鋰電池是生活中常用電池類(lèi)型之一，對于鋰電池，我們自然也是十分熟悉。為增進(jìn)大家對鋰電池的認識，本文將對鋰電池保護板予以介紹，主要內容在于講解鋰電池保護板故障判斷問(wèn)題。
鋰電池異常原因匯總，包括鋰電池容量，鋰電池內阻，鋰電池電壓，尺寸超厚，斷路等，電池之都進(jìn)行了簡(jiǎn)單匯總并分享給大家。
一、電池容量低
產(chǎn)生原因：a. 附料量偏少;b. 極片兩面附料量相差較大;c. 極片斷裂;d. 電解液少;e. 電解液電導率低;f. 正極與負極配片未配好;g. 隔膜孔隙率小;h. 膠粘劑老化→附料脫落;i. 卷芯超厚(未烘干或電解液未滲透)j. 分容時(shí)未充滿(mǎn)電;k. 正負極材料比容量小。
二、電池內阻高
產(chǎn)生原因：a. 負極片與極耳虛焊;b. 正極片與極耳虛焊;c. 正極耳與蓋帽虛焊;d. 負極耳與殼虛焊;e. 鉚釘與壓板接觸內阻大;f. 正極未加導電劑;g. 電解液沒(méi)有鋰鹽;h. 電池曾經(jīng)發(fā)生短路;i. 隔膜紙孔隙率小。
三、電池電壓低
產(chǎn)生原因：
a. 副反應(電解液分解;正極有雜質(zhì);有水);b. 未化成好(SEI 膜未形成安全);c. 客戶(hù)的線(xiàn)路板漏電(指客戶(hù)加工后送回的電芯);d. 客戶(hù)未按要求點(diǎn)焊(客戶(hù)加工后的電芯);e. 毛刺;f. 微短路;g. 負極產(chǎn)生枝晶。
四、超厚
a. 焊縫漏氣;b. 電解液分解;c. 未烘干水分;d. 蓋帽密封性差;e. 殼壁太厚;f. 殼太厚;g. 卷芯太厚(附料太多;極片未壓實(shí);隔膜太厚)。
五、電池化成異常
a. 未化成好(SEI 膜不完整、致密);b. 烘烤溫度過(guò)高→粘合劑老化→脫料;c. 負極比容量低;d. 正極附料多而負極附料少;e. 蓋帽漏氣，焊縫漏氣;f. 電解液分解，電導率降低。
六、電池爆炸
a. 分容柜有故障(造成過(guò)充);b. 隔膜閉合效應差;c. 內部短路。
七、電池短路
a. 料塵;b. 裝殼時(shí)裝破;c. 尺刮(隔膜紙太小或未墊好);d. 卷繞不齊;e. 沒(méi)包好;f. 隔膜有洞;g. 毛刺
八、電池斷路
a)極耳與鉚釘未焊好，或者有效焊點(diǎn)面積小;b)連接片斷裂(連接片太短或與極片點(diǎn)焊時(shí)焊得太靠下)
九、無(wú)閃現、輸出電壓低、帶不起負載
此類(lèi)不良首要排除電芯不良(電芯原本無(wú)電壓或電壓低)，假設電芯不良則應檢驗保護板的自耗電，看是否是保護板自耗電過(guò)大導致電芯電壓低。假設電芯電壓正常，則是因為保護板整個(gè)回路不通(元器件虛焊、假焊、FUSE 不良、PCB 板內部電路不通、過(guò)孔不通、MOS、IC 損壞等)。具體分析
過(guò)程如下：
(一)、用萬(wàn)用表黑表筆接電芯負極，紅表筆依次接 FUSE、R1 電阻兩端，IC 的 Vdd、Dout、Cout 端，P+端(假定電芯電壓為 3.8V)，逐段進(jìn)行分析，此幾個(gè)檢驗點(diǎn)都應為 3.8V。若不是，則此段電路有問(wèn)題。
1、FUSE 兩端電壓有改動(dòng)：檢驗 FUSE 是否導通，若導公例是 PCB 板內部電路不通;若不導公例 FUSE 有問(wèn)題(來(lái)料不良、過(guò)流損壞(MOS 或 IC 操控失效)、質(zhì)料有問(wèn)題(在 MOS 或 IC 動(dòng)作之前 FUSE 被燒壞)，然后用導線(xiàn)短接 FUSE，持續往后分析。
2、R1 電阻兩端電壓有改動(dòng)：檢驗 R1 電阻值，若電阻值失常，則或許是虛焊，電阻自身開(kāi)裂。若電阻值無(wú)失常，則或許是 IC 內部電阻出現問(wèn)題。
