意法半導體 VIPerGaN50能夠簡(jiǎn)化最高50 W的單開(kāi)關(guān)反激式功率變換器設計，并集成一個(gè) 650V 氮化鎵 (GaN) 功率晶體管，使電源的能效和小型化達到更高水平。
VIPerGaN50 采用單開(kāi)關(guān)拓撲，集成很多功能，包括內置電流采樣和保護電路，采用低成本的 5mm x 6mm 緊湊封裝。芯片內部集成的GaN 晶體管可應用于高開(kāi)關(guān)頻率，從而減小反激變換器的體積和重量。使用這款產(chǎn)品設計先進(jìn)的高能效開(kāi)關(guān)電源 (SMPS)，可顯著(zhù)減少外圍元器件的數量。
VIPerGaN50 可幫助設計人員利用 GaN 寬禁帶技術(shù)來(lái)滿(mǎn)足日益嚴格的生態(tài)設計規范，在全球實(shí)現節能降耗和凈零碳排放。目標應用包括消費電源和工業(yè)電源，例如，電源適配器、USB-PD 充電器，以及家用電器、空調、LED 照明設備和智能儀表的電源。
該變換器有多種不同的工作模式，在所有輸入電壓和負載條件下，可最大限度提高電源能效。在高負載下，準諧振 (QR) 模式配合零壓開(kāi)關(guān)可最大限度地減少導通損耗和電磁輻射 (EMI)。在輕負載下，跳谷底模式可以控制開(kāi)關(guān)損耗，并利用意法半導體專(zhuān)有的谷底鎖定技術(shù)防止產(chǎn)生人耳可以聽(tīng)到的噪聲。頻率折返模式配合零壓開(kāi)關(guān)可確保在輕負載條件下實(shí)現盡可能高的能效。自適應間歇工作模式可以在極低負載條件下最大程度降低功率損耗。此外，先進(jìn)的電源管理功能可將待機功率降至 30mW 以下。
芯片內置功能確保電源的安全性和可靠性，包括輸出過(guò)壓保護、brown-in/brown-out，以及輸入過(guò)壓保護。還提供輸入電壓前饋補償，以最大限度地減少輸出峰值功率變化。其他安全功能包括嵌入式過(guò)溫保護和最大限度地減少 EMI的頻率抖動(dòng)功能。
VIPerGaN50 現已投產(chǎn)，采用 5mm x 6mm QFN 封裝。該器件有免費樣片，可在意法半導體的網(wǎng)上商城 eSTore 上申購。 |
