中國上海，2019年12月25日——東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）今日宣布，推出兩款面向車(chē)載48V電氣系統應用的新型100V N溝道功率MOSFET。該系列包括具備低導通電阻的“XPH4R10ANB”-其漏極電流為70A，以及“XPH6R30ANB”-其漏極電流為45A。批量生產(chǎn)和出貨計劃于今天開(kāi)始。
MOSFET產(chǎn)品圖
新產(chǎn)品是東芝首款[1]采用緊湊型SOP Advance（WF）封裝的車(chē)用100V N溝道功率MOSFET。封裝采用可焊錫側翼端子結構，安裝在電路板上時(shí)能夠進(jìn)行自動(dòng)目視檢查，從而有助于提高可靠性。新型MOSFET的低導通電阻有利于降低設備功耗；XPH4R10ANB擁有業(yè)界領(lǐng)先的[2]低導通電阻。
應用：
・汽車(chē)設備
電源裝置（DC-DC轉換器）和LED頭燈等（電機驅動(dòng)、開(kāi)關(guān)穩壓器和負載開(kāi)關(guān)）
特性：
・東芝的首款[1]100V車(chē)用產(chǎn)品使用小型表面貼裝SOP Advance（WF）封裝
・通過(guò)AEC-Q101認證
・低導通電阻：
RDS(ON)=4.1mΩ（最大值）@VGS=10V（XPH4R10ANB）
RDS(ON)=6.3mΩ（最大值）@VGS=10V（XPH6R30ANB）
・采用可焊錫側翼端子結構的SOP Advance（WF）封裝
主要規格：
（除非另有說(shuō)明，@Ta=25°C）
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器件型號
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XPH4R10ANB
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XPH6R30ANB
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極性
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N溝道
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絕對最大額定值
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漏源極電壓
VDSS
（V）
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100
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漏極電流
（DC）
ID
（A）
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70
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45
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漏極電流
（脈沖）
IDP
（A）
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210
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135
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溝道溫度
Tch
（℃）
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175
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漏源極導通電阻
RDS(ON)最大值
（mΩ）
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@VGS=6V
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6.2
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9.5
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@VGS=10V
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4.1
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6.3
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溝道至外殼熱阻
Zth(ch-c)
最大值
@Tc=25℃
（℃/W）
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0.88
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1.13
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封裝
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SOP Advance（WF）
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產(chǎn)品系列
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U-MOSVIII-H
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U-MOSVIII-H
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注釋?zhuān)?/font>
[1] 截至2019年12月25日
[2] 在同樣規格的產(chǎn)品中，截至2019年12月25日。東芝調查。 |
