小型分立式功率MOSFET在節省空間、降低成本和簡(jiǎn)化應用設計方面發(fā)揮著(zhù)至關(guān)重要的作用。此外，更高的功率密度還能實(shí)現靈活的布線(xiàn)并縮小系統的整體尺寸。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進(jìn)的全新OptiMOS™功率MOSFET，進(jìn)一步擴大其采用PQFN 2x2 mm²封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導體行業(yè)標桿解決方案，在更小的封裝尺寸內實(shí)現更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣泛適用于各種應用，如服務(wù)器、通信、便攜式充電器和無(wú)線(xiàn)充電器中開(kāi)關(guān)電源（SMPS）里的同步整流等。此外，新產(chǎn)品在無(wú)人機中還可應用于小型無(wú)刷電機的電子速度控制器等。

全新的OptiMOS 6 40V功率MOSFET以及OptiMOS 5 25V和30V 功率MOSFET進(jìn)一步優(yōu)化了用于高性能設計的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm²封裝，具備先進(jìn)的硅技術(shù)、穩定可靠的封裝與極低的熱阻（R_thJC最大值為3.2 K/W）。這些新器件擁有業(yè)界極低的導通電阻和業(yè)界領(lǐng)先的性能指標（FOMs, Q_G和Q_OSS），能夠實(shí)現出色的動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)性能。因此，這些具有超低開(kāi)關(guān)損耗和低導通損耗的 MOSFET器件能夠保證極佳的能效和功率密度，同時(shí)簡(jiǎn)化散熱管理。

OptiMOS功率開(kāi)關(guān)采用緊湊的PQFN 2x2 mm²封裝，能夠縮小系統尺寸，讓終端用戶(hù)應用的幾何外形變得更加小巧、靈活。通過(guò)減少并聯(lián)需求，這些MOSFET器件提升了系統設計的可靠性，顯著(zhù)降低了占板空間和系統成本。

供貨情況

全新OptiMOS 6 40V功率MOSFET（ISK057N04LM6）的導通電阻值為5.7 mΩ，OptiMOS 5 25V功率MOSFET（ISK024NE2LM5）和OptiMOS 5 30V功率MOSFET（ISK036N03LM5）的導通電阻值分別為2.4 mΩ和3.6 mΩ，這些MOSFET器件均采用改進(jìn)的PQFN 2x2 mm² 封裝。