肖特基二極管的內部結構
肖特基（Schottky）二極管也稱(chēng)肖特基勢壘二極管（簡(jiǎn)稱(chēng)SBD），是由金屬與半導體接觸形成的勢壘層為基礎制成的二極管如圖
1所示，其主要特點(diǎn)是正向導通壓降�。s0.45V），反向恢復時(shí)間短和開(kāi)關(guān)損耗小，是一種低功耗、超高速半導體器件。肖特基二極管在結構原理上與PN結二極管有很大區別，它的內部是由陽(yáng)極金屬（用鉬或鋁等材料制成的阻擋層）、二氧化硅（SiO2）電場(chǎng)消除材料、N-外延層（砷材料）、N型硅基片、N
陰極層及陰極金屬等構成，如圖1所示。在N型基片和陽(yáng)極金屬之間形成肖特基勢壘。當在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓（陽(yáng)極金屬接電源正極，N型基片接電源負極）時(shí)，肖特基勢壘層變窄，其內阻變��；反之，若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時(shí)，肖特基勢壘層則變寬，其內阻變大。
肖特基二極管存在的問(wèn)題是耐壓比較低，反向漏電流比較大。目前應用在功率變換電路中的肖特基二極管的大體水平是耐壓在150V以下，平均電流在100A以下，反向恢復時(shí)間在10～40ns。肖特基二極管應用在高頻低壓電路中，是比較理想的。
肖特基二極管結構和內電路
1.肖特基二極管結構
圖13-3是肖特基二極管內部結構示意圖。肖特基二極管具有更低的串聯(lián)電阻和更強的非線(xiàn)性，適合于在射頻電路中應用。
某些金屬和N型半導體材料接觸后，電子會(huì )從N型半導體材料中擴散進(jìn)入金屬從而在半導體材料中形成一個(gè)耗盡層，具有和常規PN結類(lèi)似的特牲，這種由金屬和半導體材料接觸形成類(lèi)似PN結勢壘的結構稱(chēng)為肖特基結。
當在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓（陽(yáng)極金屬接電源正極，N型基片接電源負極）時(shí)，肖特基勢壘層變窄，其內阻變小。如果在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時(shí)，肖特基勢壘層則變寬，其內阻變大，如圖13-4所示。
2.肖特基二極管內電路？
引線(xiàn)式肖特基對管又有共陽(yáng)（兩管的正極相連）、共陰（兩管的負極相連）和串聯(lián)（一只二極管的正極接另一只二極管的負極）3種引腳引出方式。JRC2352圖13-5是引線(xiàn)式肖特基對管內電路結構示意圖。
貼片式肖特基二極管有單管型、雙管型和三管型等多種封裝形式，且內電路具體形式多達10余種。圖13-6所示是多種貼片式肖特基二極管內電路。
肖特基二極管結構和內電路
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