作者：

熊康明，英飛凌電源與傳感系統事業(yè)部 主任工程師
柯春山，英飛凌電源與傳感系統事業(yè)部 高級主任工程師

在日常的電源設計中，半導體開(kāi)關(guān)器件的雪崩能力、VDS電壓降額設計是工程師不得不面對的問(wèn)題，本文旨在分析半導體器件擊穿原理、失效機制，以及在設計應用中注意事項。

一、半導體器件擊穿原理

PN結I-V曲線(xiàn)如圖[1]所示：

·  PN結正向導通，反向截止；
·  反向電壓超過(guò)一定限值VBR，器件發(fā)生電擊穿；
·  正向導通時(shí)，電流超過(guò)一定限值（圖示綠色區域之外），器件發(fā)生熱燒毀。

圖[1]：PN結I-V曲線(xiàn)

PN結的擊穿原理分為：電擊穿和熱擊穿（二次擊穿）。

1）電擊穿

電擊穿：指強電場(chǎng)導致器件的擊穿，過(guò)程通常是可逆的。當電壓消失，器件電學(xué)特性恢復。電擊穿又分為：

a）雪崩倍增效應

雪崩倍增效應：（通常指電壓>6V時(shí)發(fā)生，）原理如下：

圖[2]：PN結反偏示意圖

如圖[2]所示：在PN結兩端加反向電壓，隨著(zhù)反向電壓增加，PN結耗盡區反向電場(chǎng)增加，耗盡區中電子（或者空穴）從電場(chǎng)中獲得的能量增加。當電子（或者空穴）與晶格發(fā)生碰撞時(shí)傳遞給晶格的能量高于禁帶寬度能量（Eg），迫使被碰撞的價(jià)帶電子躍遷到導帶，從而產(chǎn)生一堆新的電子空穴對，該過(guò)程叫做碰撞電離；課本里把一個(gè)自由電子（或者空穴）在單位距離內通過(guò)碰撞電離產(chǎn)生的新的電子空穴對的數目稱(chēng)為電子（或者空穴）的碰撞電離率，表示為αin(or αip)。

當耗盡區電場(chǎng)增加到一定程度，碰撞電離激發(fā)出的新電子-空穴對，即“二次載流子”，又可能繼續產(chǎn)生新的載流子，這個(gè)過(guò)程將不斷進(jìn)行下去，稱(chēng)為雪崩倍增。如果由于雪崩倍增效應導致流出PN結的電流趨于無(wú)窮大，則發(fā)生了所謂的雪崩擊穿，該過(guò)程簡(jiǎn)單示意如圖[3]所示。

圖[3]：雪崩擊穿示意圖

發(fā)生雪崩擊穿的條件是：

其物理意義是碰撞電離率在整個(gè)耗盡區積分趨于1。由于αi隨電場(chǎng)的變化強相關(guān)（如圖[4]所示），因此可以近似的認為當耗盡區最大電場(chǎng)EMAX達到某臨界電場(chǎng)Ec時(shí)，即發(fā)生雪崩擊穿。Ec與結的形式和摻雜濃度有一定關(guān)聯(lián)，硅PN結典型值為Ec = 2×105 V/cm。

圖[4]：電場(chǎng)的強相關(guān)函數圖

為了更好地理解PN結電場(chǎng)強度Ec隨耗盡區XD的關(guān)系，我們在這里簡(jiǎn)單討論下泊松方程：在一維情況下（PN結/BJT）泊松方程的表達形式為：

等式右邊第一項“q”為電荷量，介電常數“εs”為電通量密度與電場(chǎng)的映射關(guān)系，括號內表示自由離子的加和。從直觀(guān)來(lái)看，該式反映電場(chǎng)（或者電通量密度，兩者從某種角度上可以理解為反映著(zhù)同一種東西）的源是電荷，如果是記公式：泊松方程表示的是，單位體積內對電通量密度（電位移）求散度，結果為體積內的電荷。除了從電磁學(xué)理論出發(fā)的分析，該式從數學(xué)上也可以看成是：電場(chǎng)與位置的函數關(guān)系。通過(guò)解泊松方程，便可以得到隨著(zhù)位置變化時(shí)，電場(chǎng)、電勢的變化情況。

接下來(lái)我們通過(guò)舉例來(lái)看擊穿電壓VB與哪些因素相關(guān)：圖[5]所示為兩種摻雜濃度材料的Ec VS Xd曲線(xiàn)關(guān)系（其中，N1>N2）。

圖[5]不同摻雜濃度Ec VS Xd曲線(xiàn)關(guān)系

分析該圖可知：

1. 禁帶寬度E_g越大，則擊穿電壓V_B越高；比如Si (E_g=1.12 eV) VS SiC (E_g=3.23 eV)
2. 摻雜濃度越低，V_B越高；
3. 擊穿電壓主要取決于低摻雜一側，該側的雜質(zhì)濃度越低，則V_B越高。

除了上述方法可以提高擊穿電壓V_B，還可以通過(guò)增加電場(chǎng)維度，改變電場(chǎng)強度分布（如圖[6]、圖[7]所示）：比如英飛凌的CoolMOSTM系列產(chǎn)品，通過(guò)在N-耗盡區摻入P柱結構（引入橫向電場(chǎng)分布），大幅提高V_B。這里不再贅述其機理，感興趣的讀者可在英飛凌官網(wǎng)查閱相關(guān)文獻資料。

