作者:張飛電子實(shí)戰營(yíng)
01 概念及特點(diǎn)
1 概念
DC-DC指直流轉直流電源(Direct Current)。是一種在直流電路中將一個(gè)電壓值的電能變?yōu)榱硪粋(gè)電壓值得電能的裝置。如,通過(guò)一個(gè)轉換器能將一個(gè)直流電壓(5.0V)轉換成其他的直流電壓(1.5V或12.0V),我們稱(chēng)這個(gè)轉換器為DC-DC轉換器,或稱(chēng)之為開(kāi)關(guān)電源或開(kāi)關(guān)調整器。
DC-DC轉換器一般由控制芯片,電感線(xiàn)圈,二極管,三極管,電容器構成。在討論DC-DC轉換器的性能時(shí),如果單針對控制芯片,是不能判斷其優(yōu)劣的。其外圍電路的元器件特性,和基板的布線(xiàn)方式等,能改變電源電路的性能,因此,應進(jìn)行綜合判斷。
DC-DC轉換器的使用有利于簡(jiǎn)化電源電路設計,縮短研制周期,實(shí)現最佳指標等,被廣泛用于電力電子、軍工、科研、工控設備、通訊設備、儀器儀表、交換設備、接入設備、移動(dòng)通訊、路由器等通信領(lǐng)域和工業(yè)控制、汽車(chē)電子、航空航天等領(lǐng)域。具有可靠性高、系統升級容易等特點(diǎn),電源模塊的應用越來(lái)越廣泛。此外,DC-DC轉換器還廣泛應用于手機、MP3、數碼相機、便攜式媒體播放器等產(chǎn)品中。在電路類(lèi)型分類(lèi)上屬于斬波電路。
2 特點(diǎn)
其主要特點(diǎn)是效率高:與線(xiàn)性穩壓器的LDO相比較,效率高是DCDC的顯著(zhù)優(yōu)勢。通常效率在70%以上,效率高的可達到95%以上。其次是適應電壓范圍寬。
A: 調制方式
1: PFM(脈沖頻率調制方式)
開(kāi)關(guān)脈沖寬度一定,通過(guò)改變脈沖輸出的頻率,使輸出電壓達到穩定。PFM控制型即使長(cháng)時(shí)間使用,尤其小負載時(shí)具有耗電小的優(yōu)點(diǎn)。
2: PWM(脈沖寬度調制方式)
開(kāi)關(guān)脈沖的頻率一定,通過(guò)改變脈沖輸出寬度,使輸出電壓達到穩定。PWM控制型效率高并具有良好的輸出電壓紋波和噪聲。
B: 通常情況下,采用PFM和PWM這兩種不同調制方式的DC-DC轉換器的性能不同點(diǎn)如下。
PWM的頻率,PFM的占空比的選擇方法。PWM/PFM轉換型小負載時(shí)實(shí)行PFM控制,且在重負載時(shí)自動(dòng)轉換到PWM控制。
02 架構分類(lèi)
1 常見(jiàn)的三種原理架構
A、 Buck(降壓型DC/DC轉換器)

圖1
B、Boost(升壓型DC/DC轉換器)

圖2
C、Buck-Boost(升降壓型DC/DC轉換器)

圖3
2 BUCK電路工作原理詳解

圖4
伏秒平衡原則:處于穩定狀態(tài)的電感,電感兩端的正伏秒積等于負伏秒積,即:電感兩端的伏秒積在一個(gè)開(kāi)關(guān)周期內必須平衡。


圖5
當開(kāi)關(guān)導通時(shí):輸入電壓Vin加到LC濾波器的輸入端,電感上的電流以固定斜率線(xiàn)性上升。如下圖

圖6
當開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí):由于電感上的電流不能突變,電感中存儲的能量向負載釋放,電感電流通過(guò)二極管續流 ,在這個(gè)階段,電流波形是一條斜率為負的斜線(xiàn)。如下圖

