東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）今日宣布，推出其面向20V電源線(xiàn)路的新款“TCK42xG系列”MOSFET柵極驅動(dòng)IC中的首款產(chǎn)品---“TCK421G”。該系列器件專(zhuān)門(mén)用于控制外部N溝道MOSFET的柵極電壓（基于輸入電壓），同時(shí)具備過(guò)壓鎖定功能。新產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。
通過(guò)與背對背連接的外部N溝道MOSFET相配合，TCK421G適用于配置具有反向電流阻斷功能的電源多路復用器電路或負載開(kāi)關(guān)電路。它內置電荷泵電路，支持2.7V至28V的寬輸入電壓范圍，經(jīng)過(guò)間歇操作，為外部MOSFET的柵極-源極電壓提供穩定電壓。這種方式允許大電流的切換。
TCK421G采用WCSP6G[1]封裝，是行業(yè)最小的封裝之一[2]。這便于TCK421G在可穿戴設備和智能手機等小型設備上實(shí)現高密度貼裝，從而縮小上述設備的尺寸。
東芝將繼續開(kāi)發(fā)TCK42xG系列，并計劃推出總共六款產(chǎn)品。TCK42xG系列的過(guò)壓鎖定將支持5V至24V的輸入電壓�？商峁�5.6V和10V兩種類(lèi)型的柵極輸出電壓，用于外部MOSFET中不同的柵源電壓。過(guò)壓鎖定和柵極輸出電壓可以根據用戶(hù)具體設備進(jìn)行選擇。
Ø 應用：
- 可穿戴設備
- 智能手機
- 筆記本電腦、平板電腦
- 存儲設備等
Ø 新產(chǎn)品系列特性：
- 內置電荷泵電路，柵極-源極電壓（5.6V、10V）取決于輸入電壓
- 過(guò)壓鎖定支持5V至24V
- 低輸入關(guān)斷電流：當VIN=5V，Ta＝-40℃至85℃時(shí)，IQ(OFF)＝0.5μA（最大值）
Ø 主要規格：
（除非另有說(shuō)明，Ta＝25℃）
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器件型號
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TCK421G
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封裝
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名稱(chēng)
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WCSP6G
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尺寸（mm）
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1.2×0.8（典型值）
厚度＝0.35（最大值）
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工作范圍
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輸入電壓VIN（V）
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當Ta＝-40℃至85℃時(shí)
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2.7至28
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電氣特性
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VIN UVLO閾值，Vout下降
VIN_UVLO典型值／最大值（V）
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當Ta＝-40℃至85℃時(shí)，VIN_UVLO最大值
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2.0／2.5
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VIN UVLO滯后
VIN_UVhyst典型值（V）
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–
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0.2
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VIN OVLO閾值，
Vout下降
VIN_OVLO最小值／最大值（V）
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當Ta＝-40℃至85℃時(shí)
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22.34／24.05
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VIN OVLO滯后
VIN_OVhyst典型值（V）
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–
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0.12
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輸入靜態(tài)電流
（通態(tài)）[3]
IQ(ON)典型值（μA）
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當VIN＝5V時(shí)
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140
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當VIN＝12V時(shí)
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185
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待機電流（關(guān)斷）
IQ(OFF)最大值（μA）
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當VIN＝5V，Ta＝-40℃至85℃時(shí)
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0.5
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當VIN＝12V，Ta＝-40℃至85℃時(shí)
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0.9
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柵極驅動(dòng)電壓
（VGATE1-VIN）
（VGATE2-VIN）
VGS最小值／典型值／最大值（V）
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當VIN＝2.7V時(shí)
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8／9.2／10
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當VIN＝5V時(shí)
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9／10／11
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當VIN＝9V時(shí)
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9／10／11
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當VIN＝12V時(shí)
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9／10／11
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當VIN＝20V時(shí)
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9／10／11
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VGS導通時(shí)間
tON典型值（ms）
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當VIN＝5V時(shí)，
CGATE1,2＝4000pF
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2.9
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VGS關(guān)斷時(shí)間
tOFF典型值（μs）
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VIN＝5V，
當CGATE1,2＝4000pF時(shí)
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52
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OVLO VGS關(guān)斷時(shí)間
tOVP典型值（μs）
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當CGATE1,2＝4000pF時(shí)
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34
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庫存查詢(xún)與購買(mǎi)
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在線(xiàn)購買(mǎi)
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注：
[1] 1.2mm×0.8mm
[2] 在MOSFET柵極驅動(dòng)IC中。截至2022年2月的東芝調查。
[3] 不含控制端電流（ICT）。 |
