電流保護閥值選取:流過(guò)FET 的電流包括音頻輸出和LPF 濾波網(wǎng)絡(luò )電流，所以；實(shí)際要求設置值要高于音頻電流峰值。我比較喜歡這樣選�。汗Ψ棚柡洼敵鰰r(shí)的最大輸出電流X1.5；2）RDSON選�。嚎梢愿鶕䦟�(shí)際最高工作溫度選取，通�？梢匀�85C 時(shí)的RDSON 值；3）有了電流和RDSON，就可以選IC 的保護值了。這里需要注意的是大電流下的FET 開(kāi)關(guān)波型應該是很干凈的方波，如果有毛刺的話(huà)，可以適當增加柵電阻和優(yōu)化退耦結構。對于直流輸出問(wèn)題：可能重載時(shí)；電源電壓跌落，但；由于變壓器或負載正負不對稱(chēng)，正負電源電壓跌落不一致，致使功放某一半波提前飽和輸出了。出現這問(wèn)題時(shí)；通常不是功放問(wèn)題，你可以略微提高電源電壓增加水塘電容試試。
2）一般理想的工程條件下，半橋工作的實(shí)際死區時(shí)間越短越好，最小可以設置到10 納秒
3）IRS2092S 做全頻功放時(shí)應注意的問(wèn)題，最好能選擇線(xiàn)性度比較好的元件，調制頻率選擇在300~400KHz，適當匹配LC 濾波器的L/C 的值，可以比較要的解決問(wèn)題。推薦L 選取18~22μH。如果要進(jìn)一步改善平坦度，L 可以取到10μH，同時(shí)；調制頻率提高到400KHz 左右。
4）PWM 調制及咔噠聲抑制問(wèn)題：電路的過(guò)度過(guò)程不匹配，前級電源電壓降落引起
的電壓飄逸被后級放大造成的。調整一下時(shí)續可以解決問(wèn)題。
另：IRS2092/S 已經(jīng)在IC 內加入開(kāi)關(guān)機消“咔噠”功能。一般無(wú)需外加電路。
5）針對不同Qg 的MOS，柵電阻怎么選擇，Qg 太大2092 發(fā)熱非�？斓慕鉀Q：可以用降頻或增加柵電阻方式降低IRS2092 的溫升，一般；Qg 和開(kāi)關(guān)頻率并不是IC 發(fā)熱的主要原因，發(fā)熱可能更多的源于開(kāi)關(guān)管產(chǎn)生的電壓過(guò)沖，改善PCB 布線(xiàn)和退耦可以抑制IC 發(fā)熱。對于300W 額定輸出功率，推薦IRFI4020-117P會(huì )更好些。
6）做500W的功放可以用IRS2092 搭配IRF6785MTRPbF 兩并，PCB 設計合理的話(huà)；THD+N可以達到0.02%以上的水平。IRFB4227 也可以用在這寬功放中，只是效果會(huì )差些。
7）對于MOS管的發(fā)熱，MOS 管發(fā)熱是多種原因造成的，首先；電壓電流規格要合適，過(guò)大或過(guò)小都會(huì )加重發(fā)熱量。其次；選用專(zhuān)用驅動(dòng)IC 和MOSFET。再次；注意PCB 設計布局，選擇合適的安裝位置和規格。
8）用IRS2092 實(shí)現更大功率輸出時(shí)建議不要擴流，否則；很難保證匹配精準。IRS2092 做千瓦以下級的功放已經(jīng)足夠了。
9）D 類(lèi)功放在高音部分變音是因為：LC 濾波器和調節器都是低通結構，它們對高頻信號都有一定的衰減，就會(huì )聽(tīng)到變音�？梢愿纳七@兩部分的參數，達到要求的帶寬
10）IR 最新的MP4，MP5 和MP7 這三個(gè)DEMO 版，它們的頻帶都可以達到24K 之上，在4 歐姆條件下，比最早的DEMO略微一點(diǎn)加寬，如果帶8歐姆負載的話(huà)，其實(shí)帶寬遠超過(guò)48K 了，主要是內部有個(gè)LC 濾波器的帶寬把它抑制了。為保證音頻帶寬的足夠寬度，兼顧本身功耗相對比較低的要求，用了一個(gè)22 微亨的電感，如果說(shuō)需要把帶寬加寬，只要把這個(gè)電感值略微減少，比如說(shuō)16 到18 微亨，它的帶寬就可以加寬，音響功放本身達到60K，是沒(méi)有任何問(wèn)題的，經(jīng)測試，功放完全可以帶3ohm或2ohm負載由于演示板內部選擇的過(guò)優(yōu)保護點(diǎn)和MOSFET 是按照4ohm 負載設置，它并不能夠在兩歐姆的時(shí)候輸出功率加倍。另外；這個(gè)電路目前是非常穩定。
11）死區時(shí)間對THD 的有多大影響？
