沒(méi)有時(shí)間？那就從這里開(kāi)始吧！這個(gè)快速列表概述了這本書(shū)的要點(diǎn)。閱讀本章節要點(diǎn)，如果有您感興趣的內容，可在之前章節中查看完整的闡述說(shuō)明。

» 氮化鎵 (GaN) 是一種高性能化合物半導體。GaN 是一種 III-V 直接帶隙化合物半導體，就像砷化鎵 (GaAs) 一樣�；�合物半導體可在許多微波射頻 (RF) 應用領(lǐng)域中提供速度和功率的出色組合解決方案。

» GaN 可為射頻應用帶來(lái)獨特的優(yōu)勢。GaN 獨特的材料屬性可為射頻系統提供高功率附加效率 (PAE)、高功率輸出、小巧外形、寬帶寬、熱優(yōu)勢和堅固耐用等優(yōu)勢。

» 許多商業(yè)、國防和航空系統都使用 GaN。GaN 獨特的優(yōu)勢支持許多新的和現有的應用，包括雷達、衛星通信、商業(yè)無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )和有線(xiàn)電視。

» GaN 對 5G 至關(guān)重要。為滿(mǎn)足 5G 對數千兆網(wǎng)速和超低延遲性能的要求，設備制造商開(kāi)始在大規模多路輸入 / 多路輸出 (MIMO) 系統中部署高功率 GaN。

» GaN 可用于整個(gè)射頻前端。GaN 最初用于制造功率放大器 (PA)，但現在用于低噪聲放大器 (LNA)、高功率開(kāi)關(guān)和混頻器。

» 多種 GaN 工藝和封裝選項支持不同的應用。GaN 半導體制造商已經(jīng)開(kāi)發(fā)了多種工藝和封裝選項，使系統設計人員能夠更輕松地找到適合其特定應用的分立元件、單芯片微波集成電路 (MMIC) 或模塊。

» GaN 極其可靠，即使在惡劣的環(huán)境下亦是如此。GaN 在 200℃溫度條件下，平均無(wú)故障時(shí)間 (MTTF) 超過(guò) 1000 萬(wàn)小時(shí) ；在 225℃ 溫度條件下，MTTF 超過(guò) 100 萬(wàn)小時(shí)，比其他半導體技術(shù)更加可靠。

» GaN 可用于大批量生產(chǎn)應用。美國國防部 (DOD) 將 GaN 歸類(lèi)為最高級別制造成熟度 (MRL)（即 MRL 10）的工藝，這意味著(zhù)全速生產(chǎn)和精益生產(chǎn)實(shí)踐已經(jīng)就緒。

» GaN 正在開(kāi)拓新市場(chǎng)。由于其獨特的性能，GaN 開(kāi)始擴展到許多新的領(lǐng)域，包括汽車(chē)、醫療系統和先進(jìn)的科學(xué)應用。

» GaN 技術(shù)將繼續發(fā)展。未來(lái) GaN 技術(shù)和封裝方面的創(chuàng )新將支持更高的頻率、更高的電壓，甚至更寬的帶寬，從而進(jìn)一步推動(dòng) GaN 的普及。