第四代器件，提高額定功率和功率密度，降低導通和開(kāi)關(guān)損耗，從而提升能效
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新型第四代650 V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E，提高通信、工業(yè)和計算應用能效和功率密度。Vishay Siliconix n溝道 SiHP054N65E導通電阻比前代器件降低48.2%，同時(shí)導通電阻與柵極電荷乘積下降59%，該參數是650 V MOSFET在功率轉換應用中的重要優(yōu)值系數（FOM）。
Vishay豐富的MOSFET技術(shù)全面支持功率轉換過(guò)程，涵蓋需要高壓輸入到低壓輸出的各種先進(jìn)高科技設備。隨著(zhù)SiHP054N65E的推出，以及其他第四代600 V E系列器件的發(fā)布，Vishay可在電源系統架構設計初期滿(mǎn)足提高能效和功率密度兩方面的要求，包括功率因數校正（PFC）和后面的DC/DC轉換器磚式電源。典型應用包括服務(wù)器、邊緣計算和數據存儲；UPS；高強度放電（HID）燈和熒光鎮流器；太陽(yáng)能逆變器；焊接設備；感應加熱；電機驅動(dòng)；以及電池充電器。
SiHP054N65E采用Vishay先進(jìn)的高能效E系列超級結技術(shù)，10V下典型導通電阻僅為0.051 Ω，從而提高額定功率支持 2 kW以上的各種應用，器件滿(mǎn)足符合開(kāi)放計算項目Open Rack V3（ORV3）標準的需求。此外，這款MOSFET超低柵極電荷下降到 72nC。器件的FOM 為3.67 Ω*nC，比同類(lèi)接近的競品MOSFET 低1.1 %。這些參數表明導通和開(kāi)關(guān)損耗降低，從而達到節能效果，提高能效。器件滿(mǎn)足服務(wù)器電源鈦效應的特殊要求，或通信電源達到96%的峰值效率。
日前發(fā)布的MOSFET有效輸出電容 Co(er) 和Co(tr) 典型值分別僅為115 pF和 772 pF，可改善硬開(kāi)關(guān)拓撲結構開(kāi)關(guān)性能，如PFC、半橋和雙開(kāi)關(guān)順向設計。器件的電阻與 Co(tr) 乘積FOM低至5.87 W*pF達到業(yè)內先進(jìn)水平。SiHP054N65E采用TO-220AB封裝，提高了dv/dt耐用性，符合RoHS和Vishay綠色標準，無(wú)鹵素，耐受雪崩模式下電壓瞬變，并保證極限值100 %通過(guò)UIS測試。
SiHP054N65E現可提供樣品并已實(shí)現量產(chǎn)，關(guān)于供貨周期的信息，請與當地銷(xiāo)售部聯(lián)系。
VISHAY簡(jiǎn)介
Vishay是全球最大的分立半導體和無(wú)源電子元件系列產(chǎn)品制造商之一，這些產(chǎn)品對于汽車(chē)、工業(yè)、計算、消費、通信、國防、航空航天和醫療市場(chǎng)的創(chuàng )新設計至關(guān)重要。服務(wù)于全球客戶(hù)，Vishay承載著(zhù)科技基因——The DNA of tech.®。Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1,000 強企業(yè)”。 |
