意法半導體的新HB系列絕緣柵雙極晶體管(IGBT，Insulated-Gate Bipolar Transistors)擁有比競爭對手的高頻產(chǎn)品低達40%的關(guān)機能耗，同時(shí)可降低達30%的導通損耗。

HB系列利用意法半導體的溝柵式場(chǎng)截止型高速晶體管制造工藝，集電極關(guān)斷尾電流極低，飽和電壓(Vce(sat))為1.6V (典型值)，從而最大限度降低了開(kāi)關(guān)和導通時(shí)的能耗。此外，這項技術(shù)具有良好的可控性，參數分布窗口十分緊密，從而可提高設計再用性，簡(jiǎn)化系統設計。

意法半導體的HB系列IGBT 可提升目標應用的能效，例如太陽(yáng)能逆變器、電磁爐、電焊機、不間斷電源、功率因數校正器和高頻功率轉換器。650V的寬額定工作電壓確保環(huán)境溫度在-40°C時(shí)擊穿電壓至少600V，使其特別適用于高寒地區的太陽(yáng)能逆變器。175°C的最大工作結溫和寬安全工作區(SOA)提高了產(chǎn)品的可靠性，準許目標應用使用更小的散熱器。

可選參數包括30A到80A(在100°C時(shí))的最大額定電流、多種主流的功率封裝和為諧振或硬開(kāi)關(guān)電路優(yōu)化的內置二極管的封裝。

HB系列產(chǎn)品現已量產(chǎn)。