死區對THD 的影響是非常的大的，實(shí)際上相當于對正弦波的波低削了一下，如果做諧波測試的話(huà)，增加的主要是三次諧波，它尤其對音色的影響更是很大，我們曾經(jīng)測試過(guò)，如果說(shuō)有個(gè)50納秒的死區時(shí)間的話(huà)，如果沒(méi)有做反饋，THD 的值可以達到2.8%，如果聽(tīng)音的話(huà)，會(huì )感到非常的干澀，所以說(shuō)死區時(shí)間對THD 是非常重要的，所以在這里強調一點(diǎn)是高底邊的互鎖匹配和MOSFET 的QGD 這個(gè)值，還有MOSFET 的引線(xiàn)電感。
12）IR2092 做低音炮時(shí)的載波頻率計算和測試：
IR2092 由二介反饋?縟荽笮±淳齠ǖ�，哉a齠聳淙胱榪購褪涑鱟榪�，诊喗庚_縟菥齠慫鈉蕩�，以�(huà)憷唇�，晤U墻ㄒ樵詰鴕艄Ψ懦『�，调制频率以�(huà)閌竅拗?48k 到100K 之間，實(shí)際上對于低音炮來(lái)講，它的輸出頻率通常不會(huì )超過(guò)600 赫茲，100K 的調制頻率對600 赫茲來(lái)說(shuō)已經(jīng)是足夠了。比較低的調制頻率，可以允許MOSFET 的開(kāi)關(guān)速度相對比較慢，以獲得更低的噪音，也可以降低總體開(kāi)關(guān)損耗，把效率提高到百分之98 的水平，因為把調制頻率降低以后，輸出電感通常要加大的，按照我們目前的經(jīng)驗，如果是帶1 歐姆的低音喇叭的話(huà)，那么濾波電感一般可以選擇在60 微亨左右，這個(gè)時(shí)候低音比較渾厚。
13）。避免噪音干擾主要有幾方面，
一方面是選用專(zhuān)用的驅動(dòng)器和專(zhuān)用的MOSFET，這樣它的噪音會(huì )非常的低，我們現在的IRAUDIOMP4 和MP5 的DEMO 版，可以直接接收音機而不會(huì )干擾。這可能是業(yè)界唯一的解決方案。第二點(diǎn)，我們的PCB 設計是非常有特色的，元器件線(xiàn)連接是非常專(zhuān)業(yè)的，是解決前期噪音的方法之一，總體來(lái)講，D 類(lèi)功放的設計要求很高，主要原因是內部頻率比較高，這樣MOSFET 電流會(huì )被調制分割，里面有非常高的射頻分量，這些分量會(huì )在PCB 上面產(chǎn)生聚膚效應。高頻噪音如果擴散；就會(huì )調制運算放大器產(chǎn)生一些背景噪音，這需要多方面的技巧去解決，另一方面2092 集成了高（射）頻噪音免疫的放大器。所以D 類(lèi)放大器里面要解決多種問(wèn)題，很多理論已經(jīng)超出了傳統AB 類(lèi)放大器的知識范疇。D 類(lèi)放大器設計很講究效率，而AB 類(lèi)更多的是講的是信號保真，由此；增加了很多的要求，對現在的工程師來(lái)講，設計D 類(lèi)功放；遇到更多的是挑戰，但是這個(gè)背后將是獲得更高的效率和更好的音質(zhì)的成就。
14）D 類(lèi)功放是一個(gè)系統，除了效應管以外，還是需要驅動(dòng)器，電容電感等等，由于它是工作在大功率條件下，它的材質(zhì)，屏蔽性和放置方式都是非常講究的，首先，電感我們推薦盡可能做屏蔽性結構，比如說(shuō)是用PM 或者是PQ 結構，當然是最好的，即便用這些結構會(huì )發(fā)現磁場(chǎng)的輻射方向是不一樣的，有些是前后的，有些是向下的，這些方向必須正交于PCB 的信號線(xiàn)的布局方向，這樣不會(huì )有磁場(chǎng)的干擾進(jìn)入到系統里面，或者是干擾最小，這樣系統就可以獲得最好的效益。
15）關(guān)于死區時(shí)間選擇：死區時(shí)間設置和客戶(hù)選用的MOSFET 參數是密切相關(guān)的，原因有兩方面，一方面是各款MOSFET的密勒效應不一樣，即便MOSFET 的驅動(dòng)電阻相等，但由于Qgd 不相同，不同程度抑制了MOSFET關(guān)斷，所以對死區時(shí)間要相應的放長(cháng)，另外各款MOSFET 寄生二極管的恢復速度不同，等效導通時(shí)間不等，設置死區時(shí)間一定要長(cháng)于MOSFET 寄生二極管的恢復時(shí)間，否則就會(huì )形成比較嚴重的短路，功放對這類(lèi)噪音非常敏感。所以要注意，MOSFET 的寄生二極管必須是肖特基的，否則你會(huì )發(fā)現，它的發(fā)熱量至少會(huì )提高一倍，音色也會(huì )硬很多。
IRS2092可選死區時(shí)間
Selectable Dead-time （可選死區時(shí)間）
The dead-time of the IRS2092 is set based on the voltage applied to the DT pin.
