日本知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）面向服務(wù)器、筆記本電腦以及平板電腦等所使用的低耐壓DC/DC轉換器，開(kāi)發(fā)出了功率MOSFET。  

新系列的產(chǎn)品陣容為耐壓30V的共16種產(chǎn)品。羅姆獨家的高效特性，有助于各種設備的DC/DC電源電路實(shí)現更低功耗。另外，根據不同用途提供3種小型封裝，可減少安裝面積，更加節省空間。

關(guān)于生產(chǎn)基地，前期工序在羅姆的總部（日本京都市），后期工序在ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.（泰國），從2012年4月開(kāi)始出售樣品（樣品價(jià)格30～50日元/個(gè)），從5月份開(kāi)始以月產(chǎn)100萬(wàn)個(gè)的規模進(jìn)行量產(chǎn)。

近年來(lái)，隨著(zhù)服務(wù)器和筆記本電腦等的高性能化發(fā)展，CPU等的功耗不斷增加，工作電壓越發(fā)低電壓化，設備的電源電路的溫升和電池驅動(dòng)時(shí)間減少已成為很大問(wèn)題。在這種情況下，在同期整流方式降壓型DC/DC轉換器等各種電源電路中內置功率MOSFET，使之承擔與提高電源的電力轉換效率直接相關(guān)的重要作用。為了實(shí)現高效低損耗的功率MOSFET，降低導通電阻和柵極容量是非常重要的，然而權衡兩者的關(guān)系后，往往很難同時(shí)兼顧。

新系列產(chǎn)品，除了進(jìn)一步微細化，采用羅姆獨家的低容量構造和新的“溝槽式場(chǎng)板結構”，同時(shí)實(shí)現了低柵極容量與低導通電阻。作為DC/DC轉換器用功率MOSFET的性能指數所使用的“FOM”與傳統產(chǎn)品相比降低了50％，達到了業(yè)界頂級的高效性。由此，不僅降低了同期整流型DC/DC電源電路的高邊（High Side）的開(kāi)關(guān)損耗，而且降低了低邊（Low Side）的導通損耗，可大大提高電路整體的效率。另外，能夠在高頻下進(jìn)行同期整流動(dòng)作，使外圍部件的小型化成為可能。

此外，本產(chǎn)品為了確保在同期整流電路中的性能，針對Rg（柵極電阻）、UIS（L負載雪崩耐量）實(shí)施了100%試驗，在質(zhì)量方面也具有高可靠性。羅姆今后也將充分發(fā)揮獨創(chuàng )的先進(jìn)工藝加工技術(shù)，不斷推進(jìn)設想到客戶(hù)需求的晶體管產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)。

＜特點(diǎn)＞

1）  低導通電阻、低容量

進(jìn)一步微細化，同時(shí)，采用羅姆獨家的低容量構造和新的“溝槽式場(chǎng)板結構”，實(shí)現了低容量與低導通電阻兼備的元件。與羅姆傳統產(chǎn)品相比，表示功率MOSFET的性能指數的“FOM”數值可降低50％。

2）  實(shí)現業(yè)界頂級的高效率

在同期整流型DC/DC電源電路中采用此次的功率MOSFET，可大大降低電力損耗，因此有助于設備的更低功耗。特別是高頻下的特性卓越，使外圍部件的小型化成為可能。

3）  采用小型封裝，有助于更加節省空間，產(chǎn)品陣容中還包括復合封裝

根據不同用途，提供3種小型封裝。HSMT8比HSOP8的安裝面積減少了65%，為節省空間做出巨大貢獻。而且，產(chǎn)品陣容中還包括DC/DC電源電路中的高邊（High Side）用MOSFET與低邊（Low Side）用MOSFET復合化的新封裝HSOP8(Dual)。不僅安裝面積減小，而且還可有助于減少安裝次數。

＜規格＞

＜術(shù)語(yǔ)解說(shuō)＞

・DC/DC轉換器

將直流電壓轉換為直流電壓的電源電路。例如，將服務(wù)器和電腦等設備內部的12V標準電壓轉換為使微處理器和存儲器等IC工作的各種電壓（5V～0.9V等）。

・FOM（Figure of merit）

表示功率MOSFET性能的指數，以Ron×Qgd的數值表示。數值越小越優(yōu)異。