Yole 最近的研究報告指出，中國大陸市場(chǎng)存儲芯片的崛起、倒裝芯片 DRAM 和 3D 堆疊技術(shù)的發(fā)展，將會(huì )給本土封裝廠(chǎng)商帶來(lái)重大利好。
數據顯示，從市場(chǎng)份額來(lái)看，2020 年到 2026 年，整體存儲封裝市場(chǎng)將以 7% 的復合年增長(cháng)率增長(cháng)，至 2026 年將達到 198 億美元。
DRAM 封裝將是 2026 年最重要的存儲封裝領(lǐng)域，屆時(shí)將占有 70% 的市場(chǎng)份額。
從長(cháng)遠來(lái)看，NAND 和 DRAM 封裝收入在 2020 年到 2026 年之間的復合年增長(cháng)率顯著(zhù)，分別為 4% 和 9%。
從技術(shù)層面看，Wirebond（引線(xiàn)鍵合）之后，倒裝芯片將在 2026 年占據存儲封裝市場(chǎng)的最大份額，為 34%，主要用于 DRAM 封裝。
預計標準晶圓級芯片級封裝（WLCSP）的收入將在 2020-2026 年以 14% 的復合年增長(cháng)率增長(cháng)，但到 2026 年，就價(jià)值而言，其市場(chǎng)份額將僅占約 1%。
2026 年，Wirebond 分立式和多芯片將主導存儲封裝市場(chǎng)，其次是倒裝芯片。Wirebond 是 NAND 和移動(dòng) DRAM 最常見(jiàn)的封裝技術(shù)。
隨著(zhù)摩爾定律的持續放緩和新的先進(jìn)封裝技術(shù)的興起，后端處理變得越來(lái)越重要。
從供應鏈上看，2020 年，大約 68% 的存儲封裝收入來(lái)自 IDM 玩家。剩下的 32% 則由 OSAT 產(chǎn)生。
中國大陸的存儲封裝是 OSAT 廠(chǎng)商的關(guān)鍵商機。
中國大陸崛起的存儲制造商長(cháng)江存儲 (NAND) 和長(cháng)鑫存儲 (DRAM) 將所有封裝外包給 OSAT 廠(chǎng)商。
▲ 2020-2026 年存儲封裝市場(chǎng)收入分類(lèi)：IDM vs OSAT
其中橙色代表 IDM，黃色代表為非中國大陸 IDM 廠(chǎng)商做封裝的 OSAT 廠(chǎng)商，綠色代表為中國大陸 IDM 廠(chǎng)商做封裝的 OSAT 廠(chǎng)商
“在以數據為中心的現代社會(huì )中，存儲是一個(gè)關(guān)鍵市場(chǎng)，受到移動(dòng)端、云計算、人工智能和物聯(lián)網(wǎng)等重要大趨勢的推動(dòng)”，來(lái)自 Yole 的分析師 Simone Bertolazzi 斷言�！八羞@些都在推動(dòng)所謂的‘數據生成爆炸’，并正在塑造未來(lái)幾年存儲需求的強勁增長(cháng)”。
NAND 和 DRAM 是主力存儲技術(shù)，合計占整體獨立存儲市場(chǎng)收入的約 96%。
Yole 半導體和軟件部門(mén) NAND 和存儲器研究副總裁 Walt Coon 解釋說(shuō)，“在 2020 年到 2026 年，NAND 和 DRAM 收入預計將分別以 9% 和 15% 的復合年增長(cháng)率增長(cháng)，到 2026 年分別達到 930 億美元和 1550 億美元�！�
存儲封裝市場(chǎng)遵循與獨立存儲市場(chǎng)相同的趨勢，因此將受益于存儲需求的強勁長(cháng)期增長(cháng)以及持續的晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能擴張。
Simone Bertolazzi 評論道：“我們預計用于存儲芯片的晶圓總量將從 2020 年的 3550 萬(wàn)片增長(cháng)到 2026 年的 5000 萬(wàn)片，2020 年至 2026 年間的復合年增長(cháng)率為 6%，而同一時(shí)期存儲封裝的數量復合年增長(cháng)率為 5%�！�
2020 年整體存儲封裝市場(chǎng)規模為 131 億美元，相當于獨立存儲市場(chǎng)的 10% 左右。
Yole 半導體和軟件部門(mén) DRAM 和存儲研究副總裁 Mike Howard 補充道：“就封裝收入而言，DRAM 是 2020 年領(lǐng)先的存儲技術(shù)，占有 63% 的份額，而引線(xiàn)鍵合是主要的封裝方法, 主要用于移動(dòng)應用程序�！�
▲ 2020-2026 年存儲封裝市場(chǎng)收入變化
與獨立存儲市場(chǎng)價(jià)格波動(dòng)較大的特點(diǎn)不同，存儲封裝市場(chǎng)較為穩定，因為大部分業(yè)務(wù)是在 IDM 廠(chǎng)商內部進(jìn)行的。Yole 估計，2020 年大約 68% 的存儲封裝收入來(lái)自 IDM 廠(chǎng)商，其余 32% 來(lái)自 OSAT 廠(chǎng)家。
中國大陸 OSAT 廠(chǎng)商迎來(lái)新機遇
中國大陸崛起的存儲 IDM 廠(chǎng)商，長(cháng)江存儲和長(cháng)鑫存儲，分別正在迅速增加其 NAND 和 DRAM 晶圓的產(chǎn)量。這兩家公司沒(méi)有完善的內部封裝能力，必須將所有封裝外包給 OSAT 廠(chǎng)商。這對 OSAT 廠(chǎng)商來(lái)說(shuō)是一個(gè)獨特的商機，尤其是對那些在中國大陸的 OSAT 廠(chǎng)商。
根據 Yole 關(guān)于存儲封裝的報告，來(lái)自中國大陸大陸本土的存儲供應商對 OSAT 廠(chǎng)商的收入貢獻可以從 2020 年的不到 1 億美元增長(cháng)到 2026 年的約 11 億美元。這相當于 2020 年至 2026 年的復合年增長(cháng)率為 55%。
中國大陸的 OSAT 廠(chǎng)商將首先受益于這個(gè)機會(huì )。中國大陸 OSAT 領(lǐng)域的三個(gè)主要玩家長(cháng)電科技、通富微電和華天科技正準備加入競爭。
▲ 存儲封裝方法從引線(xiàn)框架演變?yōu)榛?TSV 和混合鍵合的高級封裝
還需要注意的是，目前有兩個(gè)相反的趨勢正在影響存儲封裝業(yè)務(wù)：一方面，中國大陸存儲產(chǎn)量的增加正在推動(dòng) OSAT 收入的增長(cháng)；另一方面，IDM 正在增加其內部后端能力，特別是對于高級封裝工藝，以減少對 OSAT 的外包。 |
