輸入級一般是由BJT(雙極性晶體管,電流控制器件)、JFET(結型場(chǎng)效應晶體管,電壓控制器件)或MOSFET(氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管)組成的差動(dòng)放大電路,主要是利用對稱(chēng)特性提高共模抑制比,它的兩個(gè)輸人端構成整個(gè)電路的反相輸入端和同相輸入端;電壓放大級的主要作用是提高電壓增益,它可由YJ或多級放大電路組成;輸出級一般由電壓跟隨器或互補電壓跟隨器構成,以降低輸出電阻,提高帶負載能力;偏置電路是為各級提供合適的工作電流。此外還有一些輔助環(huán)節。如電平移動(dòng)電路,過(guò)載保護電路以及高頻補償電路。

運算放大器(Integrated Operational Amplifier)簡(jiǎn)稱(chēng)集成運放,是一種高電壓增益、高輸入電阻和低輸出電阻的多級直接耦合放大電路。
運放內部結構
輸入級一般是由BJT(雙極性晶體管,電流控制器件)、JFET(結型場(chǎng)效應晶體管,電壓控制器件)或MOSFET(氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管)組成的差動(dòng)放大電路,主要是利用對稱(chēng)特性提高共模抑制比,它的兩個(gè)輸人端構成整個(gè)電路的反相輸入端和同相輸入端;電壓放大級的主要作用是提高電壓增益,它可由YJ或多級放大電路組成;輸出級一般由電壓跟隨器或互補電壓跟隨器構成,以降低輸出電阻,提高帶負載能力;偏置電路是為各級提供合適的工作電流。此外還有一些輔助環(huán)節。如電平移動(dòng)電路,過(guò)載保護電路以及高頻補償電路。
運放分類(lèi)
01
按工作原理
① 電壓放大型
實(shí)現電壓放大,輸出回路等效成電壓控制的電壓源。
② 電流放大型
實(shí)現電流放大,輸出回路等效成電流控制的電流源。
③ 跨導放大型
將輸入電壓轉化成輸出電流,輸出回路等效成電壓控制的電流源。
④ 互阻放大型
將輸入電流轉化成輸出電壓,輸出回路等效成電流控制的電壓源。
02
按性能
① 高阻型
特點(diǎn)是差模輸入阻抗非常高,輸入偏置電流非常小,一般rid>(109~1012)W,IIB為幾到幾十PA。適用于測量放大電路、信號發(fā)生電路、采樣——保持電路。
② 高速型
特點(diǎn)是單位增益帶寬、轉換速率SR高。適用于A(yíng)/D、D/A轉換器、鎖相環(huán)電路、視頻放大電路。
③ 高JD型
特點(diǎn)是低失調電壓、低溫漂、低噪聲、高增益。適用于微弱信號的精密測量,例如高精儀器。
④ 低功耗型
特點(diǎn)是靜態(tài)功耗低、工作電壓低。適用于便攜式儀器、空間技術(shù)、工業(yè)及軍事的遙感遙測領(lǐng)域。
⑤ 通用型
特點(diǎn)是價(jià)格低廉,性能指標要求一般都滿(mǎn)足。適用于低頻信號,簡(jiǎn)單的信號處理。
運放參數指標
01
直流指標
① 輸入失調電壓VIO及溫漂αVIO
集成運放輸出端電壓為零時(shí),兩個(gè)輸入端之間所加的補償電壓。內部電路對稱(chēng)性越好,輸入失調電壓越小,運放的性能更好;αVIO溫漂是輸入失調電壓的變化與溫度變化的比值,一般運放溫漂在?10~20μV/℃之間,精密運放的溫漂小于?1μV/℃。
② 輸入偏置電流IIB
當運放的輸出直流電壓為零時(shí),其兩輸入端的偏置電流平均值,通常IIB越小,IIO也就越小。與制造工藝有關(guān),雙極型晶體管一般為80~500nA,場(chǎng)效應管一般為1nA。
③ 輸入失調電流IIO及溫漂dVIO
當運放的輸出直流電壓為零時(shí),其兩輸入端偏置電流的差值。內部電路對稱(chēng)性越好,輸入失調電流越小,雙極型晶體管一般為20~200nA,場(chǎng)效應管一般小于1nA;輸入失調電流溫漂(TCIOS)該參數代表輸入失調電流在溫度變化時(shí)產(chǎn)生的變化量。TCIOS通常以pA/?C為單位表示。
④ 開(kāi)環(huán)差模增益Aod
集成運放無(wú)外加反饋時(shí)的放大倍數稱(chēng)為開(kāi)環(huán)差模增益,分貝數為20 lg| Aod |一般運放數值在80~120dB。
⑤ 共模抑制比KCMR
運放工作在線(xiàn)性區時(shí),差模增益與共模增益的比值,20 lg KCMR。
⑥ 電源抑制比
運放工作在線(xiàn)性區時(shí)運放輸入失調電壓隨電源電壓的變化比值。
⑦ ZD共模輸入電壓UIcmax
正常放大差模信號的情況下允許輸入的ZD共模信號,一般定義為當共模抑制比下降6dB?是所對應的共模輸入電壓作為ZD共模輸入電壓。
⑧ ZD差模輸入電壓UIdmax
運放兩輸入端允許加的ZD輸入電壓,當運放兩輸入端允許加的輸入電壓差超過(guò)ZD差模輸入電壓時(shí),會(huì )使內部PN結擊穿,造成運放輸入級損壞。
02
交流指標?
