意法半導體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅動(dòng)器，新產(chǎn)品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸，降低了物料清單成本，能夠滿(mǎn)足應用對寬禁帶芯片的能效以及安全性和電氣保護的更高要求。

這款單通道驅動(dòng)器可連接最高1200V的電壓軌，而STGAP2GSN 窄版可連接高達 1700V的電壓軌，柵極驅動(dòng)電壓最高15V。該驅動(dòng)器能夠向所連接的 GaN 晶體管柵極灌入和源出最高3A的電流，即使在高工作頻率下也能精準控制功率晶體管的開(kāi)關(guān)操作。

STGAP2GS 跨越隔離勢壘的傳播延時(shí)極短，只有 45ns，動(dòng)態(tài)響應快速。此外，在整個(gè)工作溫度范圍內，dV/dt 瞬變電壓耐量為 ±100V/ns，可防止晶體管柵極電流發(fā)生不必要的變化。STGAP2GS 具有獨立的灌電流和源電流引腳，可輕松調整柵極驅動(dòng)操作方式和性能。

STGAP2GS 驅動(dòng)器無(wú)需使用光學(xué)隔離分立元件，方便消費電子、工業(yè)控制等產(chǎn)品設備采用高效、穩健的 GaN 技術(shù)。目標應用包括計算機服務(wù)器電源、工廠(chǎng)自動(dòng)化設備、電機驅動(dòng)器、太陽(yáng)能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電系統、家用電器、家用電風(fēng)扇和無(wú)線(xiàn)充電器。

除了集成電流隔離功能外，新驅動(dòng)器還具有內置系統保護功能，包括針對 GaN 技術(shù)優(yōu)化的熱關(guān)斷和欠壓鎖定 (UVLO)，確保驅動(dòng)器的可靠性和耐變性。

EVSTGAP2GS和 EVSTGAP2GSN 兩個(gè)演示板分別集成標準版STGAP2GS 和窄版 STGAP2GSN 與 ST 的 SGT120R65AL 75mΩ、650V 增強型 GaN 晶體管，幫助用戶(hù)評估驅動(dòng)器的功能。

采用 SO-8 寬體封裝的 STGAP2GS 和 SO-8窄體封裝的STGAP2GSN現已上市。