英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的CoolSiC產(chǎn)品被總部位于臺灣的全球領(lǐng)先的電源管理及散熱解決方案提供商臺達電子選用，使得臺達電子向著(zhù)利用綠色電力實(shí)現能源轉型和碳中和的目標邁出了一大步。臺達成功開(kāi)發(fā)出了雙向逆變器，即一個(gè)由太陽(yáng)能發(fā)電、儲能和電動(dòng)汽車(chē)（EV）充電組成的三合一混合系統，它能夠將電動(dòng)汽車(chē)作為家庭應急備用電源。

這款雙向逆變器可用于為電動(dòng)汽車(chē)（EV）和家用電池充電，還能作為意外停電時(shí)的備用電源，以及高效綠色能源發(fā)電設備的核心組件。該雙向逆變器搭載了英飛凌的1200 V M1H CoolSiC EasyPACK 1B模塊和采用 D²PAK -7L，7引腳封裝的1200 V CoolSiC MOSFET（一種表面貼裝器件）。它將三個(gè)應用整合在一起，在一個(gè)尺寸僅為425 x 865 x 160mm的緊湊封裝中實(shí)現了三合一系統的設計，具有重要的里程碑意義。該系統的輸出功率約為10 kW，允許通過(guò)的最大連續電流為34 A，峰值效率可以超過(guò)97.5%。

CoolSiC MOSFET Easy 1B

臺達光伏逆變器事業(yè)部主管李雷鳴表示：“英飛凌多年來(lái)一直引領(lǐng)著(zhù)功率半導體的發(fā)展，致力于進(jìn)一步提高電源管理效率，是一個(gè)值得信賴(lài)的合作伙伴。借助英飛凌的功率半導體器件，我們能夠將三種應用整合到一個(gè)系統中，向著(zhù)綠色能源的發(fā)展目標邁出了一大步�！�

英飛凌科技工業(yè)功率控制事業(yè)部總裁Peter Wawer博士表示：“該項目是邁向碳中和道路上的一座重要里程碑，我們十分榮幸能夠成為該項目的重要參與者。我們期待著(zhù)臺達能夠與英飛凌長(cháng)期合作。英飛凌的功率半導體器件在這套智慧能源解決方案中發(fā)揮了重要作用，對此我們深感自豪�！�

創(chuàng )建這套三合一系統用到的重要組件包括：帶有NTC溫度傳感器、采用了壓接工藝的1200 V M1H CoolSiC EasyPACK 1B模塊（F4-23MR12W1M1_B11）。該模塊可提供超高的設計靈活性和高電流密度。同時(shí)，該模塊采用了領(lǐng)先的封裝技術(shù)，與CoolSiC MOSFET配合使用，實(shí)現了低電感設計以及極小的開(kāi)關(guān)和導通損耗。它支持客戶(hù)實(shí)現高開(kāi)關(guān)頻率設計，可以讓系統設計得更加小巧。EasyPACK模塊能夠幫助客戶(hù)縮短新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)間，降低總體成本。

該系統還采用了英飛凌的其他幾款半導體器件，其中包括采用了CoolMOS C7和TRENCHSTOP 5 IGBT技術(shù)的半導體器件，以及采用D²PAK -7L，7引腳表面貼裝封裝的1200V CoolSiC MOSFET（IMBG120R350M1H）。后者采用.XT互連技術(shù)，具有與同類(lèi)產(chǎn)品相比更加出色的熱性能，并且采用了開(kāi)爾文源極概念。這些功率器件憑借其優(yōu)勢確保了極低的開(kāi)關(guān)損耗，提高了系統效率。

CoolSiC MOSFET D2PAK 7-pin

SiC MOSFET提供3 µs的短路能力，并且MOSFET提供全壓擺率（dV/dt）控制以及4.5 V基準柵極閾值電壓（VGS(th)）。它們還具備強大的抗寄生導通能力，可在0 V關(guān)斷電壓下運行。此外，這些MOSFET還包含支持硬換流的強大的體二極管。封裝的爬電距離和電氣間隙為6.1 mm。由于采用SMD封裝, 這些MOSFET可以直接集成到具有自然對流冷卻功能的PCB上，因此無(wú)需額外的散熱器。