本文通過(guò)n 個(gè)倍流整流結構交錯并聯(lián)方式用以進(jìn)一步減小紋波電流。給出了電路的開(kāi)關(guān)信號波形和仿真模型, 并使用Pspice 仿真軟件對該模型進(jìn)行仿真, 取得滿(mǎn)意效果。最后通過(guò)實(shí)驗驗證。這種結構特別適用于通信設備、計算機、宇航等領(lǐng)域的電源。
1 引言
近年來(lái), 隨著(zhù)計算機微處理器的輸入電壓要求越來(lái)越低, 低壓大電流DC - DC 變換器的研究得到了許多研究者的重視,各種拓撲結構層出不窮,同步整流技術(shù)、多重多相技術(shù)、磁集成技術(shù)等也都應用于這個(gè)領(lǐng)域。筆者提出了一種交錯并聯(lián)的低壓大電流DC - DC 變換器, 它的一次側采用對稱(chēng)半橋結構, 而二次側采用倍流整流結構。采用這種結構可以極大地減小濾波電容上的電流紋波,從而極大地減小了濾波電感的大小與整個(gè)DC - DC 變換器的尺寸。這種變換器運行于48 V 的輸入電壓和100 kHz 的開(kāi)關(guān)頻率的環(huán)境。
2 倍流整流的低壓大電流DC - DC變換器的結構分析
倍流整流低壓大電流DC-DC 變換器的電路原理圖如圖1 所示, 一次側采用對稱(chēng)半橋結構, 二次側采用倍流整流結構, 在S1 導通時(shí)SR1 必須截止, L1 充電; 在S2 導通時(shí)SR2 必須截止, L2 充電,這樣濾波電感電流就會(huì )在濾波電容上移項疊加。圖2 給出了開(kāi)關(guān)控制策略。

圖1 倍流整流的低壓大電流DC- DC變換器的電路原理圖

圖2 開(kāi)關(guān)的控制策略
通過(guò)以上分析可以看出, 倍流整流結構的二次側2 個(gè)濾波電感電流在濾波電容上相互疊加, 從而使得輸出電流紋波變得相當小。
結構中的同步整流器均按外加信號驅動(dòng)處理,使控制變得很復雜, 但在這種半橋- 倍流拓撲結構中使用簡(jiǎn)單的自驅動(dòng)方式很困難, 因為,在這種結構中, 如果直接從電路中取合適的點(diǎn)作為同步整流器的驅動(dòng)信號, 在死區時(shí)間內當這個(gè)驅動(dòng)信號為零時(shí),同步整流器就會(huì )截止。為了在半橋- 倍流拓撲結構中使用自驅動(dòng)方式, 就必須使用到輔助繞組。
以單個(gè)半橋- 倍流拓撲結構為例, 見(jiàn)圖3 , VSEC為變壓器的二次側電壓, Vgs為由輔助繞組獲得的同步整流器的驅動(dòng)電壓,可以看出即使在死區的時(shí)間內, 同步整流器的驅動(dòng)電壓也不可能為零, 保證了自驅動(dòng)方式在這種拓撲結構中的應用。

圖3 自驅動(dòng)同步整流器電路及波形圖
另外, 由于在大電流的情況下MOSFET 導通壓降將增大, 從而產(chǎn)生較大的導通損耗, 為此應采用多個(gè)MOSFET 并聯(lián)方法來(lái)減小損耗。
3 交錯并聯(lián)低壓大電流DC - DC 變換器
3.1 電路原理圖
綜上所述, 倍流整流低壓大電流DC - DC 變換器具有很好的性能, 在此基礎上引入交錯并聯(lián)技術(shù), 構成一種新的結構,稱(chēng)為并聯(lián)低壓大電流DC - DC變換器, 可以進(jìn)一步減小輸出電流紋波。
圖4 為交錯并聯(lián)低壓大電流DC - DC 變換器的電路原理圖(以最簡(jiǎn)單的2 個(gè)倍流整流交錯并聯(lián)為例)。

圖4 交錯并聯(lián)低壓大電流DC- DC變換器的電路原理圖
3.2 變換器的開(kāi)關(guān)控制策略
交錯并聯(lián)低壓大電流DC - DC 變換器的開(kāi)關(guān)控制策略見(jiàn)圖5。

圖5 交錯并聯(lián)低壓大電流DC- DC變換器的開(kāi)關(guān)控制策略
3.3 交錯并聯(lián)低壓大電流DC- DC變換器性能
首先這種拓撲結構最大的優(yōu)點(diǎn)是變壓器原邊的結構簡(jiǎn)化, 控制變得很簡(jiǎn)單。其次, 這種方法的實(shí)現必須采用同步整流電路,因為交錯并聯(lián)電路的實(shí)現要求變壓器副邊上下電位輪流為正, 在一個(gè)時(shí)間段內有且只有一個(gè)為正電位, 其余都為零電位。但在這種拓撲結構中,由于2 個(gè)變壓器的原邊串聯(lián)在一起, 而副邊是并聯(lián)的, 這樣如果用肖特基二極管作整流器, 那么輸入電壓將在2 個(gè)變壓器原邊上分壓,而肖特基二極管又沒(méi)有選通的功能, 這樣變壓器二次側的波形將是完全對稱(chēng)的, 上下2 個(gè)整流電路的電流完全重合,達不到電流交錯并聯(lián)的目的。
這樣, 應用同步整流器來(lái)完成這個(gè)功能, 同時(shí)利用MOSFET 的雙向導電特性,因為同步整流管的漏源電流是分布在坐標橫軸兩側的。這種結構的過(guò)程詳細分析如下:
1) S1 導通, S2 截止; S3 截止, S4 , S5 , S6 均導通。由于S4 , S5 , S6 的導通,第一變壓器副邊繞組下端為零電位,第二變壓器副邊繞組上、下端均為零電位,電感L1 上電流上升, L2 , L3 , L4 上電流下降。