① 開(kāi)環(huán)帶寬fH
開(kāi)環(huán)帶寬fH是使直流開(kāi)環(huán)差模增益Aod下降3dB(直流增益的0.707)的信號頻率。實(shí)際值為GBW=Gain*f。
② 單位增益帶寬fc
表示差模電壓放大倍數Aod下降到0dB(直流開(kāi)環(huán)差模增益Aod=1)的頻率。一般在1MHz左右。
③ 轉換速率(又稱(chēng)壓擺率)SR
SR是在大信號作用下輸出電壓在單位時(shí)間變化量的ZD值,也表示運算放大器對突變信號的適應能力。要求信號幅值越大、頻率越高的情況下,壓擺率SR越大。實(shí)際值為2*π*f*Vin*Gain。
④ 共模輸入阻抗
該參數表示運算放大器工作在線(xiàn)性區時(shí),輸入共模電壓范圍與該范圍內偏置電流的變化量之比。低頻時(shí),表現為共模電阻,典型值在108歐以上。
⑤ 差模輸入阻抗(也稱(chēng)為輸入阻抗)rid
該參數表示輸入電壓的變化量與相應的輸入電流變化量之比,電壓的變化導致電流的變化。差模輸入阻抗越大,信號索取電流越小。
⑥ 輸出阻抗
該參數是指運算放大器工作在線(xiàn)性區時(shí),輸出端的內部等效小信號阻抗。
⑦ 全功率帶寬BW
在額定的負載時(shí),運放的閉環(huán)增益為1倍條件下(直流開(kāi)環(huán)差模增益Aod=1),將一個(gè)恒幅正弦大信號輸入到運放的輸入端,使運放的幅度ZD時(shí)的頻率。全功率帶寬=轉換速率/2πVop(Vop是運放的峰值輸出幅度)。
⑧ 靜態(tài)功耗
表示無(wú)信號條件下運放的耗電程度。當電源電壓為?15V時(shí),靜態(tài)功耗雙極型晶體管一般為50~100mW,場(chǎng)效應管一般為1mW。
⑨ 建立時(shí)間
在額定的負載時(shí),運放的閉環(huán)增益為1倍條件下(直流開(kāi)環(huán)差模增益Aod=1),將一個(gè)階躍大信號輸入到運放的輸入端,使運放輸出由0增加到某一給定值的所需要的時(shí)間。
⑩ 輸入電壓噪聲密度(eN)、輸入電流噪聲密度(iN)
噪聲分量。
運放計算思想
虛短與虛斷是分析運放的基本點(diǎn)。(引入負反饋)
01
虛短
虛短指在理想情況下,兩個(gè)輸入端的電位相等,就好像兩個(gè)輸入端短接在一起,但事實(shí)上并沒(méi)有短接,稱(chēng)為“虛短”。虛短的必要條件是運放引入深度負反饋。集成運放的線(xiàn)性應用時(shí),可近似地認為uN-uP=0,uN=uP時(shí),即反相與同相輸入端之間相當于短路,故稱(chēng)虛假短路,簡(jiǎn)稱(chēng)“虛短”。
02
虛斷
虛斷指在理想情況下,流入集成運算放大器輸入端電流為零。這是由于理想運算放大器的輸入電阻無(wú)限大,就好像運放兩個(gè)輸入端之間開(kāi)路。但事實(shí)上并沒(méi)有開(kāi)路,稱(chēng)為“虛斷”。當兩個(gè)輸入端的輸入電流為零,即iN=iP=0時(shí),可認為反相與同相輸入端之間相當于斷路,稱(chēng)為虛假斷路,簡(jiǎn)稱(chēng)“虛斷”。
運放保護措施
集成運放的安全保護有三個(gè)方面:電源保護、輸入保護和輸出保護。
01
電源保護
