概述
TPA325X 系列為T(mén)I 公司的集成MOSFET classD 單片音頻功率放大器。 有以下幾個(gè)功能特征:
單邊電源供電；體積小，最大功率450W（TPA3255,PBTL,THD=1%）;可選三種架構模式：?jiǎn)味薙E模式（4.0）；橋接BTL模式（2.0）；并行橋接PBTL模式（0.1）；可選三種classD采樣工作頻率：450kHz;500kHz;600kHz;可選限流級別，并支持CB3C限流模式；有完整的保護機制，包括 過(guò)流，欠壓，過(guò)壓，過(guò)熱；并有結溫狀態(tài)顯示引腳；支持系統多片主從模式設計。
設計
電源設計
 PVDD設計： 應依所需功率合理設計，官方給出設計范圍18~53.5V。 以100W 4Ω 為例：輸出20V RMS,Vp=28V,考慮電源線(xiàn)性度除以因素0.8，得出35V。 電流依系統總功率及效率80%計算  GVDD及VDD設計： VDD為IC邏輯控制提供電源，GVDD為驅動(dòng)MOSFET 提供電源, 官方給出設計范圍：MIN10.8V / TYP12V / MAX13.2V 。此范圍小，應使用500mA-1000mA的12V穩壓電源。 
設計流程
1. 確定系統的架構模式，設計M1,M2電平 

(1)1為DVDD，0為GND；
(2)BTL 模式下，inputA和inputB 作為一組為平衡輸入，inputC和inputD 作為一組為平衡輸入;
(3)INPUT_C,INPUT_D 必需接GND 才能啟動(dòng)PBTL模式；
(4)輸出濾波架構需相應修改。

2. 確定系統功率，設計限流閾值： 通過(guò)OC_ADJ引腳串聯(lián)電阻設定： 

 
CB3C指允許瞬間過(guò)流，音樂(lè )功率不是一個(gè)恒定的值，特別是低音部分，功率瞬間拉高， CB3C使得在播放重低音音樂(lè )時(shí)不被誤保護，提高動(dòng)態(tài)。
3. 設計classD 采頻率： 通過(guò)FREQ_ADJ引腳串聯(lián)電阻設定： 

頻率越高越保真。但是發(fā)熱會(huì )越高，對系統設計要求高，包括熱設計，PCB Layout等
4. RESET / FAULT / CLIP_OTW 

依啟動(dòng)時(shí)序，RESET應在電源穩定后（開(kāi)機延時(shí)）再作拉高，無(wú)系統外3.3v時(shí)，用DVDD作高電平。 因TPA325X沒(méi)有mute引腳，RESET也可作mute控制使用，拉低靜音。 

 
無(wú)論什么原因導致的無(wú)輸出，FAULT都會(huì )是“0”狀態(tài); 當結溫超過(guò)125℃時(shí)，CLIP_OTW置”0“狀態(tài)，如結溫繼續上升到155℃時(shí)，FAULT置“0”狀態(tài)，并關(guān)斷輸出, "OTE"被使能，輸出關(guān)斷鎖定，必須重新復位才能啟動(dòng)； 所以一個(gè)好的設計應該是這樣：檢測CLIP_OTW的狀態(tài)，當CLIP_OTW置“0”時(shí)，系統相應減小音量，以防激活“OTE”
5. 輸出LC濾波器設計
跟據不同的工作模式選擇不同的LC濾波器類(lèi)型，此電容和電感的選型對音質(zhì)的影響很大。 電容應選擇耐壓100V級別的金屬皮膜電容。 電感小功率時(shí)可選用磁屏蔽式的，EMC表現較好；大功率時(shí)應選繞線(xiàn)電感，散熱好，線(xiàn)性度好，音質(zhì)好。 當然不同的磁芯材料對性能音質(zhì)影響很大，目前做得比較好的class D LC濾波器磁芯是進(jìn)口的紅色磁芯。
6. PCB layout layout 注意點(diǎn)： 1，使用一個(gè)完整的接地平面，使電源具有良好的低阻抗和電感回路電源和音頻信號。
2，保持從接地引腳到設備周?chē)鶳CB區域的連續接地平面盡可能多的接地引腳，因為接地引腳是封裝中最好的熱導體。
3，PCB布局、音頻性能和EMI緊密相連。
4，布線(xiàn)音頻輸入應保持短距離，并與伴隨的音頻源接地一起。
6，PVDD線(xiàn)上的小旁路電容器應盡可能靠近PVDD管腳。
7，IC下方的局部接地區域對于保持穩固以最小化地面反彈非常重要。
8，調整無(wú)源元件的方向，使無(wú)源元件的窄端朝向TPA3255設備，除非無(wú)源元件兩個(gè)焊盤(pán)之間的區域足夠大，允許銅在兩個(gè)焊盤(pán)之間覆蓋。
9，避免在TPA3255設備附近放置其他產(chǎn)熱部件或結構。
其它
7，熱設計 7，多IC系統設計 8，PFFB 后反饋設計