非常有助于提高無(wú)線(xiàn)耳機和可穿戴設備等小而薄設備的效率和運行安全性！
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開(kāi)發(fā)出一款小型且高效的20V耐壓Nch MOSFET*1“RA1C030LD”，該產(chǎn)品非常適用于可穿戴設備、無(wú)線(xiàn)耳機等可聽(tīng)戴設備、智能手機等輕薄小型設備的開(kāi)關(guān)應用。
近年來(lái)，隨著(zhù)小型設備向高性能化和多功能化方向發(fā)展，設備內部所需的電量也呈增長(cháng)趨勢，電池尺寸的增加，導致元器件的安裝空間越來(lái)越少。另外，電池的尺寸增加也是有限制的，為了更有效地利用有限的電池電量，就需要減少用電元器件的功率損耗。
針對這種需求，開(kāi)發(fā)易于小型化而且特性?xún)?yōu)異的晶圓級芯片尺寸封裝的MOSFET已逐漸成為業(yè)界主流。ROHM利用其本身也是IC制造商的優(yōu)勢，通過(guò)靈活運用其IC工藝，大大降低了在以往分立器件的工藝中會(huì )增加的布線(xiàn)電阻，開(kāi)發(fā)出功率損耗更低的小型功率MOSFET。
新產(chǎn)品采用融入了ROHM自有IC工藝的晶圓級芯片尺寸封裝*2DSN1006-3（1.0mm×0.6mm），在實(shí)現小型化的同時(shí)還降低了功耗。與相同封裝的普通產(chǎn)品相比，表示導通損耗和開(kāi)關(guān)損耗之間關(guān)系的指標（導通電阻*3×Qgd*4）改善了20%左右，達到業(yè)內先進(jìn)水平（1.0mm×0.6mm以下封裝產(chǎn)品比較），非常有助于縮減各種小型設備電路板上的元器件所占面積并進(jìn)一步提高效率。另外，還采用ROHM自有的封裝結構，使側壁有絕緣保護（相同封裝的普通產(chǎn)品沒(méi)有絕緣保護）。在受空間限制而不得不高密度安裝元器件的小型設備中，使用這款新產(chǎn)品可降低因元器件之間的接觸而導致短路的風(fēng)險，從而有助于設備的安全運行。
新產(chǎn)品已于2022年11月開(kāi)始暫以月產(chǎn)1,000萬(wàn)個(gè)（樣品價(jià)格100日元/個(gè)，不含稅）的規模投入量產(chǎn)。另外，新產(chǎn)品已經(jīng)開(kāi)始通過(guò)電商進(jìn)行銷(xiāo)售，通過(guò)Oneyac，Sekorm等電商平臺均可購買(mǎi)。
ROHM將繼續開(kāi)發(fā)導通電阻更低、尺寸更小的產(chǎn)品，通過(guò)進(jìn)一步提高各種小型設備的效率，來(lái)為解決環(huán)保等社會(huì )課題貢獻力量。
＜新產(chǎn)品的主要特性＞
＜應用示例＞
◇無(wú)線(xiàn)耳機等可聽(tīng)戴設備
◇智能手表、智能眼鏡、運動(dòng)相機等可穿戴設備
◇智能手機
此外，還適用于其他各種輕薄小型設備的開(kāi)關(guān)應用。
＜電商銷(xiāo)售信息＞
起售時(shí)間：2022年11月開(kāi)始
網(wǎng)售平臺： Oneyac，Sekorm
在其他電商平臺也將逐步發(fā)售。
＜術(shù)語(yǔ)解說(shuō)＞
*1) Nch MOSFET
通過(guò)向柵極施加相對于源極為正的電壓而導通的MOSFET。
相比Pch MOSFET，其漏源間的導通電阻更小，因此可減少常規損耗。
*2) 晶圓級芯片尺寸封裝
一種在整片晶圓上形成引腳并進(jìn)行布線(xiàn)等，然后再切割得到單個(gè)成品芯片的超小型封裝形式。與將晶圓切割成單片后通過(guò)樹(shù)脂模塑形成引腳等的普通封裝形式不同，這種封裝可以做到與內部的半導體芯片相同大小，因此可以縮減封裝的尺寸。
*3) 導通電阻
MOSFET導通時(shí)漏極和源極之間的電阻值。該值越小，導通時(shí)的損耗（功率損耗）越少。
*4) Qgd（柵極-漏極間電荷量）
MOSFET開(kāi)始導通后，柵極和漏極間的電容充電期間的電荷量。該值越小，開(kāi)關(guān)速度越快，開(kāi)關(guān)時(shí)的損耗（功率損耗）越小。 |
