IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫(xiě)，即絕緣柵雙極型晶體管。它是一種功率半導體器件，結合了MOSFET和雙極型晶體管的優(yōu)點(diǎn)，可以在高電壓和高電流條件下工作，因而被廣泛應用于電力電子領(lǐng)域。

與MOSFET相比，IGBT具有更低的驅動(dòng)電壓和更高的開(kāi)關(guān)速度，而且具有雙極型晶體管的正向導通能力，因此可以承受更高的電流和電壓。同時(shí)，IGBT也集成了MOSFET的絕緣柵控制功能，可以實(shí)現更安全和可靠的控制。

IGBT通常由一個(gè)PN結和一個(gè)N溝道組成，具有三個(gè)端口：集電極、發(fā)射極和柵極。當柵極施加正向電壓時(shí)，會(huì )形成一個(gè)PNP型結構，使集電極和發(fā)射極之間的PN結極化，從而導通。當柵極不再施加正向電壓時(shí)，PNP結會(huì )恢復為開(kāi)路狀態(tài)，IGBT停止導通。

IGBT的工作可以分為四個(gè)主要階段：

關(guān)態(tài)（關(guān)斷狀態(tài)）：當柵極與發(fā)射極之間沒(méi)有施加電壓時(shí)，IGBT處于關(guān)態(tài)，沒(méi)有導通電流流過(guò)。在這種狀態(tài)下，PNP型雙極型晶體管的集電極和發(fā)射極之間的PN結是正向偏置的，所以處于導通狀態(tài)。

開(kāi)啟過(guò)渡態(tài)：當柵極施加正向電壓時(shí)，柵極和發(fā)射極之間的絕緣柵極層中的電子會(huì )形成一個(gè)導電通道。形成的導電通道可以控制PNP型雙極型晶體管的集電極-發(fā)射極之間的電流，使其開(kāi)始導通。

開(kāi)態(tài)（導通狀態(tài)）：在開(kāi)啟過(guò)渡態(tài)后，如果在集電極和發(fā)射極之間施加足夠的正向電壓，PNP型雙極型晶體管將進(jìn)入飽和區，此時(shí)IGBT處于導通狀態(tài)，允許電流流過(guò)。

關(guān)閉過(guò)渡態(tài)：當柵極不再施加正向電壓時(shí)，導電通道關(guān)閉，PNP型雙極型晶體管恢復到截止區，IGBT進(jìn)入關(guān)斷狀態(tài)，電流無(wú)法通過(guò)。

IGBT結合了MOSFET和雙極型晶體管的優(yōu)點(diǎn)，具有低壓控制特性（MOSFET）和高電流驅動(dòng)能力（雙極型晶體管）。它具有較低的開(kāi)關(guān)損耗和較高的開(kāi)關(guān)速度，適用于高頻應用。同時(shí)，由于使用絕緣柵極層隔離了柵極和其他部分，提高了絕緣性能和可靠性。