2) S2 導通, S1 截止; S4 截止, S3 , S5 , S6 均導通。由于S3 , S5 , S6 的導通,第一變壓器副邊繞組上端為零電位,第二變壓器副邊繞組上、下端均為零電位, 電感L2 上電流上升, L1 , L3 , L4 上電流下降。

3) S1 導通, S2 截止; S5 截止, S3 , S4 , S6 均導通。由于S3 , S4 , S6 的導通,第二變壓器副邊繞組下端為零電位,第一變壓器副邊繞組上、下端均為零電位, 電感L3 上電流上升, L1 , L2 , L4 上電流下降。

4) S2 導通, S1 截止; S6 截止, S3 , S4 , S5 均導通。由于S3 , S4 , S5 的導通,第二變壓器副邊繞組上端為零電位,第一變壓器副邊繞組上、下端均為零電位, 電感L4 上電流上升, L1 , L2 , L3 上電流下降。

以上各式均忽略整流器的電壓降, 且V SEC為變壓器二次側的電壓值。
根據以上分析可知, 應用同步整流器, 通過(guò)變壓器原邊串聯(lián)而副邊并聯(lián)的方法, 可以實(shí)現這種交錯并聯(lián)半橋- 倍流拓撲結構。它的優(yōu)點(diǎn)主要有以下幾個(gè)方面:
1) 有效地簡(jiǎn)化了拓撲結構和控制策略。
2) 在頻率保持不變的情況下, 如果紋波的峰- 峰值一定, 則這種結構可以有效減小濾波電感的值, 從而加快整個(gè)變換器的動(dòng)態(tài)響應時(shí)間。
3) 交錯并聯(lián)的半橋- 倍流拓撲結構與非交錯并聯(lián)的半橋- 倍流拓撲結構相比, 一次側和二次側的導通損耗相差不多,但由于采用交錯并聯(lián)技術(shù),二次側的開(kāi)關(guān)頻率是原來(lái)的一半,相應的開(kāi)關(guān)損耗也是原來(lái)的一半。由于變換器的開(kāi)關(guān)損耗在整個(gè)損耗統計中占很大的比例, 因此, 交錯并聯(lián)技術(shù)可以極大地提高變換器的效率。
4 仿真分析
應用Pspice 軟件對電路進(jìn)行仿真。電路的參數如下: 開(kāi)關(guān)頻率為100 kHz , 占空比為40 % ,輸入電壓為48 V , 濾波電感為2μH , 濾波電容為820μF , 輸出電流為60 A , 輸出電壓為1125 V。
圖6 所示為濾波電感的電流波形, 從圖6 可以看出, 4 個(gè)濾波電感的電流輪流充電, 如果一個(gè)濾波電感在充電, 其余3 個(gè)電感必須在放電, 在死區時(shí)間內, 4 個(gè)濾波電感都在放電。
圖7 和圖8 所示分別為交錯并聯(lián)變換器與單個(gè)倍流整流變換器結構的輸出電流紋波波形, 從圖7中可以看出, 4 個(gè)濾波電感的電流在濾波電容上疊加, 可以把電流的紋波減小很多。

圖6 濾波電感電流波形

圖7 交錯并聯(lián)變換器結構的輸出電流紋波波形

圖8 單個(gè)倍流整流變換器結構的輸出電流紋波波形
5 實(shí)驗結果
通過(guò)理論研究及仿真分析, 可以看出, 交錯并聯(lián)的低壓大電流DC - DC 變換器具有良好的性能,在輸出為1125 V/ 60 A 的情況下, 輸出電流紋波可以降到很小。為了進(jìn)一步說(shuō)明這種拓撲結構的可行性, 用實(shí)驗結果驗證。實(shí)驗電路見(jiàn)圖4 , 實(shí)驗參數和仿真相同,最后得到如圖9 所示的實(shí)驗波形。圖9 中, V gs為一次側一個(gè)MOSFET 的門(mén)極驅動(dòng)電壓波形, V ds則為相應的MOSFET 的柵源電壓波形,從圖9 可以看出, 實(shí)驗結果所得波形同圖5 的理論分析結果十分吻合, 所提出的方法是可行的。其中, 變壓器選用R2 KB 軟磁鐵氧體材料制作的GU22 磁心, 原副邊的匝數分別為8 匝和1 匝; 電感選用寬恒導磁材料IJ 50h 制作的環(huán)形鐵心T5 - 10 - 215 ,匝數為8 匝。

圖9 實(shí)驗波形
6 結語(yǔ)
通過(guò)仿真及實(shí)驗分析, 得出以下結論: 對于低壓大電流DC - DC 變換器, 可以通過(guò)交錯并聯(lián)的方法, 進(jìn)一步減小輸出電流紋波,效果十分明顯;或者在同樣輸出電流紋波情況下, 可以極大地減小濾波電感值, 從而減小整個(gè)變換器的尺寸,提高變換器的瞬態(tài)響應特性。所討論的2 個(gè)倍流整流結構交錯并聯(lián)案例同樣適應于多個(gè)倍流整流結構交錯并聯(lián)的情況。 |