情況下，阻抗Z=i*wL+R，線(xiàn)路的電感影響也會(huì )非常大，會(huì )導致器件在需要電流的時(shí)候，不能被及時(shí)供給。而去耦電容可以彌補此不足。這也是為什么很多電路板在高頻器件VCC管腳處放置小電容的原因之一(在vcc引腳上通常并聯(lián)一個(gè)去藕電容，這樣交流分量就從這個(gè)電容接地。)。

　　2)有源器件在開(kāi)關(guān)時(shí)產(chǎn)生的高頻開(kāi)關(guān)噪聲將沿著(zhù)電源線(xiàn)傳播。去耦電容的主要功能就是提供一個(gè)局部的直流電源給有源器件，以減少開(kāi)關(guān)噪聲在板上的傳播和將噪聲引導到地。

　　2.旁路電容和去耦電容的區別

　　去耦：去除在器件切換時(shí)從高頻器件進(jìn)入到配電網(wǎng)絡(luò )中的RF能量。去耦電容還可以為器件供局部化的DC電壓源，它在減少跨板浪涌電流方面特別有用。

　　旁路：從元件或電纜中轉移出不想要的共模RF能量。這主要是通過(guò)產(chǎn)生AC旁路消除無(wú)意的能量進(jìn)入敏感的部分，另外還可以提供基帶濾波功能(帶寬受限)。

　　我們經(jīng)�？梢钥吹�，在電源和地之間連接著(zhù)去耦電容，它有三個(gè)方面的作用：一是作為本集成電路的蓄能電容;二是濾除該器件產(chǎn)生的高頻噪聲，切斷其通過(guò)供電回路進(jìn)行傳播的通路;三是防止電源攜帶的噪聲對電路構成干擾。

　　在電子電路中，去耦電容和旁路電容都是起到抗干擾的作用，電容所處的位置不同，稱(chēng)呼就不一樣了。對于同一個(gè)電路來(lái)說(shuō)，旁路(bypass)電容是把輸入信號中的高頻噪聲作為濾除對象，把前級攜帶的高頻雜波濾除，而去耦(decoupling)電容也稱(chēng)退耦電容，是把輸出信號的干擾作為濾除對象。

　　高頻旁路電容一般比較小，根據諧振頻率一般是0.1u，0.01u等，而去耦合電容一般比較大，是10u或者更大，依據電路中分布參數，以及驅動(dòng)電流的變化大小來(lái)確定。

　　數字電路中典型的去耦電容值是0.1μF。這個(gè)電容的分布電感的典型值是5μH。0.1μF的去耦電容有5μH的分布電感，它的并行共振頻率大約在7MHz左右，也就是說(shuō)，對于10MHz以下的噪聲有較好的去耦效果，對40MHz以上的噪聲幾乎不起作用。1μF、10μF的電容，并行共振頻率在20MHz以上，去除高頻噪聲的效果要好一些。每10片左右集成電路要加一片充放電電容，或1個(gè)蓄能電容，可選10μF左右。最好不用電解電容，電解電容是兩層薄膜卷起來(lái)的，這種卷起來(lái)的結構在高頻時(shí)表現為電感。要使用鉭電容或聚碳酸酯電容。去耦電容的選用并不嚴格，可按C=\'1\'/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF。

　　電容器選用及使用注意事項：

　　1，一般在低頻耦合或旁路，電氣特性要求較低時(shí)，可選用紙介、滌綸電容器;在高頻高壓電路中，應選用云母電容器或瓷介電容器;在電源濾波和退耦電路中，可選用電解電容器。

　　2，在振蕩電路、延時(shí)電路、音調電路中，電容器容量應盡可能與計算值一致。在各種濾波及網(wǎng)(選頻網(wǎng)絡(luò ))，電容器容量要求精確;在退耦電路、低頻耦合電路中，對同兩級精度的要求不太嚴格。

　　3，電容器額定電壓應高于實(shí)際工作電壓，并要有足夠的余地，一般選用耐壓值為實(shí)際工作電壓兩倍以上的電容器。

　　4，優(yōu)先選用絕緣電阻高，損耗小的電容器，還要注意使用環(huán)境。