全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都）新推出四款支持汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101※1）的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品非常適用于電動(dòng)壓縮機※2）的逆變器電路和PTC加熱器※3）的開(kāi)關(guān)電路，而且傳導損耗更低※4），達到業(yè)界領(lǐng)先水平，非常有助于應用的小型化與高效化。另外，加上已經(jīng)在量產(chǎn)中的650V產(chǎn)品，該系列共擁有11種機型，產(chǎn)品陣容豐富，可滿(mǎn)足客戶(hù)多樣化需求。
該系列產(chǎn)品已于2019年1月份開(kāi)始暫以月產(chǎn)100萬(wàn)個(gè)的規模投入量產(chǎn)（樣品價(jià)格750日元～／個(gè)，不含稅）。前期工序的生產(chǎn)基地為L(cháng)APIS Semiconductor Miyazaki Co.,Ltd.（日本宮崎縣），后期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Integrated Systems （Thailand）（泰國）。
近年來(lái)，隨著(zhù)環(huán)保意識的提高和燃油價(jià)格的飆升，電動(dòng)汽車(chē)的市場(chǎng)需求不斷增長(cháng)。搭載引擎的傳統車(chē)輛，壓縮機的動(dòng)力源為引擎，而隨著(zhù)電動(dòng)車(chē)輛的增加，壓縮機日益電動(dòng)化，而且其市場(chǎng)規模也在不斷擴大。另外，以往汽車(chē)空調制熱，是利用引擎運行的廢熱；如今以PTC加熱器為熱源使溫水循環(huán)制熱的系統等的需求也在日益增加。由于驅動(dòng)頻率較低，這些應用的逆變器電路和開(kāi)關(guān)電路中所使用的半導體主要是IGBT。尤其是在電動(dòng)汽車(chē)中，壓縮機和加熱器的功耗會(huì )影響續航距離，因此需要更高的效率。
另一方面，為了延長(cháng)電動(dòng)汽車(chē)（EV）的續航距離，所配置電池的容量也呈日益增加趨勢。特別是在歐洲，采用高電壓（800V）電池的汽車(chē)越來(lái)越多，這就需要更高耐壓且更低損耗的功率元器件。因此，除650V耐壓的IGBT產(chǎn)品外，對1200V耐壓IGBT的需求也日益高漲。
在這種背景下，ROHM開(kāi)發(fā)出滿(mǎn)足汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101的1200V耐壓產(chǎn)品，與650V耐壓產(chǎn)品共同構成了豐富的產(chǎn)品陣容。RGS系列實(shí)現了業(yè)界領(lǐng)先的低傳導損耗（Vce(sat.)），非常有助于應用的小型化和高效化。此外，1200V耐壓產(chǎn)品的短路耐受※5）時(shí)間為10μsec（Tj=25℃），即使在要求高可靠性的車(chē)載領(lǐng)域也可放心使用。
＜特點(diǎn)＞
1. 業(yè)界領(lǐng)先的低傳導損耗
通過(guò)優(yōu)化器件結構，在1200V耐壓級別將傳導損耗（VCE(sat.)）降至1.70V（typ Tj=25℃），與其他公司同等產(chǎn)品（1200V、40A產(chǎn)品）相比，傳導損耗改善了約10～15%。
尤其是在電動(dòng)壓縮機和PTC加熱器中，由于驅動(dòng)頻率較低，故對傳導損耗的重視程度高于開(kāi)關(guān)特性，RGS系列的出色表現已經(jīng)獲得客戶(hù)的高度好評。
2. 產(chǎn)品陣容豐富，滿(mǎn)足客戶(hù)多樣化需求
此次推出的四款1200V耐壓產(chǎn)品，加上量產(chǎn)中的650V耐壓產(chǎn)品，共11種機型。產(chǎn)品陣容中包括IGBT單品和續流二極管※6）內置型兩種類(lèi)型的產(chǎn)品，客戶(hù)可根據需求自由選用。
＜目標電路示例＞
＜術(shù)語(yǔ)解說(shuō)＞
※1）汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101
AEC是Automotive Electronics Council的縮寫(xiě)，是大型汽車(chē)制造商和美國大型電子元器件制造商聯(lián)手制定的汽車(chē)電子元器件的可靠性標準。Q101是專(zhuān)門(mén)針對分立半導體元器件（晶體管、二極管等）制定的標準。
※2）電動(dòng)壓縮機
內置電機的壓縮機。主要用于混合動(dòng)力汽車(chē)和電動(dòng)汽車(chē)等的空調中。
※3）PTC（Positive Temperature Coefficient：正溫度系數）加熱器
電流流過(guò)PTC元件使之產(chǎn)生熱量。低溫時(shí)會(huì )流過(guò)大電流，產(chǎn)生大量熱量，隨著(zhù)發(fā)熱量的增加，電阻值增大，電流受限，從而抑制發(fā)熱量。利用這些特性，可加熱空氣和水，并使之循環(huán)，從而成為制熱用的熱源。
※4）傳導損耗
MOSFET和IGBT等晶體管因元器件結構的緣故，在電流流動(dòng)時(shí)會(huì )發(fā)生電壓下降。傳導損耗是因這種元器件的電壓下降而產(chǎn)生的損耗。
※5）短路耐受能力
對于引起元器件損壞的短路（用低阻值的電阻器連接電子電路的兩點(diǎn)）的耐受能力。
※6）續流二極管
當電流在線(xiàn)圈中流動(dòng)時(shí)，能量被存儲為磁場(chǎng)，因此即使在開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)也會(huì )產(chǎn)生電壓以保持磁場(chǎng)，為了防止這種情況，與開(kāi)關(guān)元件并聯(lián)插入的二極管。 |
