IPM29- SiC_MOS智能功率模塊新產(chǎn)品內部集成了新一代N溝道增強型1200V-SiC_MOSFET芯片與與優(yōu)化的SOI工藝6通道柵極驅動(dòng)芯片，作為緊湊的1200V等級封裝，這款SiC MOSFET IPM使用簡(jiǎn)便，針對SIC定制優(yōu)化驅動(dòng)部分，有效減小開(kāi)關(guān)振蕩。此外，它采用緊湊式封裝，得益于使用具備很高熱導率的DBC基板，具有良好熱性能和充足的電氣隔離等級能力，具有出色的功率密度、可靠性和性能。它針對相關(guān)應用進(jìn)行了優(yōu)化，是一款用于高效率的電機驅動(dòng)與有源功率校正電路的高效逆變平臺而設計的個(gè)性化產(chǎn)品。例如供暖通風(fēng)空調，風(fēng)扇電機，車(chē)載空調及三相功率因數校正。

填補IPM產(chǎn)品市場(chǎng)端的高壓平臺的高頻應用需求。

IPM29- SiC_MOS新系列產(chǎn)驅動(dòng)集成了自舉電路、一體化使能與可調故障輸出（FO）、防直通互鎖、欠壓保護與溫度輸出功能，優(yōu)化的高壓柵極驅動(dòng)配合內集成的高速、低阻抗SiC_MOSFETS逆變橋，極大地改善產(chǎn)品工作EMI特性與開(kāi)關(guān)損耗，適用于高頻開(kāi)關(guān)需求的電機驅動(dòng)應用。

目前產(chǎn)品的規格等級有20A / 1200V > XNC20S12FT。

產(chǎn)品特點(diǎn)

1、集成1200V/20A高壓柵極驅動(dòng)與配套高速開(kāi)關(guān)SiC_MOS逆變拓撲
2、優(yōu)化驅動(dòng)與SiC_MOS開(kāi)關(guān)，降低開(kāi)關(guān)損耗與優(yōu)化EMI特性
3、三相全橋逆變拓撲，下橋發(fā)射極開(kāi)路，適用于各類(lèi)電機驅動(dòng)場(chǎng)景
4、驅動(dòng)集成帶限流電阻自舉二極管
5、內置欠壓保護、過(guò)流保護，互鎖、可調故障輸出及溫度輸出(VOT)
6、完全兼容3.3V和5V驅動(dòng)輸入信號
7、絕緣電壓等級：2500Vac

內部拓撲

整機應用測試

32khz載波頻率采樣


15A電流采樣

溫升曲線(xiàn)

XNC20S12FT 新品SiC智能功率模塊在整機運行實(shí)驗中表現優(yōu)秀，在較高工作載波頻率（32KHz），負載電流為80%的額定電流的工況下溫升表現良好，電流、電壓波形穩定無(wú)明顯尖刺干擾，能保證電機的穩定、高效運轉。

※產(chǎn)品具體信息可向我司銷(xiāo)售人員咨詢(xún)或索取產(chǎn)品規格書(shū)(service@invsemi.com)。