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選擇合適的集成度來(lái)滿(mǎn)足電機設計要求
文章來(lái)源:永阜康科技 更新時(shí)間:2023/6/15 10:09:00
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篇文章是我們運動(dòng)控制技術(shù)文章系列的第三篇(第一篇 |第二篇)。

如果您正在設計電機驅動(dòng)應用,以往您可能會(huì )使用如雙極結型晶體管 (BJT) 等多個(gè)分立式元件來(lái)實(shí)現電機控制。盡管這種方法通常成本更低,但使用的元件總數更多,占用的布板空間更大,花費的設計時(shí)間更長(cháng),復雜度也更高。使用多個(gè)元件還可能會(huì )影響系統可靠性。

隨著(zhù)應用的復雜度增加、功率提高、占用空間減小,集成變得至關(guān)重要。集成解決方案可以縮短設計時(shí)間、簡(jiǎn)化采購流程以及節省成本,同時(shí)還可以確保電機系統更加可靠和高效。

在本文中,我將對不同的電機控制實(shí)現方案進(jìn)行比較,包括分立式和完全集成式選項,從而幫助您找到適合您設計的方法。表 1 比較了各種電機控制選項的集成度。

控制

驅動(dòng)器

FET

分立式 BJT

柵極驅動(dòng)器集成電路 (IC)

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電機驅動(dòng)器 IC

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集成控制柵極驅動(dòng)器 IC

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集成控制、柵極驅動(dòng)器和場(chǎng)效應晶體管 (FET) IC

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表 1:用于驅動(dòng)電機的集成度

采用分立式方法進(jìn)行電機控制

圖 1 展示了控制單元(如微控制器 (MCU))處理電機狀態(tài)的反饋,并發(fā)送信號來(lái)調節電機的扭矩、位置和速度。柵極驅動(dòng)器將來(lái)自 MCU 的信號放大,以驅動(dòng)電機的金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管 (MOSFET)。


圖 1:基本電機控制方框圖

您可以使用 BJT 圖騰柱/推挽電路作為柵極驅動(dòng)電路來(lái)驅動(dòng)單個(gè) MOSFET,如圖 2 所示。盡管此方法成本很低且易于實(shí)現,但 BJT 圖騰柱電路所需的外部元件數量較多且占用的布板空間較大。此外,您必須復制此分立式電路,因為您需要多個(gè) MOSFET 來(lái)驅動(dòng)電機,致使所需的元件數量和布板空間成倍增加。


圖 2:采用分立式 BJT 圖騰柱/推挽電路實(shí)現柵極驅動(dòng)器方框圖

第一個(gè)集成選項:柵極驅動(dòng)器 IC

基本柵極驅動(dòng)器 IC 將圖騰柱的功能集成到單個(gè)封裝內。最近的工藝技術(shù)不斷創(chuàng )新,使得柵極驅動(dòng)器 IC 與分立式 BJT 一樣實(shí)惠。

在選擇柵極驅動(dòng)器 IC 時(shí)需要考慮幾個(gè)注意事項,例如通道數以及最適合電機功率級別的電壓和電流能力,如圖 3 所示。

集成式柵極驅動(dòng)器 IC 包括:

• 單通道柵極驅動(dòng)器(如德州儀器 (TI) 的 UCC21732),通常用于驅動(dòng)高側和低側高壓 (>700V) 電源開(kāi)關(guān)(如絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 和碳化硅 (SiC))的交流電機。

• 雙通道半橋柵極驅動(dòng)器(如 UCC27712),用于驅動(dòng) IGBT 和 MOSFET 的 100V 至 700V 電機 

• 四通道 H 橋驅動(dòng)器和六通道三相電機柵極驅動(dòng)器(如 DRV8329),專(zhuān)為低壓 MOSFET (<60V) 直流電機設計

隨著(zhù)電機功率級別的變化,使用柵極驅動(dòng)器可以保持以前的設計,同時(shí)只改變外部 FET 以適應新的電壓和電流電平。


圖 3:驅動(dòng)外部 FET 的柵極驅動(dòng)器 IC 類(lèi)型

柵極驅動(dòng)器涵蓋具備基本功能(如防止跨導的欠壓鎖定和聯(lián)鎖保護)的驅動(dòng)器,以及具備高級功能(如用于壓擺率控制和自動(dòng)死區控制的智能柵極驅動(dòng)技術(shù))的驅動(dòng)器。了解有關(guān)這些柵極驅動(dòng)器的更多信息,請參閱“了解智能柵極驅動(dòng)”應用手冊。

傳統上而言,由以下外部元件設置壓擺率:兩個(gè)源極和漏極電阻器(用于限制 MOSFET 柵極的電流)、一個(gè)二極管(用于單獨調節上升和下降速率),以及一個(gè)下拉電阻器。借助智能柵極驅動(dòng)技術(shù),可以不再使用這些元件,而且可通過(guò)串行外設接口靈活調節壓擺率。

