1、在元器件的布局方面，應該把相互有關(guān)的元件盡量放得靠近一些，例如，時(shí)鐘發(fā)生器、晶振、CPU 的時(shí)鐘輸入端都易產(chǎn)生噪聲，在放置的時(shí)候應把它們靠近些。
對于那些易產(chǎn)生噪聲的器件、小電流電路、大電流電路開(kāi)關(guān)電路等，應盡量使其遠離單片機的邏輯控制電路和存儲電路（ROM、RAM），如果可能的話(huà)，可以將這些電路另外制成電路板，這樣有利于抗干擾，提高電路工作的可靠性。
2、盡量在關(guān)鍵元件，如 ROM、RAM 等芯片旁邊安裝去耦電容。實(shí)際上，印制電路板走線(xiàn)、引腳連線(xiàn)和接線(xiàn)等都可能含有較大的電感效應。大的電感可能會(huì )在 Vcc 走線(xiàn)上引起嚴重的開(kāi)關(guān)噪聲尖峰。
防止 Vcc 走線(xiàn)上開(kāi)關(guān)噪聲尖峰的方法，是在 VCC 與電源地之間安放一個(gè) 0.1uF 的電子去耦電容。如果電路板上使用的是表面貼裝元件，可以用片狀電容直接緊靠著(zhù)元件，在 Vcc 引腳上固定。是使用瓷片電容，這是因為這種電容具有較低的靜電損耗（ESL）和高頻阻抗，另外這種電容溫度和時(shí)間上的介質(zhì)穩定性也很不錯。盡量不要使用鉭電容，因為在高頻下它的阻抗較高。
在安放去耦電容時(shí)需要注意以下幾點(diǎn)：
在印制電路板的電源輸入端跨接 100uF 左右的電解電容，如果體積允許的話(huà)，電容量大一些則更好。
原則上每個(gè)集成電路芯片的旁邊都需要放置一個(gè) 0.01uF 的瓷片電容，如果電路板的空隙太小而放置不下時(shí)，可以每 10 個(gè)芯片左右放置一個(gè) 1～10 的鉭電容。
對于抗干擾能力弱、關(guān)斷時(shí)電流變化大的元件和 RAM、ROM 等存儲元件，應該在電源線(xiàn)（Vcc）和地線(xiàn)之間接入去耦電容。
電容的引線(xiàn)不要太長(cháng)，特別是高頻旁路電容不能帶引線(xiàn)。
3、在單片機控制系統中，地線(xiàn)的種類(lèi)有很多，有系統地、屏蔽地、邏輯地、模擬地等，地線(xiàn)是否布局合理，將決定電路板的抗干擾能力。在設計地線(xiàn)和接地點(diǎn)的時(shí)候，應該考慮以下問(wèn)題：
邏輯地和模擬地要分開(kāi)布線(xiàn)，不能合用，將它們各自的地線(xiàn)分別與相應的電源地線(xiàn)相連。在設計時(shí)，模擬地線(xiàn)應盡量加粗，而且盡量加大引出端的接地面積。一般來(lái)講，對于輸入輸出的模擬信號，與單片機電路之間通過(guò)光耦進(jìn)行隔離。
在設計邏輯電路的印制電路版時(shí)，其地線(xiàn)應構成閉環(huán)形式，提高電路的抗干擾能力。
地線(xiàn)應盡量的粗。如果地線(xiàn)很細的話(huà)，則地線(xiàn)電阻將會(huì )較大，造成接地電位隨電流的變化而變化，致使信號電平不穩，導致電路的抗干擾能力下降。在布線(xiàn)空間允許的情況下，要保證主要地線(xiàn)的寬度至少在 2～3mm 以上，元件引腳上的接地線(xiàn)應該在 1.5mm 左右。
要注意接地點(diǎn)的選擇。當電路板上信號頻率低于 1MHz 時(shí)，由于布線(xiàn)和元件之間的電磁感應影響很小，而接地電路形成的環(huán)流對干擾的影響較大，所以要采用一點(diǎn)接地，使其不形成回路。當電路板上信號頻率高于 10MHz 時(shí)，由于布線(xiàn)的電感效應明顯，地線(xiàn)阻抗變得很大，此時(shí)接地電路形成的環(huán)流就不再是主要的問(wèn)題了。所以應采用多點(diǎn)接地，盡量降低地線(xiàn)阻抗。
