意法半導體的 PWD13F60系統封裝(SiP)產(chǎn)品在一個(gè)13mm x 11mm的封裝內集成一個(gè)完整的600V/8A單相MOSFET全橋電路，能夠為工業(yè)電機驅控制器、燈具鎮流器、電源、功率轉換器和逆變器廠(chǎng)家節省物料成本和電路板空間。

不僅比采用分立器件設計的類(lèi)似全橋電路節省電路板空間60%，PWD13F60還能提升最終應用的功率密度。市場(chǎng)上在售的全橋模塊通常是雙FET半橋或六顆FET三相產(chǎn)品，而PWD13F60則集成四顆功率MOSFET，是一個(gè)能效特別高的替代方案。與這些產(chǎn)品不同，只用一個(gè)PWD13F60即可完成一個(gè)單相全橋設計，這讓內部MOSFET管沒(méi)有一個(gè)被閑置。新全橋模塊可靈活地配置成一個(gè)全橋或兩個(gè)半橋。

利用意法半導體的高壓 BCD6s-Offline制造工藝，PWD13F60集成了功率 MOSFET柵驅動(dòng)器和上橋臂驅動(dòng)自舉二極管，這樣設計的好處是簡(jiǎn)化電路板設計，精簡(jiǎn)組裝過(guò)程，節省外部元器件。柵驅動(dòng)器經(jīng)過(guò)優(yōu)化改進(jìn)，取得了高開(kāi)關(guān)可靠性和低EMI(電磁干擾)。該系統封裝還有交叉導通防護和欠壓鎖保護功能，有助于進(jìn)一步降低占位面積，同時(shí)確保系統安全。

PWD13F60的其它特性包括低至6.5V的寬工作電壓，配置靈活性和設計簡(jiǎn)易性得到最大限度提升。此外，新系統封裝輸入引腳還接受 3.3V-15V邏輯信號，連接微控制器(MCU)、數字處理器(DSP)或霍爾傳感器十分容易。

PWD13F60即日上市，采用高散熱效率的多基島VFQFPN封裝。

按照新摩爾定律(MtM)多元化設想，意法半導體正在推動(dòng)其BCD (集成雙極-CMOS-DMOS)工藝向高電壓、高功率和高密度三個(gè)方向發(fā)展。BCD6s-Offline是一項0.32µm高壓制造工藝，另外兩個(gè)高壓技術(shù) 是 BCD6s-SOI 和 0.16µm BCD8s-SOI，而B(niǎo)CD8sP和 0.11µm BCD9s是高密度制造工藝。憑借其BCD制造技術(shù)組合以及系統封裝(SiP)技術(shù)專(zhuān)長(cháng)（另一項MtM技術(shù)，在同一個(gè)封裝內疊放或平鋪多顆裸片），意法半導體有能力提升產(chǎn)品性能，縮短新產(chǎn)品研發(fā)周期，按照智能功率應用的需求提供特定的功能。高度優(yōu)化、尺寸緊湊的PWD13F60是意法半導體利用其在 MtM技術(shù)上的領(lǐng)先優(yōu)勢開(kāi)發(fā)出來(lái)的最新產(chǎn)品。