3、IC 檢驗端電壓有改動(dòng)：Vdd 端與 R1 電阻相連。Dout、Cout 端失常，則是因為 IC 虛焊或損壞。
4、若前面電壓都無(wú)改動(dòng)，檢驗 B- 到 P+間的電壓失常，則是因為保護板正極過(guò)孔不通。
(二)、萬(wàn)用表紅表筆接電芯正極，激活 MOS 管后，黑表筆依次接 MOS 管 2、3 腳，6、7 腳，P- 端。
1.MOS 管 2、3 腳，6、7 腳電壓有改動(dòng)，則標明 MOS 管失常。
2. 若 MOS 管電壓無(wú)改動(dòng)，P- 端電壓失常，則是因為保護板負極過(guò)孔不通。
十、短路無(wú)保護
1、VM 端電阻出現問(wèn)題：可用萬(wàn)用表一表筆接 IC2 腳，一表筆接與 VM 端電阻相連的 MOS 管管腳，供認其電阻值大小�？措娮枧c IC、MOS 管腳有無(wú)虛焊。
2、IC、MOS 失常：因為過(guò)放保護與過(guò)流、短路保護共用一個(gè) MOS 管，若短路失常是因為 MOS 出現問(wèn)題，則此板應無(wú)過(guò)放保護功用。
3、以上為正常情況下的不良，也或許出現 IC 與 MOS 裝備不良引起的短路失常。如前期出現的 BK-901，其型號為‘312D’的 IC 內延遲時(shí)間過(guò)長(cháng)，導致在 IC 作出相應動(dòng)作操控之前 MOS 或其它元器件已被損壞。注：其間供認 IC 或 MOS 是否發(fā)作失常最簡(jiǎn)易、直接的方法便是對有懷疑的元器件進(jìn)行替換。
十一、短路保護無(wú)自恢復
1、規劃時(shí)所用 IC 原本沒(méi)有自恢復功用，如 G2J，G2Z 等。
2、儀器設置短路恢復時(shí)間過(guò)短，或短路檢驗時(shí)未將負載移開(kāi)，如用萬(wàn)用表電壓檔進(jìn)行短路表筆短接后未將表筆從檢驗端移開(kāi)(萬(wàn)用表相當于一個(gè)幾兆的負載)。
3、P+、P- 間漏電，如焊盤(pán)之間存在帶雜質(zhì)的松香，帶雜質(zhì)的黃膠或 P+、P- 間電容被擊穿，ICVdd 到 Vss 間被擊穿。(阻值只有幾 K 到幾百 K)。
4、假設以上都沒(méi)問(wèn)題，或許 IC 被擊穿，可檢驗 IC 各管腳之間阻值。
十二、內阻大
1、因為 MOS 內阻相對比較穩定，出現內阻大情況，首要懷疑的應該是 FUSE 或 PTC 這些內阻相對比較簡(jiǎn)單發(fā)作改動(dòng)的元器件。
2、假設 FUSE 或 PTC 阻值正常，則視保護板結構檢測 P+、P- 焊盤(pán)與元器件面之間的過(guò)孔阻值，或許過(guò)孔出現微斷現象，阻值較大。
3、假設以上多沒(méi)有問(wèn)題，就要懷疑 MOS 是否出現失常：首要供認焊接有沒(méi)有問(wèn)題;其次看板的厚度(是否簡(jiǎn)單彎折)，因為彎折時(shí)或許導致管腳焊接處失常;再將 MOS 管放到顯微鏡下觀(guān)測是否破裂;終究用萬(wàn)用表檢驗 MOS 管腳阻值，看是否被擊穿。
十三、ID 失常
1、ID 電阻自身因為虛焊、開(kāi)裂或因電阻質(zhì)料不過(guò)關(guān)而出現失常：可從頭焊接電阻兩端，若重焊后 ID 正常則是電阻虛焊，若開(kāi)裂則電阻會(huì )在重焊后從中裂開(kāi)。
2、ID 過(guò)孔不導通：可用萬(wàn)用表檢驗過(guò)孔兩端。
3、內部線(xiàn)路出現問(wèn)題：可刮開(kāi)阻焊漆看內部電路有無(wú)斷開(kāi)、短路現象。 |
