借助 USB Type-C 連接器,用戶(hù)可以通過(guò)同一連接器為筆記本電腦充電并連接到顯示器、音箱、存儲設備或耳機。利用 USB 功率傳輸(PD),之前分離的許多功能現在都可以集成到同一連接器上。USB PD 協(xié)議允許為發(fā)送設備或接收設備提供 5A 的電流。
對于某些應用,5 A的電流可能是不足夠的,因此需要定制。德州儀器(TI)可在雙電源模式下配置USB PD控制器。該模式下,兩個(gè)USB Type-C電源路徑可并聯(lián)運行,在與標準USB PD電源相同電壓條件下,(5 V、9 V、15 V和20V)提供多達10 A的電流能力。這種自定義行為在電源設計和PD控制器的配置中都需要特別考慮。
硬件設計
在設計大電流系統時(shí),需要考慮熱性能和效率這兩個(gè)具體的設計要素。我們來(lái)討論一下電源轉換器的設計,市場(chǎng)上大多數筆記本電腦的充電電壓為 20V,標準筆記本電腦充電器中 AC/DC 轉換器的直流輸出電壓為 19.5V至 20V。對于在 USB PD 協(xié)議中定義的 20 V USB PD,19.5 V 電壓是在允許的 5%誤差內的。如果降壓控制器在外部場(chǎng)效應晶體管(FET)上支持 100%占空比,則允許僅采用降壓電源架構的設計。還可以與降壓轉換器并聯(lián),增加一個(gè)旁路路徑,這將輸入電壓直接傳遞至降壓轉換器輸出,無(wú)需通過(guò)電感。這種方法可具備出色的熱性能,但需要添加兩個(gè)額外的 FET。
DC/DC降壓設計
對于這個(gè)具體的設計示例,我會(huì )使用 TI 的 LM3489 磁滯 p 溝道 FET(PFET)控制器。該集成電路(IC)允許外部 PFET 上 100%的占空比,可直接從 AC/DC 轉換器通過(guò)外部 19.5 V。市場(chǎng)上大多數 USB PD 控制器都具有通用輸入/輸出(GPIO),用于控制外部穩壓器輸出電壓。PD 控制器可以通過(guò)調節降壓的反饋網(wǎng)絡(luò )來(lái)調整 LM3489 DC/DC 降壓轉換器的輸出電壓。

圖 1.DC/DC 可調反饋網(wǎng)絡(luò )。
圖1所示的架構可用于輸出所有四個(gè)標準USB PD電壓(5V、9V、15V和20 V)。選擇R1和R2時(shí),默認輸出電壓為5V。USB PD控制器協(xié)議更高的電源電壓時(shí),它會(huì )切換GPIO信號,打開(kāi)反饋網(wǎng)絡(luò )中的n溝道FET(NFET),調節輸出電壓。啟用Q1時(shí),反饋網(wǎng)絡(luò )會(huì )進(jìn)行調整,使R2和R3與分壓器頂部的R1并聯(lián)。選擇R3、R2時(shí),R3與分壓器頂部的R1并聯(lián)會(huì )產(chǎn)生9 V輸出。啟用Q2時(shí),反饋網(wǎng)絡(luò )會(huì )進(jìn)行調整,使R2和R4與分壓器頂部的R1并聯(lián)。選擇R4時(shí),R2和R4與分壓器頂部的R1的并聯(lián)電阻產(chǎn)生15 V輸出。最后,啟用Q1和Q2時(shí),R2、R3和R4均與分壓器頂部的R1并聯(lián)。選擇電阻值,產(chǎn)生20 V輸出。設計輸出大于 5 A 的系統時(shí),旁路通路可以直接將AC/DC 輸出電壓傳遞給系統中的 VBUS FET。使用通過(guò)GPIO 控制的 PFET 旁路通路是一種實(shí)現此目的的簡(jiǎn)單方法.
對于此應用,使用具有低RDS(on)且相對較大的PFET,通過(guò)外部旁路通路將損耗降至更低。這種電源架構使LM3489能根據所連接的設備產(chǎn)生所有標準USB PD的電壓。一旦交替模式(AlternateMode)啟動(dòng)協(xié)商高功率模式,,USB PD控制器就可以切換GPIO,使外部旁路通路能夠直接將AC/DC輸出電壓傳遞給VBUSFET。這樣USB PD電源系統便能夠保持兼容,同時(shí)使高功率模式下的損耗更小。圖 2 重點(diǎn)說(shuō)明了電源架構-包括由背對背 PFET 組成的旁路路徑。當路徑禁用時(shí),VOUT 側 PFET 的體二極管會(huì )阻止 AC/DC 電源電壓泄漏到 LM3489 的輸出。協(xié)議并進(jìn)入交替模式,會(huì )啟用外部 PFET 路徑。切換啟動(dòng)引腳,并使用這種相同的 GPIO 信號來(lái)同時(shí)禁用 LM3489DC/DC,可以在啟用外部 PFET 路徑時(shí)使 DC/DC 不會(huì )以 20 V 反向饋電。

