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面向高級數據系統的DC/DC電源架構設計
文章來(lái)源: 更新時(shí)間:2011/11/7 18:05:00
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在人們不斷追求更高的系統工作效率和性能的過(guò)程中,數據存儲和通信系統中的數字及混合信號組件的工作輸入電壓呈現出日益走低的趨勢。在許多場(chǎng)合中,此類(lèi)系統內部的大多數組件所需的最大輸入電壓如今僅為3.3V。在這種情況下,可以對傳統的5V或12V中間電壓軌進(jìn)行旁路,并將24VDC或48VDC背板分配電壓直接轉換為一個(gè) 3.3V的兩用總線(xiàn)和電源軌。很多高功率DC/DC磚式模塊供應商 (例如:Emerson 和 TDK-Lambda 公司) 已經(jīng)認識到這一發(fā)展趨勢,他們通過(guò)大幅提升其在高降壓比操作中的性能輕松地實(shí)現了92%的效率指標。利用該3.3V中間總線(xiàn),后續的負載點(diǎn)穩壓器可產(chǎn)生更低的電壓 (即:2.5V、1.2V、1.0V 等),以用于給電源存儲器、ASIC/FPGA內核及高速I(mǎi)/O等等供電。 

從中間總線(xiàn)進(jìn)行直接轉換可提供另一項優(yōu)勢,就是可以減少印刷電路板(PCB)中用于完成電源軌至負載布線(xiàn)所需的銅箔層數。以一塊具有一個(gè)僅用作中間總線(xiàn)的5V電壓軌的PCB為例,它包含兩個(gè)用于支持3.3V和1.8V電壓軌的DC/DC轉換器。采用一根3.3V中間總線(xiàn)和單個(gè)3.3V至1.2V轉換器重新設計的相同電路板將很有可能具有較少的銅箔層(3個(gè)電壓軌現減為 2個(gè))。在電路板上最終形成的總體解決方案其尺寸是極具吸引力的,同時(shí)免除了將5V電位傳送至PCB的某個(gè)完整部分的需要。在PCB的制造過(guò)程中盡可能減少銅箔層數的選項具有降低成本與節省材料的潛力,并有望改善良率及可靠性。 

另外,對于從諸如超級電容器等后備電源來(lái)實(shí)現系統運作而言,較低電壓的中間總線(xiàn)軌也是很合適的。與電池相比,超級電容器可支持較高的峰值電流、功率密度、較寬的工作溫度范圍和較低的ESR,因而越來(lái)越多地被用作短時(shí)供電電源,以對電池后備系統提供補充。 由于超級電容器的最大充電電壓僅為2.3V至2.7V,因此,使用高效率的低輸入電壓降壓型轉換器能夠最大限度地增加系統準備時(shí)間,以在主電源重新接通之后實(shí)現快速系統恢復。 

傳統解決方案的局限性 

采用傳統的DC/DC降壓型解決方案時(shí),開(kāi)關(guān)穩壓器或開(kāi)關(guān)控制器需要一個(gè)大約5V的最小輸入電壓或偏置電壓,用于驅動(dòng)N溝道功率MOSFET。在電流傳導期間,需要利用該最小電壓將功率MOSFET驅動(dòng)至低導通電阻區域。對于改善工作效率 (特別是在網(wǎng)絡(luò )及存儲系統中經(jīng)常遇到的大電流條件下) 的努力而言,導通電阻的任何增加都是不利的。對那些通過(guò)將中間軌電壓降至最低的組件輸入電源電壓 (比如3.3V) 以設法提高工作效率和降低生產(chǎn)成本的系統來(lái)說(shuō),所面臨的挑戰是如何最好地支持電流消耗通常僅為50mA~100mA的偏置電源 —— 增設一個(gè)5V輸出高電壓降壓型穩壓器;增設一個(gè)升壓型轉換器 (從3.3V);或者繼續使用現有的5V中間總線(xiàn)。在組件數目、設計工作量、PCB復雜性、可靠性、成本及工作效率方面,上述的選擇方案均需要采取一些令人不快的折衷措施。

一種更好的替代解決方案 

另一種旨在解決本文前面所提及的低工作輸入電壓難題的可選方案是LTM4611降壓型μModule穩壓器。該器件隸屬于一個(gè)新的DC/DC轉換器系列,是從傳統型開(kāi)關(guān)電源管理解決方案發(fā)展而來(lái),幾乎將開(kāi)關(guān)轉換器的所有組件 (包括電感器) 都集成到了一個(gè)緊湊的表面貼裝型封裝之中。LTM4611電源模塊采用1.5V至5.5V的單工作輸入電壓軌,并將其降壓為一個(gè)低至0.8V的輸出電壓,且可提供高達15A的輸出電流。完全內置于一個(gè)LGA封裝之內的自生成偏置電源可支持從單個(gè)低電壓電源來(lái)運作。圖1示出了一款針對全面運行的15A降壓型解決方案的LTM4611電路原理圖。由圖可以明顯地看出:該電路所需的外部組件極少,可實(shí)現緊湊型解決方案和簡(jiǎn)單的PCB布局。