電源線(xiàn)的布置除了要根據電流的大小盡量加粗走線(xiàn)寬度外，在布線(xiàn)時(shí)還應使電源線(xiàn)、地線(xiàn)的走線(xiàn)方向與數據線(xiàn)的走線(xiàn)方身一致在布線(xiàn)工作的，用地線(xiàn)將電路板的底層沒(méi)有走線(xiàn)的地方鋪滿(mǎn)，這些方法都有助于增強電路的抗干擾能力。
數據線(xiàn)的寬度應盡可能地寬，以減小阻抗。數據線(xiàn)的寬度至少不小于 0.3mm(12mil)，如果采用 0.46～0.5mm(18mil～20mil)則更為理想。
由于電路板的一個(gè)過(guò)孔會(huì )帶來(lái)大約 10pF 的電容效應，這對于高頻電路，將會(huì )引入太多的干擾，所以在布線(xiàn)的時(shí)候，應盡可能地減少過(guò)孔的數量。再有，過(guò)多的過(guò)孔也會(huì )造成電路板的機械強度降低。
一個(gè)單片機應用系統的硬件電路設計包含兩部分內容：一是系統擴展，即單片機內部的功能單元，如 ROM、RAM、I/O、定時(shí)器 / 計數器、中斷系統等不能滿(mǎn)足應用系統的要求時(shí)，必須在片外進(jìn)行擴展，選擇適當的芯片，設計相應的電路。二是系統的配置，即按照系統功能要求配置外圍設備，如鍵盤(pán)、顯示器、打印機、A/D、D/A 轉換器等，要設計合適的接口電路。
系統的擴展和配置應遵循以下原則：
盡可能選擇典型電路，并符合單片機常規用法。為硬件系統的標準化、模塊化打下良好的基礎。
系統擴展與外圍設備的配置水平應充分滿(mǎn)足應用系統的功能要求，并留有適當余地，以便進(jìn)行二次開(kāi)發(fā)。
硬件結構應結合應用軟件方案一并考慮。硬件結構與軟件方案會(huì )產(chǎn)生相互影響，考慮的原則是：軟件能實(shí)現的功能盡可能由軟件實(shí)現，以簡(jiǎn)化硬件結構。但必須注意，由軟件實(shí)現的硬件功能，一般響應時(shí)間比硬件實(shí)現長(cháng)，且占用 CPU 時(shí)間。
系統中的相關(guān)器件要盡可能做到性能匹配。如選用 CMOS 芯片單片機構成低功耗系統時(shí)，系統中所有芯片都應盡可能選擇低功耗產(chǎn)品。
可靠性及抗干擾設計是硬件設計必不可少的一部分，它包括芯片、器件選擇、去耦濾波、印刷電路板布線(xiàn)、通道隔離等。
單片機外圍電路較多時(shí)，必須考慮其驅動(dòng)能力。驅動(dòng)能力不足時(shí)，系統工作不可靠，可通過(guò)增設線(xiàn)驅動(dòng)器增強驅動(dòng)能力或減少芯片功耗來(lái)降低總線(xiàn)負載。
盡量朝“單片”方向設計硬件系統。系統器件越多，器件之間相互干擾也越強，功耗也增大，也不可避免地降低了系統的穩定性。隨著(zhù)單片機片內集成的功能越來(lái)越強，真正的片上系統 SoC 已經(jīng)可以實(shí)現，如 ST 公司 的μPSD32××系列產(chǎn)品在一塊芯片上集成了 80C32 核、大容量 FLASH 存儲器、SRAM、A/D、I/O、兩個(gè)串口、看門(mén)狗、上電復位電路等等。
單片機系統硬件抗干擾常用方法實(shí)踐：
影響單片機系統可靠安全運行的主要因素主要來(lái)自系統內部和外部的各種電氣干擾，并受系統結構設計、元器件選擇、安裝、制造工藝影響。這些都構成單片機系統的干擾因素，常會(huì )導致單片機系統運行失常，輕則影響產(chǎn)品質(zhì)量和產(chǎn)量，重則會(huì )導致事故，造成重大經(jīng)濟損失。
形成干擾的基本要素有三個(gè)：
干擾源。指產(chǎn)生干擾的元件、設備或信號，用數學(xué)語(yǔ)言描述如下：du/dt， di/dt 大的地方就是干擾源。如：雷電、繼電器、可控硅、電機、高頻時(shí)鐘等都可能成為干擾源。