圖[6]SJ MOSFET剖面示意圖


圖[7]SJ MOSFET內部電場(chǎng)仿真示意圖

綜上所述，PN結的雪崩擊穿電壓V_BR還與PN結結溫（T_j）呈現正相關(guān)性（如圖[8]）：

圖[8]：IPL65R065CFD7 VBR(DSS) VS Tj

其主要原因是：隨著(zhù)溫度升高，晶格振動(dòng)加劇，價(jià)帶電子躍遷到導帶需要的能量E_g更高，因此需要更強的電場(chǎng)。

b）隧道效應

隧道效應又稱(chēng)為齊納擊穿、隧道穿通，（一般發(fā)生在擊穿電壓V_B

圖[9] P+N+結電壓反偏示意圖

將兩塊重摻雜的P+、N+半導體材料結合在一起，由于耗盡區兩側P+ 、N+載流子濃度更高，因此形成耗盡區寬度，較普通PN結更薄，耗盡區帶電離子濃度更高，內建電場(chǎng)Eb更強。當在PN結兩端加反向偏壓如圖[9]所示，該電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)與內建電場(chǎng)同向疊加，當耗盡區電場(chǎng)強度＞300kV/cm時(shí)，電子空穴對在電場(chǎng)力的作用下掙脫原子核束縛，自由的穿過(guò)耗盡區，形成電流。顧名思義：叫做隧穿效應，該過(guò)程微觀(guān)過(guò)程如圖[10]所示。當PN結兩端反向電壓進(jìn)一步增加時(shí)，流過(guò)PN結電流增加，電壓基本保持不變。齊納二極管（穩壓二極管）即是利用該效應制作的一種穩壓元器件。

圖[10] 隧穿效應示意圖

由于隧穿效應的導電離子是來(lái)自于掙脫原子核束縛的電子（或者空穴），因此，隨著(zhù)溫度的升高，PN結內部產(chǎn)生熱電子濃度增加，進(jìn)而導致?lián)舸╇妷篤_B降低，使得宏觀(guān)上擊穿電壓V_B呈現負溫度特性。該過(guò)程微觀(guān)示意如圖[11]。

圖[11] 隧穿效應VS溫度示意圖

在這里簡(jiǎn)單的對兩種電壓擊穿做對比總結以方便讀者記憶：

2）熱擊穿（二次擊穿）

熱擊穿（二次擊穿）指器件由于過(guò)電壓、過(guò)電流導致的損壞，結果不可逆。通常情況下是先發(fā)生了電擊穿，產(chǎn)生的高壓大電流沒(méi)有得到及時(shí)控制，進(jìn)一步導致過(guò)熱使得器件發(fā)生燒毀。

二、設計應用注意事項

通過(guò)以上分析，我們可以得出結論：對于硅材料的半導體功率器件（碳化硅材料器件由于其原理、結構與硅材料相似，因此有著(zhù)相似的物理規律，這里不再做分析，氮化鎵器件由于其器件結構與傳統硅差別較大，因此不具備類(lèi)似的規律，后續文章可以涉及，敬請關(guān)注），在驅動(dòng)電壓V_gs可控的情況下，主要失效模式兩種：

一種是：過(guò)電壓應力導致器件發(fā)生雪崩，雪崩過(guò)程本身是可逆的，但如果由于雪崩行為沒(méi)有被及時(shí)控制，導致器件出現過(guò)熱，進(jìn)一步導致器件封裝燒毀、bonding材料或者結構毀壞、甚至芯片半導體結構損壞，該過(guò)程不可逆。

第二種是：過(guò)電流應力導致器件溫升超過(guò)其極限值，進(jìn)一步導致器件封裝燒毀、bonding材料或者結構損壞、甚至芯片半導體結構破壞，該過(guò)程亦不可逆。

因此，我們在設計使用半導體功率器件電路時(shí)，必須嚴格的遵照相關(guān)的標準（例如IPC9592B-2012），規范化降額設計，以保證產(chǎn)品在整個(gè)生命周期內，半導體器件可以運行在規格書(shū)的范圍內，以顯著(zhù)降低產(chǎn)品的失效率。更多的關(guān)于半導體器件雪崩設計應用指南請參考英飛凌應用筆記：AN_201611_PL11_002，本文不再贅述。

后記

隨著(zhù)半導體產(chǎn)業(yè)競爭趨于白熱化，在半導體器件設計中，一個(gè)不爭的事實(shí)：對于相同的技術(shù)下，Rds(on)越小，芯片尺寸越大，器件熱阻越小，抗雪崩能力越強。但是對于半導體器件來(lái)講，并不是芯片尺寸越大越好，更大的尺寸意味著(zhù)更大的寄生參數，更大的開(kāi)關(guān)損耗，因此限制了電源朝著(zhù)高頻高密的方向發(fā)展以進(jìn)一步降低系統成本。因此，在設計器件過(guò)程中，需要綜合性的權衡各項參數，以設計出綜合能力更全面的產(chǎn)品。英飛凌公司作為全球功率器件的領(lǐng)頭羊，一直致力于設計更全面的產(chǎn)品以完成其“低碳化”的使命！