六通道驅動(dòng)器采用智能柵極驅動(dòng)技術(shù),無(wú)需使用多達 24 個(gè)分立式元件,節省了布板空間,也減少了物料清單 (BOM) 數量。柵極驅動(dòng)器還集成了其他保護和診斷功能,包括電流檢測、過(guò)流和過(guò)熱保護、故障檢測甚至隔離功能,這進(jìn)一步減少了元件數量。

第二個(gè)集成選項:電機驅動(dòng)器 IC

電機驅動(dòng)器 IC 包括柵極驅動(dòng)器和集成 FET,非常適合低功率電機系統 (<70W),如圖 4 所示。與柵極驅動(dòng)器相比,電機驅動(dòng)器 IC 的占用空間更;集成了 FET 功率級,從而簡(jiǎn)化了設計原理圖和布局。與柵極驅動(dòng)器 IC 一樣,電機驅動(dòng)器 IC(如 DRV8962)也集成了保護和診斷功能。


圖 4:具有集成 FET 的 H 橋和三相電機驅動(dòng)器

在選擇電機驅動(dòng)解決方案時(shí),務(wù)必要考慮內部 FET 的 RDS(ON)、峰值電流和均方根電流?紤]到內部 FET 的功率耗散,還需要執行熱計算。

第三個(gè)集成選項:集成控制柵極驅動(dòng)器 IC

與前兩個(gè)選項不同,集成控制柵極驅動(dòng)器 IC(如 MCT8329A)無(wú)需 MCU 即可進(jìn)行電機控制。這些 IC 仍然具有具備保護和診斷功能的柵極驅動(dòng)器,同時(shí)納入了控制算法而無(wú)需 MCU 輔助,如圖 5 所示。

電機換向算法的實(shí)現可能很復雜,無(wú)論是梯形控制、正弦控制還是磁場(chǎng)定向控制。集成控制柵極驅動(dòng)器 IC 提供了一種無(wú)代碼解決方案,可在內部處理?yè)Q向算法,從而幫助您縮短設計時(shí)間,簡(jiǎn)化編碼、調試和測試的復雜性。


圖 5:集成控制三相柵極驅動(dòng)器

借助集成控制柵極驅動(dòng)器 IC,通過(guò)傳感器控制或無(wú)傳感器控制可靈活實(shí)現電機換向。采用傳感器控制方法,可以使用外部霍爾效應傳感器來(lái)檢測轉子位置;這些 IC 可以采用霍爾效應傳感器輸入,并利用電機控制算法來(lái)安靜高效地驅動(dòng)電機。相比之下,采用無(wú)傳感器控制實(shí)現方法,無(wú)需使用外部霍爾效應傳感器,從而減少了布板空間和 BOM。如果選擇無(wú)傳感器集成控制柵極驅動(dòng)器 IC,則需要通過(guò)集成電流檢測測量反電動(dòng)勢(反 EMF)電壓,并在內部計算電機位置。

第四個(gè)集成選項:集成控制、柵極驅動(dòng)器和 FET IC

最后一個(gè)集成選項通常稱(chēng)為“完全集成”,如圖 6 所示。集成控制、柵極驅動(dòng)器和 FET IC(如 MCF8315A)將無(wú)代碼控制功能、具有保護和診斷功能的驅動(dòng)器以及 FET 集成在一個(gè)芯片內,因此占用的布板空間更小、BOM 更少。與電機驅動(dòng)器 IC 選項類(lèi)似,集成控制、柵極驅動(dòng)器和 FET IC 解決方案受到內部 FET 的功能限制,因此需要進(jìn)行電流和熱計算。


圖 6:完全集成 - 電機控制、驅動(dòng)器和 FET

結語(yǔ)

這些不同級別的 IC 不僅可滿(mǎn)足電機的功率級別要求,還可以縮短設計時(shí)間、節省成本和降低復雜性。集成器件還可以解決家用電器中的可聞噪聲以及工廠(chǎng)自動(dòng)化和機器人技術(shù)中的高精度控制等難題。

關(guān)于德州儀器(TI)

德州儀器(TI)(納斯達克股票代碼:TXN)是一家全球性的半導體公司,致力于設計、制造、測試和銷(xiāo)售模擬和嵌入式處理芯片,用于工業(yè)、汽車(chē)、個(gè)人電子產(chǎn)品、通信設備和企業(yè)系統等市場(chǎng)。我們致力于通過(guò)半導體技術(shù)讓電子產(chǎn)品更經(jīng)濟實(shí)用,創(chuàng )造一個(gè)更美好的世界。如今,每一代創(chuàng )新都建立在上一代創(chuàng )新的基礎之上,使我們的技術(shù)變得更小巧、更快速、更可靠、更實(shí)惠,從而實(shí)現半導體在電子產(chǎn)品領(lǐng)域的廣泛應用,這就是工程的進(jìn)步。這正是我們數十年來(lái)乃至現在一直在做的事。

 
 
 
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