1.概論

電源的輸入部分，為了防止誤操作，將電源的正負極接反，對電路造成損壞，一般會(huì )對其進(jìn)行防護，如采用保險絲，二極管，MOS管等方式，這里就稍微做一下梳理總結。

2.方式介紹

2.1 二極管防反接

采用二極管進(jìn)行保護，電路簡(jiǎn)單，成本低，占用空間小。但是二極管的PN結在導通時(shí)，存在一個(gè) <= 0.7V的壓降，對電路造成不必要的損耗，比如對電池供電的系統，電流較大的電路都會(huì )造成比較明顯的影響(電路中，功耗，發(fā)熱都是不可忽略的問(wèn)題)。

2.2 保險絲防護

很多常見(jiàn)的電子產(chǎn)品，拆開(kāi)之后都可以看到電源部分加了保險絲，在電源接反，電路中存在短路的時(shí)候由于大電流，進(jìn)而將保險絲熔斷，起到保護電路的作用，但這種方式修理更換比較麻煩。

2.3 MOS管防護

MOS管因工藝提升，自身性質(zhì)等因素，其導通內阻技校，很多都是毫歐級，甚至更小，這樣對電路的壓降，功耗造成的損失特別小，甚至可以忽略不計，所以選擇MOS管對電路進(jìn)行保護是比較推薦的方式。

2.3.1 NMOS防護

如下圖：上電瞬間，MOS管的寄生二極管導通，系統形成回路，源極S的電位大約為0.6V，而柵極G的電位為Vbat，MOS管的開(kāi)啟電壓極為：Ugs = Vbat - Vs，柵極表現為高電平，NMOS的ds導通，寄生二極管被短路，系統通過(guò)NMOS的ds接入形成回路。

若電源接反，NMOS的導通電壓為0，NMOS截止，寄生二極管反接，電路是斷開(kāi)的，從而形成保護。

2.3.2 PMOS防護

如下圖：上電瞬間，MOS管的寄生二極管導通，系統形成回路，源極S的電位大約為Vbat-0.6V，而柵極G的電位為0，MOS管的開(kāi)啟電壓極為：Ugs = 0 -(Vbat-0.6)，柵極表現為低電平，PMOS的ds導通，寄生二極管被短路，系統通過(guò)PMOS的ds接入形成回路。

若電源接反，PMOS的導通電壓大于0，PMOS截止，寄生二極管反接，電路是斷開(kāi)的，從而形成保護。

注：NMOS管將ds串到負極，PMOS管ds串到正極，寄生二極管方向朝向正確連接的電流方向;

MOS管的D極和S極的接入：通常使用N溝道的MOS管時(shí)，一般是電流由D極進(jìn)入而從S極流出，PMOS則S進(jìn)D出，應用在這個(gè)電路中時(shí)則正好相反，通過(guò)寄生二極管的導通來(lái)滿(mǎn)足MOS管導通的電壓條件。MOS管只要在G和S極之間建立一個(gè)合適的電壓就會(huì )完全導通。導通之后D和S之間就像是一個(gè)開(kāi)關(guān)閉合了，電流是從D到S或S到D都一樣的電阻。

實(shí)際應用中，G極一般串接一個(gè)電阻，為了防止MOS管被擊穿，也可以加上穩壓二極管。并聯(lián)在分壓電阻上的電容，有一個(gè)軟啟動(dòng)的作用。在電流開(kāi)始流過(guò)的瞬間，電容充電，G極的電壓逐步建立起來(lái)。

對于PMOS，相比NOMS導通需要Vgs大于閾值電壓，由于其開(kāi)啟電壓可以為0，DS之間的壓差不大，比NMOS更具有優(yōu)勢。