傳播路徑。指干擾從干擾源傳播到敏感器件的通路或媒介。典型的干擾傳播路徑是通過(guò)導線(xiàn)的傳導和空間的輻射。
敏感器件。指容易被干擾的對象。如：A/D、D/A 變換器，單片機，數字 IC，弱信號放大器等。干擾的分類(lèi)干擾的分類(lèi)有好多種，通�？梢园凑赵肼暜a(chǎn)生的原因、傳導方式、波形特性等等進(jìn)行不同的分類(lèi)。按產(chǎn)生的原因分：可分為放電噪聲音、高頻振蕩噪聲、浪涌噪聲。按傳導方式分：可分為共模噪聲和串模噪聲。按波形分：可分為持續正弦波、脈沖電壓、脈沖序列等等。
干擾的耦合方式：
干擾的耦合方式干擾源產(chǎn)生的干擾信號是通過(guò)一定的耦合通道才對測控系統產(chǎn)生作用的。因此，有必要看看干擾源和被干擾對象之間的傳遞方式。干擾的耦合方式，無(wú)非是通過(guò)導線(xiàn)、空間、公共線(xiàn)等等，細分下來(lái)，主要有以下幾種：
直接耦合：這是直接的方式，也是系統中存在普遍的一種方式。比如干擾信號通過(guò)電源線(xiàn)侵入系統。
公共阻抗耦合：這也是常見(jiàn)的耦合方式，這種形式常常發(fā)生在兩個(gè)電路電流有共同通路的情況。為了防止這種耦合，通常在電路設計上就要考慮。使干擾源和被干擾對象間沒(méi)有公共阻抗。
電容耦合：又稱(chēng)電場(chǎng)耦合或靜電耦合。是由于分布電容的存在而產(chǎn)生的耦合。
電磁感應耦合：又稱(chēng)磁場(chǎng)耦合。是由于分布電磁感應而產(chǎn)生的耦合。
漏電耦合：這種耦合是純電阻性的，在絕緣不好時(shí)就會(huì )發(fā)生。
采取的抗干擾主要手段：
常用硬件抗干擾技術(shù)針對形成干擾的三要素，采取的抗干擾主要有以下手段：
抑制干擾源抑制干擾源就是盡可能的減小干擾源的 du/dt，di/dt。這是抗干擾設計中先考慮和重要的原則，常常會(huì )起到事半功倍的效果。減小干擾源的 du/dt 主要是通過(guò)在干擾源兩端并聯(lián)電容來(lái)實(shí)現。減小干擾源的 di/dt 則是在干擾源回路串聯(lián)電感或電阻以及增加續流二極管來(lái)實(shí)現。抑制干擾源的常用措施如下：
繼電器線(xiàn)圈增加續流二極管，消除斷開(kāi)線(xiàn)圈時(shí)產(chǎn)生的反電動(dòng)勢干擾。僅加續流二極管會(huì )使繼電器的斷開(kāi)時(shí)間滯后，增加穩壓二極管后繼電器在單位時(shí)間內可動(dòng)作更多的次數。
在繼電器接點(diǎn)兩端并接火花抑制電路（一般是 RC 串聯(lián)電路，電阻一般選幾 K 到幾十 K，電容選 0.01uF），減小電火花影響。
給電機加濾波電路，注意電容、電感引線(xiàn)要盡量短。
電路板上每個(gè) IC 要并接一個(gè) 0.01μF～0.1μF 高頻電容，以減小 IC 對電源的影響。注意高頻電容的布線(xiàn)，連線(xiàn)應靠近電源端并盡量粗短，否則，等于增大了電容的等效串聯(lián)電阻，會(huì )影響濾波效果。
布線(xiàn)時(shí)避免 90 度折線(xiàn)，減少高頻噪聲發(fā)射。
可控硅兩端并接 RC 抑制電路，減小可控硅產(chǎn)生的噪聲（這個(gè)噪聲嚴重時(shí)可能會(huì )把可控硅擊穿的）。
切斷干擾傳播路徑按干擾的傳播路徑可分為傳導干擾和輻射干擾兩類(lèi)。所謂傳導干擾是指通過(guò)導線(xiàn)傳播到敏感器件的干擾。高頻干擾噪聲和有用信號的頻帶不同，可以通過(guò)在導線(xiàn)上增加濾波器的方法切斷高頻干擾噪聲的傳播，有時(shí)也可加隔離光耦來(lái)解決。電源噪聲的危害，要特別注意處理。所謂輻射干擾是指通過(guò)空間輻射傳播到敏感器件的干擾。一般的解決方法是增加干擾源與敏感器件的距離，用地線(xiàn)把它們隔離和在敏感器件上加蔽罩。切斷干擾傳播路徑的常用措施如下：