（2092死區時(shí)間的調整是通過(guò)加在其DT腳的電壓來(lái)實(shí)現的）
Fig 26 lists the (參數示意圖26)
suggested component value for each programmable dead-time between 25 and 105 ns. （建議將死區時(shí)間設置在25~105納秒之間）
All the IRAUDAMP7S models use DT2 (45ns) dead-time.
（所有的IRAUDAMP7S線(xiàn)路的演示板使用的是DT2(45NS)的死區時(shí)間設置）
圖中：Recommended Resistor Values for Dead Time Selection（推薦選擇的死區時(shí)間電阻值）
16）關(guān)于肖特基二極管，市面上面是沒(méi)有一個(gè)理想的肖特基，理想的肖特基是要求壓降在0.25V 以下，目前來(lái)講只有15V 的肖特基接近這個(gè)值。無(wú)論是多么理想的肖特基，在MOSFET 上面并聯(lián)是不可取的，主要原因是MOSFET 是一個(gè)個(gè)體結構，它的引線(xiàn)電感通常是在13nH，同樣電流肖特基管通常也是T-220 封裝，它們的引線(xiàn)電感值接近。為了在摩斯管關(guān)斷的時(shí)候，把電流擠到旁邊的肖特基管里面去（MOSFET 寄生二極管壓降通常是??0.6 伏左右），所有引線(xiàn)感應電壓不能超過(guò)0.6 伏，否則；寄生二極管就會(huì )開(kāi)啟。MOSFET 和肖特基并聯(lián)時(shí)，從MOSFET 管芯看，引線(xiàn)電感是串聯(lián)的。對于一個(gè)超過(guò)20nH 的電感，感應電壓又不能超過(guò)0.6的條件下，它允許電流非常非常小的，所以說(shuō)當功率稍微大點(diǎn)的時(shí)候，肖特基并聯(lián)作用將基本消失殆盡，所以原則講是不建議并聯(lián)肖特基在MOSFET 上。
17）音響專(zhuān)用MOSFET 和普通開(kāi)關(guān)型MOSFET 的主要區別是什么？
音響專(zhuān)用MOSFET 和普通開(kāi)關(guān)型MOSFET 的區別是在三個(gè)方面，第一點(diǎn)是音響專(zhuān)用的MOSFET 是肖特基型的，由于它的調制頻率達到了400K，電壓基本上要達200 伏，在這個(gè)電壓下面硬開(kāi)關(guān)工作，而且；每周期都有續流要求，對MOSFET 要求遠超過(guò)普通開(kāi)關(guān)電源，所以它的MOSFET 必須是肖特基型結構。第二點(diǎn)是MOSFET 的Qgd 的值也是不同的，專(zhuān)用摩斯管的值是優(yōu)化的，Qgd 值的減小能夠保證輸出的脈寬精度，而我們普通的開(kāi)關(guān)型的MOSFET，它主要強調的是成本和開(kāi)關(guān)損耗的綜合值。它對脈寬的損失并不考慮，普通開(kāi)關(guān)型的MOSFET 輸出的主要是PWM 信號，它不對高頻響應做任何處理，而專(zhuān)用音響MOSFET，要求響應到24K 以上的頻帶，所以它的響應是非常的快。第三，柵寄生內阻。音響的MOSFET 對脈沖奇變的抑制能力要高于開(kāi)關(guān)電源的MOSFET，專(zhuān)用的MOSFET 柵寄生內阻通常在1 歐姆左右，這個(gè)值已經(jīng)遠遠的小于驅動(dòng)電阻，而開(kāi)關(guān)型的值通常在十幾歐姆到幾十歐姆，專(zhuān)用音響MOSFET，控制這個(gè)值后，能有效保證脈沖寬度的精準，音響的MOSFET 和普通的MOSFET 的區別是非常大，有興趣的話(huà)，對比兩個(gè)摩斯管的測試結果，會(huì )發(fā)現無(wú)論是從功耗還是從音質(zhì)上面來(lái)講，區別是非常明顯的。