圖 2.帶旁路 FET 的 GPIO 控制式降壓 DC/DC。
USB PD控制器設計
USB PD 控制器對于實(shí)現前述討論的功能至關(guān)重要。它必須能夠控制 GPIO,并以更小的損耗通過(guò)其 VBUS FET
處 理 大 電 流 。 在 此 特 定 示 例 中 , 我 使 用 的 是TPS65987D。為了控制上一節中所述的 LM3489DC/DC,TPS65987D 使用真值表(表 1)中的兩個(gè)GPIO 來(lái)產(chǎn)生輸出電壓。

表1.GPIO控制真值表。
或者,如果系統的輸入電壓低于 20 V,則可以使用自帶 I2C 的降壓/升壓控制器(如 bq25703A 代替LM3489。雖然您通常需要一個(gè)微控制器(MCU)來(lái)控制降壓升壓控制器,但是借助 TPS65987D 的集成 I2C主機,MCU 就不再必需。
根據 USB PD 協(xié)議,在其配置通道(CC)線(xiàn)路上帶有RD 的設備必須將 DC/DC 控制器的輸出電容與 VBUS 隔離。在這種情況下,系統必須具有 VBUS FET 以滿(mǎn)足此協(xié)議。TPS65987D 有兩個(gè)高壓背對背集成 FET,可滿(mǎn)足此要求。TPS65987D 中的內部 FET 在 25°C 環(huán)境溫度下的 RDS(on)約為 25mΩ。對于高電流應用,此電阻可能太高。當 5 A 的電流通過(guò)其中一個(gè)內部 FET 時(shí),FET中將消耗大約 750 mW 的功率。通過(guò)雙電源模式,TPS65987D 能夠同時(shí)并聯(lián)關(guān)閉其兩個(gè)內部電源路徑。這種模式有效地將電源路徑的 RDS(on)減半,并且還使FET 內部的功耗減半。圖 3 重點(diǎn)說(shuō)明了 PD 控制器如何與此電源架構連接。

圖 3.帶旁路 FET 的 GPIO 控制式 DC/DC 降壓進(jìn)入 USB PD 控制器。
同時(shí)打開(kāi)兩個(gè)FET,不僅允許兩倍的電流通過(guò)USB PD控制器;還可以通過(guò)VBUSFET大大降低損耗。許多應用有著(zhù)非常嚴格的功率預算。高RDS(on)VBUS FET會(huì )阻礙USB Type-C在某些應用中的使用。TI通過(guò)提供更低的RDS(on)集成電源路徑解決方案解決了這一問(wèn)題,從而可以在以往從未考慮過(guò)的領(lǐng)域使用USB Type-C。
VBUS電源路徑保護
當設計一個(gè)高功率系統時(shí),保護用戶(hù)和系統免受可能在電源路徑上發(fā)生的任何有害事件至關(guān)重要。最難以防范的事件是VBUS對地短路。在這種情況下,VBUS上的電流會(huì )迅速增加;在這些高電流電平造成損壞之前,電源路徑必須立即斷開(kāi)FET。如果FET未快速斷開(kāi),突增電流可能會(huì )損壞FET和系統的其余部分。
市場(chǎng)上的許多 USB PD 控制器都沒(méi)有集成電源路徑。通過(guò)這些類(lèi)型的 USB PD 控制器,硬件設計人員可以使用分立元件提供保護。離散地實(shí)施過(guò)電流保護方案可能很繁瑣;它通常涉及使用帶有電流檢測放大器的檢測電阻。然后將電流檢測放大器的輸出饋入比較器,該比較器會(huì )觸發(fā) USB PD 控制器上的故障 GPIO,或激活電路以禁用 VBUS FET 的柵極。這不是最佳的解決方案,因為設置比較器后,就無(wú)法調整過(guò)流跳變點(diǎn)。如果 VBUS對地短路,那么相比通過(guò)集成電源路徑進(jìn)行檢測,分立式解決方案將需要更長(cháng)的時(shí)間來(lái)檢測短路并斷開(kāi) FET。
與過(guò)流保護一樣,實(shí)施反向電流保護,可以保護系統免受不合規USB PD設備或適配器的影響。使用沒(méi)有集成電源路徑的USB PD控制器需要離散地實(shí)現反向電流保護,這是選擇USB PD控制器時(shí)需要考慮的另一個(gè)設計因素。一個(gè)集成了電源路徑和保護的USB PD控制器可以節省設計時(shí)間,因為所有保護均已集成。這使您可以專(zhuān)注于設計的其他方面,而無(wú)需考慮外部電源路徑和離散保護的設計。
圖4重點(diǎn)說(shuō)明了在具有適當保護的電源路徑的VBUS對地短路期間會(huì )發(fā)生的情況。當VBUS上的電流迅速上升至約35 A時(shí),USB PD控制器檢測到此大電流并立即斷開(kāi)FET。VBUS對地短路保護必須通過(guò)硬件比較器作為固件來(lái)實(shí)現。固件實(shí)現無(wú)法足夠快速地做出反應以保護電源路徑和系統,這種電源路徑快速關(guān)斷可在發(fā)生硬短路時(shí)保護系統和FET。
如果系統沒(méi)有得到適當的保護,可能會(huì )損壞 DC/DC 和VBUS FET,系統甚至可能會(huì )變燒毀。電源發(fā)送端始終根據 USB PD 協(xié)議負責過(guò)流和短路保護。TPS65987D可以防止這些事件的發(fā)生。有關(guān)通過(guò) TPS65987D 實(shí)現的各種保護的更多信息,請參閱應用報告“TPS65987DDH 電源路徑性能和保護!