面向高級數據系統的DC/DC電源架構設計(電子工程專(zhuān)輯)
圖1:一款完整的電壓轉換器原理圖(用于從2.1V至5.5V單輸入運作以提供一個(gè)1.8V/15A輸出)

工作效率比較 

從效率的觀(guān)點(diǎn)來(lái)證明傳統三級降壓架構的合理性是非常棘手的,因為分配電壓軌與負載之間的每個(gè)降壓級的效率都必須遠遠高于兩級解決方案。圖2示出了先前提出的5V中間總線(xiàn)選項以及利用LTM4611 μModule穩壓器實(shí)現的3.3V中間總線(xiàn)。在這兩種情況下,48V降壓均被模擬為一個(gè) 75W Emerson(前 Artesyn) 1/8磚單輸出轉換器,其1.8V和3.3V電壓軌承受著(zhù) 10A負載。在傳統的三級降壓架構中,5V至3.3V和5V至1.8V降壓型轉換器被模擬為μModule穩壓器系列中的另一款器件。

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圖2:三級與兩級降壓架構示意圖 (給出了各自在10A輸出電流條件下完成從48VDC至3.3VDC及1.8VDC轉換時(shí)的總功率損耗)

圖3比較了三級解決方案與采用LTM4611的兩級解決方案在一個(gè)很寬的輸出電流范圍內 (假設每個(gè)電壓軌上的輸出電流相同) 的效率及總功率損耗。由于磚型模塊的最大額定功率為 75W,因此對于3.3V和1.8V電壓軌,三級解決方案可提供的最大輸出電流被限制為13A,而兩級解決方案則可各支持高達14A的輸出電流。如圖中的曲線(xiàn)所示,這兩種解決方案在回升至48V分配電壓過(guò)程中的總功率損耗差異會(huì )相當大,并有可能因此進(jìn)一步推高成本——源于PCB中銅箔面積的增大、實(shí)際系統尺寸的增加、散熱器的使用、甚至包括為了保持可靠的系統運作而必需提供的強制冷卻氣流。 

面向高級數據系統的DC/DC電源架構設計(電子工程專(zhuān)輯)
圖3:三級與兩級轉換的效率和功率損耗比較 (從48VDC至3.3VDC和1.8VDC)

對于越來(lái)越多的產(chǎn)品而言,相比于降低重負載時(shí)的功率損耗,減少輕負載時(shí)的功率損耗具有同等的重要性 —— 假如不說(shuō)更重要的話(huà)。子系統被設計成盡可能長(cháng)地工作于較低功耗的待機或睡眠狀態(tài) (旨在節能),并只在需要時(shí)候吸取峰值功率 (滿(mǎn)負載)。LTM4611支持脈沖跳躍模式和突發(fā)模式(Burst Mode)操作,與連續導通模式相比,其在低于3A負載電流條件下的效率水平有了大幅度的提升。

多個(gè)電源的均流以提供60A或更大的輸出電流 

對于需要提供高達60A輸出的電源軌,可支持多達4個(gè)LTM4611 μModule穩壓器的均流。電流模式控制使得模塊的均流特別可靠且易于實(shí)現,同時(shí)在啟動(dòng)、瞬變及穩態(tài)操作情況下甚至可以確保模塊之間的均流。 

相比之下,許多電壓模式模塊則是通過(guò)采用主-從配置或“壓降均分 (droop-sharing)”(也被稱(chēng)為“負載線(xiàn)路均分”) 來(lái)實(shí)現均流。在啟動(dòng)和瞬態(tài)負載條件下,主-從模式容易遭受過(guò)流跳變,而壓降均分則會(huì )導致負載調節指標下降,且在瞬態(tài)負載階躍期間幾乎無(wú)法保證優(yōu)良的模塊至模塊電流匹配。LTM4611通?稍跓o(wú)負載至滿(mǎn)負載范圍內提供優(yōu)于0.2%的負載調節 —— 在-40℃至125℃的整個(gè)內部模塊溫度范圍內則可達0.5% (最大值)。 

負載上的準確穩壓 

高電流低電壓FPGA、ASIC、微處理器 (μP) 等常常需要在封裝端子(例如:VDD 和 DGND 引腳)上提供經(jīng)過(guò)精確調節的極其準確的電壓 —— 標稱(chēng)VOUT的±3%(或更好)。在如此高的電流水平和低電壓電平下,PCB 走線(xiàn)中的阻性分配損耗有可能對負載上的電壓產(chǎn)生影響。為了滿(mǎn)足針對低輸出電壓的這一嚴格的穩壓要求,LTM4611 提供了一個(gè)單位增益差分放大器,用于在電壓低于或等于3.7V的情況下在負載端子上進(jìn)行遠端采樣。由圖1可見(jiàn),POL兩端的差分反饋信號(VOSNS+ – VOSNS-) 在DIFF_VOUT上被重構 (相對于模塊的局部地SGND),從而使得控制環(huán)路能夠對模塊的輸出引腳與POL器件之間的功率輸送通路中的任何壓降進(jìn)行補償。 