18）在半橋電路結構設計中，為甚么有時(shí)母線(xiàn)電壓會(huì )上升？
喇叭是一個(gè)特殊的東西，表面看；它是歐姆型的，但；由于本身固有頻率特性的限制，在廣譜的頻率/功率范圍，阻抗呈山脈起伏似的變化。在輸出的頻率高于它本身的頻率，它表現出容性阻抗；低于頻率諧振點(diǎn)時(shí)表現為感性。對于擁有多個(gè)諧振點(diǎn)；且是非完全彈性型變體的喇叭而言，阻抗變化非常復雜。這些感性或容性特性表明，喇叭會(huì )在不同時(shí)間儲存或釋放或大或小的能量，它會(huì )在電環(huán)路里面形成能量循環(huán)，就是說(shuō)喇叭里面的機械動(dòng)能或電磁能量會(huì )被D 類(lèi)調制開(kāi)關(guān)回收到電源里面或充到喇叭里，這時(shí)候會(huì )發(fā)現電源電容電壓會(huì )升起或下降，同樣當喇叭在輸出功率的時(shí)候，它也會(huì )把電容里面的能量放到喇叭里推動(dòng)音盆，作為音頻的動(dòng)力，這時(shí)候會(huì )發(fā)現電源是波動(dòng)的了，這也是效率會(huì )非常高的原因，它會(huì )把未專(zhuān)換有效機械動(dòng)能的能量和一些無(wú)功阻抗分量寄存循環(huán)能量會(huì )全部回收起來(lái)，而AB 類(lèi)是無(wú)法回收的，正因為如此，D 類(lèi)功放的阻尼系數和效率遠遠超過(guò)AB 類(lèi)，通常條件下，如果D 類(lèi)功放做的好的話(huà)，它的阻尼系數可以達到110dB。
19）D 類(lèi)功放的輸出濾波電感怎樣選擇？輸出濾波電感發(fā)熱量大是什么原因？怎樣解決？
這類(lèi)功放的?鬧誓殼壩辛街鐘玫謀冉隙�，一种称之为袩燏粉材料，蕦甚r且恢殖肝⑻鄄牧�，記](méi)費跏髦旌轄街緯傻幕貳Ａ磽庖桓鼉褪淺＜墓腞2KBD 材料，這個(gè)材料的性能原則上講是超過(guò)PC40，主要原因是RKBD 材料它的磁感強度可以達到4800 左右，而PC40 只能達到3500 左右。R2KBD 材質(zhì)居里溫度達到250゜C，遠高于PC40，20）大電流場(chǎng)效應管與IR 的驅動(dòng)電流的關(guān)系是如何？
MOSFET 開(kāi)通的時(shí)候，最重要的是有一個(gè)電強壓的方式來(lái)啟動(dòng)，當我們輸入電壓到柵級的時(shí)候，就好像是我們加電壓在電容上面一樣，所以我們開(kāi)通MOSFET 的時(shí)候，小電流的MOSFET 的柵電容是會(huì )比較大的，會(huì )影響功放開(kāi)關(guān)的表現從而影響音質(zhì)，所以大電流場(chǎng)效應管要考慮到驅動(dòng)電流是多大，并配以適當Qg 的MOSFET.
死區時(shí)間對于D類(lèi)數字功放來(lái)說(shuō)非常重要，直接影響到效率的穩定性能，以下是在IR官方資料中摘取的一部分資料，加上中文的含義，希望對那些剛使用這片IC做D類(lèi)數字功放的朋友有點(diǎn)幫助
