隨著(zhù)全球對衛星通信、衛星電視、衛星天氣預報及衛星地理數據的需求不斷升溫，橫跨多重電子應用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST） 推出首款完全符合衛星和運載火箭電子子系統質(zhì)量要求的功率系列產(chǎn)品。
據衛星產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )報告顯示，全球衛星市場(chǎng)正在穩步增長(cháng)，每年收入達1600多億美元 。雖然核心電子元器件產(chǎn)自于全球不同地區，包括歐洲和亞洲，但獲得航天應用認證的器件主要來(lái)自美國。意法半導體與歐洲航天局（ESA）和法國航天研究中心（CNES）合作研發(fā)的全新抗輻射功率MOSFET系列完全符合歐洲航天元器件協(xié)調委員會(huì )（ESCC）的技術(shù)標準。
意法半導體不僅擴大了全球航天質(zhì)量級元器件的貨源，還成功打破可能拖延項目工期或禁止使用某些器件和進(jìn)入某些市場(chǎng)采購限制。意法半導體功率晶體管產(chǎn)品部總經(jīng)理Ian Wilson表示：“這款新的防輻射功率MOSFET系列產(chǎn)品是根據航天技術(shù)要求設計的，也是首款來(lái)自歐洲半導體廠(chǎng)商制造的航天級元器件。”
全新抗輻射功率MOSFET系列產(chǎn)品的額定輸出電流為6A至80A，由5款N溝道和P溝道產(chǎn)品組成，包括額定電壓100V的STRH100N10、STRH8N10和STRH40P10；額定電壓60V的STRH100N6和STRH40N6。100V的P溝道器件的額定電流為34A。低柵電荷量是意法半導體STripFET制程的特性，可提升晶體管的開(kāi)關(guān)性能，是直流功率模塊如電機控制器和線(xiàn)性穩壓器、線(xiàn)路開(kāi)關(guān)和電子限流熔斷器的理想選擇。
首款符合衛星和運載火箭電子子系統質(zhì)量要求的功率MOSFET系列
意法半導體航天級功率MOSFET晶體管的主要特性：
●快速開(kāi)關(guān)性能
●100%雪崩測試
●密封式封裝
●可承受70/100 krad總離子輻射量(TID)
●抗SEE輻射
STRHxxxN10、STRHxxxN6和STRH40P10系列現已上市，達到EM（工程模型）或 ESCC的航空質(zhì)量級標準，封裝采用TO254-AA和TO-39通孔封裝。此外，意法半導體還提供SMD.5貼裝版抗輻射晶體管。STRH100N10達到了 ESCC 5205/021技術(shù)標準，其它產(chǎn)品預計將于2011年下半年達到 ESCC 相關(guān)標準。
關(guān)于航天級半導體：
抗輻射是航天元器件的主要要求。在太空中存在大量的輻射源，例如，范艾倫輻射帶、太陽(yáng)風(fēng)和太陽(yáng)耀斑以及銀河宇宙射線(xiàn)。
當被迫受到伽瑪射線(xiàn)和重離子輻射時(shí)，抗輻射或防輻射元器件能夠在這種環(huán)境長(cháng)時(shí)間工作。MOSFET晶體管的抗輻射方法是，優(yōu)調產(chǎn)品設計和制程，提高耐輻射能力，最大限度減少重要參數因輻射而發(fā)生的漂移或偏差，例如閾壓、泄漏電流和動(dòng)態(tài)特性�？馆椛湓骷毥邮芸馆椛錅y試，如 Co60伽瑪射線(xiàn)和重離子輻射，這些測試是ESCC22900和 ESCC25100技術(shù)規范規定的抗輻射測試。所有器件必須通過(guò)這些測試才能獲得ESCC質(zhì)量認證。
為全球航天工業(yè)提供經(jīng)濟且高性能的航天級功率MOSFET貨源，意法半導體優(yōu)化經(jīng)過(guò)市場(chǎng)驗證的STripFET制程，使其兼容制造防輻射元器件的技術(shù)和制程。 |
