2022年10月11日，致力于亞太地區市場(chǎng)的領(lǐng)先半導體元器件分銷(xiāo)商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下世平推出基于安森美（onsemi）NCP81075 MOSFET驅動(dòng)器和運算放大器的直流無(wú)刷電機（BLDC）驅動(dòng)器方案。
圖示1-大聯(lián)大世平基于onsemi產(chǎn)品的直流無(wú)刷電機（BLDC）驅動(dòng)器方案的展示板圖
隨著(zhù)應用智能化趨勢日益顯著(zhù)，無(wú)刷直流電機的高能效、長(cháng)壽命等優(yōu)勢逐漸被市場(chǎng)認知，并廣泛運用在各種領(lǐng)域之中。據相關(guān)統計顯示，近幾年無(wú)刷直流電機行業(yè)收入逐年增加，電機市場(chǎng)以交流電機、有刷直流電機為主的格局正在被無(wú)刷直流電機所打破。在這種趨勢下，大聯(lián)大世平基于onsemi NCP81075 MOSFET驅動(dòng)器和運算放大器推出了直流無(wú)刷電機（BLDC）驅動(dòng)器方案，可廣泛應用于空調外機和自動(dòng)化制造中。
圖示2-大聯(lián)大世平基于onsemi產(chǎn)品的直流無(wú)刷電機（BLDC）驅動(dòng)器方案的場(chǎng)景應用圖
本方案采用NCP81075來(lái)做直流無(wú)刷電機的驅動(dòng)元件，NCP81075是一款高性能的雙MOSFET柵極驅動(dòng)器，其能夠承受的最高電壓可達180V，非常適用于在高電壓下運行的MOSFET/IGBT驅動(dòng)應用。器件內部集成了驅動(dòng)IC和片上自舉二極管，消除了外部離散二極管的需要。并且該器件的Low-side和High-side端可以獨立控制，在彼此的開(kāi)啟和關(guān)閉之間匹配了4ns的延遲時(shí)間。此外，NCP81075也提供獨立的欠電壓鎖定保護機制，當驅動(dòng)電壓低于特定閾值電壓時(shí)，Low-side和High-side端驅動(dòng)器會(huì )強制輸出低電平以保護電路。
除了NCP81075外，本方案還應用了NCS20166和NCS21911運算放大器。其中，NCS20166用來(lái)監測電流，其具有軌對軌的輸入和輸出能力，以及10MHz頻帶寬度。這種低靜態(tài)電流、低噪聲放大器經(jīng)過(guò)微調，可為電路提供極低的輸入偏移電壓。NCS21911是高精度運算放大器，具有低輸入偏移電壓以及極低的零點(diǎn)漂移特性。
圖示3-大聯(lián)大世平基于onsemi產(chǎn)品的直流無(wú)刷電機（BLDC）驅動(dòng)器方案的方塊圖
得益于這些高效能器件，此直流無(wú)刷電機（BLDC）驅動(dòng)器方案可提供高達1KW的應用功率，為電機系統帶來(lái)高效能和可靠性的同時(shí)，緊湊電機設計，是廣大電機工程師的理想選擇。
核心技術(shù)優(yōu)勢：
NCP81075
• 在高端和低端驅動(dòng)兩個(gè)N溝道MOSFET配置；
• 浮動(dòng)頂部驅動(dòng)器可承受高達180V的升壓電壓；
• 開(kāi)關(guān)頻率高達1MHz；
• 20ns傳播延遲時(shí)間；
• UVLO保護；
• 規定溫度范圍為-40℃至140℃。
NCS21911
• 輸入偏移電壓：最大±25μV；
• 零漂移偏移電壓：最大±0.085V/℃；
• 單位頻寬：2MHz；
• 操作電壓：4~36V。
NCS20166
• 輸入偏移電壓：最大550μV（Vs=5V）；
• 單位頻寬：10MHz；
• 操作電壓：3~5.5V；
• 軌對軌輸入和輸出。
方案規格：
• 輸入紋波：2.6V（@1200W）；
• 自舉紋波：2800mV（@1200W）；
• 最大溫度：73℃；
• OCP限制（HW）：45A；
• 測試速度：3000RPM；
• PWM頻率：20KHz（@1200W Load）；
• 最大功率：1200W（功率級輸出）；
• 測試電壓：96V。 |
