氮化鎵（GaN）功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導者納微半導體（Navitas Semiconductor）（納斯達克股票代碼：NVTS）宣布推出新一代采用GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片。GaNSense技術(shù)集成了關(guān)鍵、實(shí)時(shí)、智能的傳感和保護電路，進(jìn)一步提高了納微半導體在功率半導體行業(yè)領(lǐng)先的可靠性和穩健性，同時(shí)增加了納微氮化鎵功率芯片技術(shù)的節能和快充優(yōu)勢。
氮化鎵（GaN）是下一代半導體材料，氮化鎵器件的開(kāi)關(guān)速度比傳統的硅器件快20倍，在尺寸和重量減半的情況下，可實(shí)現高達3倍的功率和3倍的充電速度。納微半導體的GaNFast™氮化鎵功率芯片集成了氮化鎵器件和驅動(dòng)以及保護和控制功能，提供簡(jiǎn)單、小型、快速和高效的性能表現。
GaNSense技術(shù)集成了對系統參數的實(shí)時(shí)、準確和快速感應，包括電流和溫度的感知。這項技術(shù)實(shí)現了正在申請專(zhuān)利的無(wú)損耗電流感應能力。與前幾代產(chǎn)品相比，GaNSense 技術(shù)可額外提高10%的節能效果，并能夠進(jìn)一步減少外部元件數量，縮小系統的尺寸。此外，如果氮化鎵功率芯片識別到有潛在的系統危險，該芯片將迅速過(guò)渡到逐個(gè)周期的關(guān)斷狀態(tài)，以保護器件和周?chē)到y。GaNSense技術(shù)還集成了智能待機降低功耗功能，在氮化鎵功率芯片處于空閑模式時(shí)，自動(dòng)降低待機功耗，有助于進(jìn)一步降低功耗。這對越來(lái)越多積極追求環(huán)保的客戶(hù)來(lái)說(shuō)尤為重要。
憑借業(yè)界最嚴格的電流測量精度和GaNFast響應時(shí)間，GaNSense技術(shù)縮短50%的危險時(shí)間，危險的過(guò)電流峰值降低50%。GaNFast氮化鎵功率芯片單片集成提供了可靠的、無(wú)故障的操作，沒(méi)有 "振鈴"，從而提高了系統可靠性。
納微半導體聯(lián)合創(chuàng )始人兼首席運營(yíng)官/首席技術(shù)官Dan Kinzer表示：“從檢測到保護只需30納秒，GaNSense技術(shù)比分立式的氮化鎵功率芯片的實(shí)現方案快 600%。納微半導體下一代采用GaNSense技術(shù)的GaNFast氮化鎵功率芯片產(chǎn)品，對潛在的系統故障模式提供了高度準確和有效的防護。再加上對高達800V的瞬態(tài)電壓的免疫力以及嚴格的柵極波形控制和電壓調節，這些功能只有通過(guò)我們專(zhuān)有的工藝設計套件才能實(shí)現，重新定義了功率半導體中可靠性、堅固性和性能的新標準�！�
采用 GaNSense 技術(shù)的新一代納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片有十個(gè)型號，他們都集成了氮化鎵功率器件、氮化鎵驅動(dòng)、控制和保護的核心技術(shù)，所有產(chǎn)品的額定電壓為650V/800V，具有2kV ESD保護。新的GaNFast功率芯片的RDS(ON)范圍為120至450毫歐，采用5 x 6 mm或6 x 8 mm PQFN封裝，具有GaNSense保護電路和無(wú)損電流感應。作為納微第三代氮化鎵功率芯片，針對現代電源轉換拓撲結構進(jìn)行了優(yōu)化，包括高頻準諧振反激式（HFQR）、有源鉗位反激式（ACF）和PFC升壓，這些都是移動(dòng)和消費市場(chǎng)內流行的提供最快、最高效和最小的充電器和適配器的技術(shù)方法。
目標市場(chǎng)包括智能手機和筆記本電腦的快充充電器，估計每年有20億美元的氮化鎵市場(chǎng)機會(huì )，以及每年20億美元的消費市場(chǎng)機會(huì )，包括一體機、電視、家庭網(wǎng)絡(luò )和自動(dòng)化設備。GaNSense技術(shù)已被用于部分一線(xiàn)消費電子品牌的氮化鎵充電器上。
到目前為止，已經(jīng)有超過(guò)3000萬(wàn)顆納微GaNFast氮化鎵功率芯片出貨，在現場(chǎng)測試實(shí)現了超過(guò)1160億個(gè)設備小時(shí)，并且沒(méi)有任何關(guān)于GaN現場(chǎng)故障的報告。與傳統的硅功率芯片相比，每顆出貨的GaNFast氮化鎵功率芯片可以減少碳足跡 4-10 倍，可節省4千克的二氧化碳排放。
采用GaNSense技術(shù)的新一代納微GaNFast功率芯片將在以下活動(dòng)中公開(kāi)展示。
· 11月8日: WiPDA 2021演講（線(xiàn)上），演講人：納微半導體首席運營(yíng)官/首席技術(shù)官和聯(lián)合創(chuàng )始人，Dan Kinzer
· 11月14日: 中國電源學(xué)會(huì )第二十四屆學(xué)術(shù)年會(huì )的納微半導體衛星會(huì )議(上海，線(xiàn)下)，演講人 納微半導體應用工程總監，黃秀成博士
· 11月18日: PSMA電力技術(shù)路線(xiàn)圖演講（線(xiàn)上），演講人：納微半導體首席運營(yíng)官/首席技術(shù)官和聯(lián)合創(chuàng )始人，Dan Kinzer
采用GaNSense技術(shù)的新一代GaNFast氮化鎵功率芯片已開(kāi)始批量生產(chǎn)，并可立即供貨。新的GaNSense技術(shù)的全部技術(shù)細節，包括數據表、鑒定數據、應用說(shuō)明和樣品，可在簽署保密協(xié)議后提供給客戶(hù)合作伙伴。 |