圖 4.VBUS對地短路,VBUS = 20V。
功率接收器設計
實(shí)現一個(gè)可在 USB Type-C 連接器上接收電源的設備要比發(fā)送設備更簡(jiǎn)單。接收設備不需要實(shí)施任何過(guò)流保護,因為它依賴(lài)于電源發(fā)送端進(jìn)行保護。市場(chǎng)上的許多USB PD 控制器支持“電池耗盡”操作。由于系統中唯一的電源是 VBUS,因此電池耗盡模式可以使您設計一個(gè)完全由 VBUS 供電且不需要任何外部電源的系統。當您的設備電池完全放電時(shí),電池耗盡操作使整個(gè)系統能成功啟動(dòng),并開(kāi)始為電池充電或為系統供電,而不依賴(lài)于外部電源。
圖5重點(diǎn)說(shuō)明了采用TPS65987D進(jìn)行接收設備設計的簡(jiǎn)單性。USB PD控制器會(huì )處理與發(fā)送端的協(xié)議,并相應地啟用內部電源路徑。當在發(fā)送端和接收端都使用TI USB PD控制器時(shí),將兩個(gè)設備都置于雙電源模式下可進(jìn)行大電流充電。雙電源模式會(huì )同時(shí)關(guān)閉兩個(gè)電源路徑,因此RDS(on) 會(huì )減半,且通過(guò)適當設計的電纜,高達10 A的電流可以從發(fā)送端流到接收端。

圖 5.USB PD 控制器中的并聯(lián) FET 到 VBUS。
雙電源模式
使用TI的配置工具可配置雙電源模式。為支持大電流,您必須確保接收設備和發(fā)送設備都配置為雙電源模式,且設備之間的電纜額定可承受所需的電流。這通常需要使用帶有電子標記的系留索或電纜。無(wú)電子標記的電纜不足以提供超過(guò)3 A的電流,不應將其用于大電流模式。USB PD協(xié)議規定電纜和連接器必須支持200%的工作電流條件,以便5 A電纜和連接器可以支持10 A一段時(shí)間。
當發(fā)送端設備進(jìn)入雙電源模式時(shí),它將同時(shí)并行關(guān)閉兩個(gè)電源路徑并生成 GPIO 事件,將電源配置為提供合適的電流。相反,當接收端設備進(jìn)入雙電源模式時(shí),它還會(huì )生成一個(gè) GPIO 事件,向接收系統發(fā)送信號,表明它可能開(kāi)始消耗大電流。重要的是,在兩個(gè)設備都配置為雙電源模式后,接收設備才開(kāi)始消耗大電流。
結論
USB Type-C和USB PD使末端設備能夠在同一連接器上實(shí)現更多功能。USB Type-C將高速數據和高達5 A的電流整合在一條電纜中,可為許多不同類(lèi)型的末端設備提供全面的連接解決方案。但對于所有想要轉移到USB Type-C的設計,5 A的電流不夠充分,對于這些特定的應用,雙電源模式可使系統設計人員實(shí)現較低的RDS(on)。
TI 的 TPS65987D 使用雙電源模式,提供更低 RDS(on)的解決方案,以實(shí)現大電流充電。具有集成電源路徑的USB PD 控制器可通過(guò)簡(jiǎn)化系統電源設計,來(lái)縮短設計周期時(shí)間。通過(guò)集成電源路徑保護,您可以將設計重點(diǎn)放在系統的其他方面,而不必擔心電源路徑受損。 |