電機驅動(dòng)的一大關(guān)鍵是準確知道轉子的位置，有感電機通過(guò)傳感器獲取轉子位置，無(wú)感電機只能通過(guò)間接方式獲取電機轉子位置，常見(jiàn)的方法有反電動(dòng)勢法、電感法、磁鏈法、高頻脈沖法及其它智能方法，應用最多的是反電動(dòng)勢法

反電動(dòng)勢法無(wú)刷無(wú)感電機驅動(dòng)電路可主要分為三部分：功率驅動(dòng)部分，控制部分，轉子位置檢測部分

一． 功率驅動(dòng)部分

功率驅動(dòng)部分有二種實(shí)現方式，一是使用集成電機驅動(dòng)IC，二是使用分立元件搭建。使用集成IC更加簡(jiǎn)單，而且大多驅動(dòng)IC都集成了多種保護功能，更加可靠，但成本較高。

使用分立元件搭建有二種：

① 使用N + P管，如下圖，這種方式實(shí)現簡(jiǎn)單，而且PWM控制信號占空比能達到100%，但P管價(jià)格相對較高，一般電流在100A，耐壓在100V內，多應用于低壓小功率應用

R1，R4一般在100Ω以?xún)�，但也不能太小，一般為幾十Ω，R2，R3，R5一般為幾K到幾十K

②使用全N管，如下圖，N管耐壓及功率可選范圍很寬，所以適用于各種應用電路，但上臂橋驅動(dòng)較復雜，如果采用自舉升壓電路，PWM占空比不能達到100%

上圖用比較簡(jiǎn)單的方式實(shí)現上臂的自舉升壓，D1為自舉二極管，一般采用快恢復二極管，C1為自舉電容，具體大小可參考公式

二． 控制部分

此部分大致為MCU最小系統，根據所采用的MCU的不同而不同，一般使用內部晶振。帶有比較器、PWM定時(shí)器的MCU為比較好的選擇。

三． 轉子位置檢測部分

此部分是一個(gè)關(guān)鍵部分，根據使用驅動(dòng)方法的不同而不同，主要的二種為反電動(dòng)勢檢測與電流檢測

①反電動(dòng)勢檢測

此法的理論基礎是電機在運轉時(shí)會(huì )產(chǎn)生反電動(dòng)勢，在PWM導通器件的過(guò)零時(shí)刻，懸浮相的端電壓與中點(diǎn)電壓相等，硬件方法可建立一個(gè)虛擬中性點(diǎn)與端電壓比較，實(shí)際中大多使用軟件采樣比較方式

使用軟件進(jìn)行采樣有三種方式：

1. 在功率管導通時(shí)刻采樣

二相導通時(shí)，中點(diǎn)電壓等于母線(xiàn)電壓的一半，因此可用母線(xiàn)電壓的一半作為參考電壓與第三相進(jìn)行比較。

母線(xiàn)電壓一般較高，即使分半之后的電壓也可能高于MCU端口承受電壓，因此一般要用電阻進(jìn)行分壓，這使得過(guò)零點(diǎn)的檢測靈敏度受到影響，而且由于在導通時(shí)間內進(jìn)行采樣，因此必須有一個(gè)最小導通時(shí)間，電機低速運行受限制

2. 在功率管關(guān)閉時(shí)刻進(jìn)行采樣

在上管關(guān)斷，下管恒通的狀態(tài)下，續流電流會(huì )流過(guò)下管體二極管，中點(diǎn)電壓理論值為0，為提高準確性，可將MCU內部參考電壓設為一個(gè)略高于0的值，如0.2，然后采集第三相與此值比較。

這種方式無(wú)需電阻分壓，提高了檢測靈敏度，同時(shí)抑制了高頻開(kāi)關(guān)干擾，但需考慮MCU端口承壓能力，而且需保持一個(gè)最小關(guān)斷時(shí)間，因此PWM占空比無(wú)法達到100%

3. 在功率管全狀態(tài)采樣

如下圖，此種方法結合了以上二種方法的優(yōu)點(diǎn)，克服了雙方的缺點(diǎn)

在大多數實(shí)際應用電路中，多采用方式一，如下圖，兩端分別接到電機三線(xiàn)與MCU

②電流檢測法

此法多應用于FOC控制中，如下，在三端回路中接上電流采樣電阻，采集相電流，經(jīng)放大器放大后送入MCU，

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