充分考慮電源對單片機的影響。電源做得好，整個(gè)電路的抗干擾就解決了一大半。許多單片機對電源噪聲很敏感，要給單片機電源加濾波電路或穩壓器，以減小電源噪聲對單片機的干擾。比如，可以利用磁珠和電容組成π形濾波電路，當然條件要求不高時(shí)也可用 100Ω電阻代替磁珠。
如果單片機的 I/O 口用來(lái)控制電機等噪聲器件，在 I/O 口與噪聲源之間應加隔離（增加π形濾波電路）。
注意晶振布線(xiàn)。晶振與單片機引腳盡量靠近，用地線(xiàn)把時(shí)鐘區隔離起來(lái)，晶振外殼接地并固定。
電路板合理分區，如強、弱信號，數字、模擬信號。盡可能把干擾源（如電機、繼電器）與敏感元件（如單片機）遠離。
用地線(xiàn)把數字區與模擬區隔離。數字地與模擬地要分離，在一點(diǎn)接于電源地。A/D、D/A 芯片布線(xiàn)也以此為原則。
單片機和大功率器件的地線(xiàn)要單獨接地，以減小相互干擾。大功率器件盡可能放在電路板邊緣。
在單片機 I/O 口、電源線(xiàn)、電路板連接線(xiàn)等關(guān)鍵地方使用抗干擾元件如磁珠、磁環(huán)、電源濾波器、屏蔽罩，可顯著(zhù)提高電路的抗干擾性能。
提高敏感器件的抗干擾性能提高敏感器件的抗干擾性能是指從敏感器件這邊考慮盡量減少對干擾噪聲的拾取，以及從不正常狀態(tài)盡快恢復的方法。提高敏感器件抗干擾性能的常用措施如下：
布線(xiàn)時(shí)盡量減少回路環(huán)的面積，以降低感應噪聲。
布線(xiàn)時(shí)，電源線(xiàn)和地線(xiàn)要盡量粗。除減小壓降外，更重要的是降低耦合噪聲。
對于單片機閑置的 I/O 口，不要懸空，要接地或接電源。其它 IC 的閑置端在不改變系統邏輯的情況下接地或接電源。
對單片機使用電源監控及看門(mén)狗電路，如：IMP809，IMP706，IMP813， X5043，X5045 等，可大幅度提高整個(gè)電路的抗干擾性能。
在速度能滿(mǎn)足要求的前提下，盡量降低單片機的晶振和選用低速數字電路。
IC 器件盡量直接焊在電路板上，少用 IC 座。
其它常用抗干擾措施交流端用電感電容濾波:去掉高頻低頻干擾脈沖。變壓器雙隔離措施：變壓器初級輸入端串接電容，初、次級線(xiàn)圈間屏蔽層與初級間電容中心接點(diǎn)接大地，次級外屏蔽層接印制板地，這是硬件抗干擾的關(guān)鍵手段。次級加低通濾波器：吸收變壓器產(chǎn)生的浪涌電壓。采用集成式直流穩壓電源：因為有過(guò)流、過(guò)壓、過(guò)熱等保護。I/O 口采用光電、磁電、繼電器隔離，同時(shí)去掉公共地。通訊線(xiàn)用雙絞線(xiàn)：排除平行互感。
防雷電用光纖隔離為有效。A/D 轉換用隔離放大器或采用現場(chǎng)轉換：減少誤差。外殼接大地：解決人身安全及防外界電磁場(chǎng)干擾。加復位電壓檢測電路。防止復位不充分 CPU 就工作，尤其有 EEPROM 的器件，復位不充分會(huì )改變 EEPROM 的內容。
印制板工藝抗干擾：
電源線(xiàn)加粗，合理走線(xiàn)、接地，三總線(xiàn)分開(kāi)以減少互感振蕩。
CPU、RAM、ROM 等主芯片，VCC 和 GND 之間接電解電容及瓷片電容，去掉高、低頻干擾信號。
獨立系統結構，減少接插件與連線(xiàn)，提高可靠性，減少故障率。
集成塊與插座接觸可靠，用雙簧插座，集成塊直接焊在印制板上，防止器件接觸不良故障。
有條件采用四層以上印制板，中間兩層為電源及地。