電源的常見(jiàn)故障是電源極性接反和電壓跳變。電源反接保護和電源電壓突變保護。

02
輸入保護
集成運放的輸入差模電壓過(guò)高或者輸入共模電壓過(guò)高(超出該集成運放的極限參數范圍),集成運放也會(huì )損壞。

03
輸出保護
集成運放過(guò)載或輸出端短路時(shí),若沒(méi)有保護電路,該運放就會(huì )損壞。有些集成運放內部設置了限流保護或短路保護 。

運算放大器六條軍規
運算放大器作為Z通用的模擬器件,廣泛用于信號變換調理、ADC采樣前端、電源電路等場(chǎng)合中。雖然運放外圍電路簡(jiǎn)單,不過(guò)在使用過(guò)程中還是有很多需要注意的地方。
01
注意輸入電壓是否超限
以ADI器件為例,ADI的數據表中的輸入電氣特性可以看到在電源電壓?15V的條件下,輸入電壓的范圍是?13.5V,如果輸入電壓超出范圍,那么運放就會(huì )工作不正常,出現一些意料不到的情況。有一些運放標注的不是輸入電壓范圍,而是共模輸入電壓范圍,如TI的TLC2272在單電源 5V的條件下,共模輸入范圍是0-3.5V.其實(shí)由于運放正常工作時(shí),同相端和反相端輸入電壓基本是一致的(虛短虛斷),所以“輸入電壓范圍”與“共模輸入電壓范圍”都是一樣的意思。
02
不要在運放輸出直接并接電容
在直流信號放大電路中,有時(shí)候為了降低噪聲,直接在運放輸出并接去耦電容。雖然放大的是直流信號,但是這樣做是很不安全的。當有一個(gè)階躍信號輸入或者上電瞬間,運放輸出電流會(huì )比較大,而且電容會(huì )改變環(huán)路的相位特性,導致電路自激振蕩,這是我們不愿意看到的。
正確的去耦電容應該要組成RC電路,就是在運放的輸出端先串入一個(gè)電阻,然后再并接去耦電容。這樣做可以大大削減運放輸出瞬間電流,也不會(huì )影響環(huán)路的相位特性,可以避免振蕩。
03
不要在放大電路反饋回路并接電容
同樣是一個(gè)用于直流信號放大的電路,為了去耦,不小心把電容并接到了反饋回路,反饋信號的相位發(fā)生了改變,很容易就會(huì )發(fā)生振蕩。所以,在放大電路中,反饋回路不能加入任何影響信號相位的電路。由此延伸至穩壓電源電路,并接在反饋腳的電容是錯誤的。為了降低紋波,可以把電容與反饋電阻并聯(lián),適當增大紋波的負反饋作用,抑制輸出紋波。
04
注意運放的輸出擺幅
任何運放都不可能是理想運放,輸出電壓都不可能達到電源電壓,一般基于MOS的運放都是軌對軌運放,在空載情況下輸出可以達到電源電壓,但是輸出都會(huì )帶一定的負載,負載越大,輸出降落越多。
05
注意反饋回路的Layout
反饋回路的元器件必須要靠近運放,而且PCB走線(xiàn)要盡量短,同時(shí)要盡量避開(kāi)數字信號、晶振等干擾源。反饋回路的布局布線(xiàn)不合理,則會(huì )容易引入噪聲,嚴重會(huì )導致自激振蕩。
06
要重視電源濾波
運放的電源濾波不容忽視,電源的好壞直接影響輸出。特別是對于高速運放,電源紋波對運放輸出干擾很大,弄不好就會(huì )變成自激振蕩。所以Z好的運放濾波是在運放的電源腳旁邊加一個(gè)0.1uF的去耦電容和一個(gè)幾十uF的鉭電容,或者再串接一個(gè)小電感或者磁珠,效果會(huì )更好。 |