在便攜式產(chǎn)品設計中，一直以來(lái)，模擬開(kāi)關(guān)主要作為音頻信號切換器使用。后來(lái)，隨著(zhù)雙卡雙模手機的普及，模擬開(kāi)關(guān)成了雙卡切換必備的選擇；  的數字電視DVB，CMMB等在一定的條件下也需要使用模擬開(kāi)關(guān)。那么選擇這些開(kāi)關(guān)時(shí)需要注意哪些設計問(wèn)題呢？

低導通電阻往往是模擬開(kāi)關(guān)在音頻切換時(shí)的主要選擇因素。值得注意的是，導通電阻是針對具體的VCC、VIN（電壓輸入）及給定負載電流而指定的。在晶體管級，RON為器件長(cháng)度（L）、器件寬度（W）、電子與空穴遷移率、氧化層電容、門(mén)限電壓及信號電壓的函數。

RON會(huì )隨著(zhù)供電電壓的增加而減小，圖1顯示了上海英聯(lián)的UM4*在不同電源電壓上所測得的RON。導通電阻平坦度（RFLAT）即表示RON隨著(zhù)VIN在0V至VCC或V-至V+）間變化而變化的情況，是引起THD的主要因素。

隔離度是用來(lái)衡量開(kāi)關(guān)導通通道與關(guān)閉通道之間“噪聲”的指標，在指定頻率上測量，是關(guān)閉通道輸入與輸出之間的耦合。串擾是模擬輸入通道與另一通道之間的交叉耦合，有兩種形式：鄰近通道與非鄰近通道。這兩種參數都以dB表示。在中，我們通常將串擾及隔離度指標與帶寬一起考慮。某些模擬開(kāi)關(guān)的輸入帶寬雖然高達數百兆赫，但是其帶寬指標本身不是很有意義的。因為在高頻情況下，關(guān)斷隔離和串擾指標都明顯變壞。例如，在1MHz情況下，開(kāi)關(guān)的關(guān)斷隔離典型值為70dB，串擾典型值為-85dB。由于這兩項指標都按20dB/+倍頻下降，所以在100MHz時(shí)，關(guān)斷隔離降為30dB，而串擾增加為-45dB。因此，僅僅考慮帶寬是不夠的，必須考慮在所要求的高頻工作條件下這兩項指標下降是否能滿(mǎn)足應用的要求。

圖2中可以看出采用該改善技術(shù)的英聯(lián)UM3157模擬開(kāi)關(guān)產(chǎn)品與普通同系列模擬開(kāi)關(guān)產(chǎn)品在ICCT上的顯著(zhù)區別。

此外，英聯(lián)的低ICCT系列模擬開(kāi)關(guān)具有更低的VIH電平值，可以使用較低的控制電平實(shí)現開(kāi)關(guān)的高電平切換控制。產(chǎn)品的這種特性大大減少了系統工程師設計電路的復雜性，特別是在供電電源和控制信號電平不匹配的便攜產(chǎn)品應用中可以免除使用電平轉換模塊，從而有效降低了成本。以模擬開(kāi)關(guān)用來(lái)切換音頻信號為例，如圖3所示，可以使用ASIC傳輸過(guò)來(lái)的1.8V電壓直接來(lái)控制UM3157的控制管腳，而不必采用電平轉移器也能在實(shí)現開(kāi)關(guān)切換的同時(shí)達到很小的漏電流。此外，由于低ICCT模擬開(kāi)關(guān)不消耗很多功耗（大約1uA），且開(kāi)關(guān)的導通電阻隨工作電壓的增加而降低，設計人員可以使用較高的供電電壓來(lái)達到更低的導通電阻。對于典型的音頻開(kāi)關(guān)或USB應用，低的導通電阻是非常重要的。