當LTM4611的輸出電壓處于標稱(chēng)VOUT的±5%之內時(shí),一個(gè)內部輸出電壓電源良好(PGOOD) 指示器引腳將提供一個(gè)邏輯高電平漏極開(kāi)路信號;否則,PGOOD引腳將被拉至邏輯低電平。當輸出電壓超過(guò)了標稱(chēng)值的107.5% 時(shí),將觸發(fā)輸出過(guò)壓保護功能電路并接通內部低端MOSFET,直到這種輸出電壓過(guò)高的狀況被清除為止。折返電流限制可在輸出短路的情況下保護上游電源和器件本身。 

耐熱性能增強型封裝 

該器件的LGA封裝允許從頂部和底部散失熱量,因而便于使用金屬底盤(pán)或BGA散熱器。不管有沒(méi)有冷卻氣流,這種封裝的外形均有利于實(shí)現卓越的熱耗散。圖4示出了LTM4611頂面的IR熱成像圖,由圖可見(jiàn):當執行1.8V輸入至1.5V/15A輸出轉換且無(wú)冷卻氣流時(shí),在實(shí)驗臺上測得的功率損耗僅為3.2W。 

如前文所述,在1.8V的低輸入電壓條件下,為了以足夠的幅度驅動(dòng)柵極以使功率MOSFET完全飽和,不具備偏置電源的傳統型電源IC解決方案將會(huì )十分吃力。因此,其熱性能將低于 LTM4611所能提供的水平(如圖4所示),這是由于后者具有內部微功率偏置發(fā)生器。 

面向高級數據系統的DC/DC電源架構設計(電子工程專(zhuān)輯)
圖4:LTM4611穩壓器從一個(gè)1.8V輸入產(chǎn)生1.5V/15A輸出時(shí)的頂部熱成像圖。功率損耗為3.2W。無(wú)冷卻氣流情況下的實(shí)驗臺測試產(chǎn)生了一個(gè)65℃的表面溫度熱點(diǎn)。

縮減占板面積 

LTM4611內置于一種耐熱性能增強型LGA(焊盤(pán)網(wǎng)格陣列) 封裝,具有小巧的焊盤(pán)圖形 (僅 15mm x 15mm)和實(shí)際體積(高度僅為 4.32mm —— 占用的空間只有區區1cm3),可提供引人注目的效率。除了高效率之外,在給定的輸入電壓條件下,LTM4611的功耗曲線(xiàn)相對平坦,從而使LTM4611的熱設計以及在后續產(chǎn)品中的重復使用變得簡(jiǎn)單易行 —— 即使在中間總線(xiàn)電壓由于IC芯片不斷縮小而日益下降的情況之下也不例外。 

一款可靠的解決方案 

凌力爾特公司的μModule穩壓器 (比如:LTM4611) 按照與產(chǎn)品序列中的其他封裝集成電路一樣嚴格的標準進(jìn)行測試。在向公眾發(fā)布之前,產(chǎn)品必須順利地通過(guò)一系列的測試,例如:依據 JEDEC 規范進(jìn)行的工作壽命測試、+85℃/85% 溫度-濕度偏置、溫度循環(huán)、機械沖擊、振動(dòng)等等。這種原則使工程師們擁有了十足的信心:這些高集成度解決方案完全能夠提供堪與傳統開(kāi)關(guān)轉換器相媲美的可靠性,而后者卻需要具有眾多相關(guān)聯(lián)的外部組件,必須由采購、制造和質(zhì)量部門(mén)進(jìn)行購置、裝配和檢驗。 

結語(yǔ) 

業(yè)界迫切需提高速度性能和降低功耗,因而促使數字組件的工作電壓不斷降低。為了適應這一發(fā)展趨勢,DC/DC磚型模塊供應商正在推出能夠以很高的效率直接將分配電壓軌(24V 或48V)降壓至一個(gè)低于5V的輸出電壓之新型器件。完全為了有效運行傳統開(kāi)關(guān)轉換器而產(chǎn)生一個(gè)5V偏置電壓軌的做法會(huì )增加不希望的成本、功耗、復雜性或組件。LTM4611內置于單個(gè)LGA封裝 (許多其他的集成電路都采用這種封裝) 之中,其在整個(gè)輸入電壓范圍內保持了高效率和上佳的熱性能。LTM4611是一款簡(jiǎn)潔和高度可靠的降壓型穩壓器,可輕松適應那些需要從低至1.5V的輸入電壓提供高輸出電流的負載點(diǎn)應用,并降低了采用 “額外”電壓軌的必要性。

 
 
 
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