圖7
03 設計技巧及主要技術(shù)參數選用要求
DC-DC電路設計至少要考慮以下條件:
A.外部輸入電源電壓的范圍,輸出電流的大小。
B. DC-DC輸出的電壓,電流,系統的功率最大值。
1 輸入/輸出電壓(Input &Output Voltage):Vin/Vout
要按照器件的推薦工作電壓范圍選用,并且要考慮實(shí)際電壓的波動(dòng)范圍,確保不能超出器件規格。
2 輸出電流(Output Current):Iout
器件持續的輸出電流能力是一個(gè)重要的參數,選用時(shí)要參考此參數,并要保留一定的余量。
此參數的選取還要評估電路的瞬間峰值電流和發(fā)熱的情況,綜合來(lái)確定,并滿(mǎn)足降額要求。
3 紋波(Output ripple):Vpk-pk
紋波是衡量電路的輸出電壓波動(dòng)的重要參數。要關(guān)注輕載和重載紋波,一般輕載紋波要大。注意核電等場(chǎng)合下輕載紋波是否會(huì )超出要求。實(shí)際測試下各種場(chǎng)景負載下的情況。通常選用示波器20M帶寬來(lái)測試。
4 效率(Efficiency)
要同時(shí)關(guān)注輕載和重載兩種情況。輕載會(huì )影響待機功率,重載影響溫升。通?12V輸入,5V輸出下10mA的效率,一般要80%以上。
5 瞬態(tài)響應 (Transient response)
瞬態(tài)響應特性反應負載劇烈變化時(shí)系統是否能及時(shí)調整以保證輸出電壓的穩定。要求輸出電壓波動(dòng)越小越好,一般按峰峰值10%以下要求。
實(shí)際要注意按推薦值選用反饋電容。常見(jiàn)取值在22p到120pF。

圖9
6 開(kāi)關(guān)頻率(Switching Frequency) :fsw
常用的開(kāi)關(guān)頻率多數在500kHz以上。較高的開(kāi)關(guān)頻率1.2M到2M的也有,由于頻率高開(kāi)關(guān)損耗增加IC散熱設計要好,故主要集中在5V低壓輸入小電流的產(chǎn)品。開(kāi)關(guān)頻率關(guān)系到電感電容的選用,其它如EMC,輕載下噪音等問(wèn)題也與之有關(guān)。
7 反饋參考電壓及精度(Feedback Voltage &output accuracy) :Vref
反饋電壓要與內部的參考電壓相比較,配合外部的反饋分壓電阻,輸出不同電壓。不同產(chǎn)品的參考電壓會(huì )有不同,如0.6~0.8V,替換時(shí)注意調整反饋電阻。
反饋電阻要選用1%精度,只要根據廠(chǎng)家推薦來(lái)選,一般不要選的過(guò)大,以免影響穩定性。
參考電壓精度影響輸出準確度,常見(jiàn)精度在2%以下,如1%~1.5%,精度高的產(chǎn)品成本會(huì )有差別。根據需要選擇。
8 線(xiàn)性穩定度和負載穩定度(line/load regulaTIon)
線(xiàn)性穩定度反應輸入電壓變化輸出電壓穩定性。負載穩定度反應輸出負載變化輸出電壓穩定性。一般要求1%,最大不要超3%。
9 EN電平
EN高低電平要滿(mǎn)足器件規格要求,有些IC不能超出特定電壓范圍;電阻分壓時(shí)注意滿(mǎn)足及時(shí)關(guān)斷,并且考慮電壓波動(dòng)最大范圍內要滿(mǎn)足。
由于時(shí)序控制的需要,該引腳會(huì )增加電容,為了電平調節和關(guān)斷放電,同時(shí)要有對地電阻。
10 保護性能
要有過(guò)流保護OCP,過(guò)熱保護OTP等,并且保護后條件消失能自恢復。
11 其它
要求有軟啟動(dòng);熱阻和封裝;使用溫度范圍要能覆蓋高低溫等。
04 器件選型一般原則
普遍性
高性?xún)r(jià)比
易采購生命周期長(cháng)
兼容和可替代
資源節約
降額
易生產(chǎn)和歸一化
05 外圍器件選擇的要求
1.輸入電容:要滿(mǎn)足耐壓和輸入紋波的要求。一般耐壓要求1.5~2倍以上輸 入電壓。注意瓷片電容的實(shí)際容量會(huì )隨直流電壓的偏置影響而減少。
2.輸出電容:要滿(mǎn)足耐壓和輸出紋波的要求。一般耐壓要求1.5~2倍 。
紋波和電容的關(guān)系:

3.BST電容:按照規格書(shū)推薦值。一般0.1uF-1uF。耐壓一般要高于輸入電壓。
4.電感:不同輸出電壓的要求感量不同;注意溫升和飽和電流要滿(mǎn)足余量要求,一般最大電流的1.2倍以上(或者電感的飽和電流必須大于最大輸出電流+0.5*電感紋波電流)。通常選擇合適的電感值L,使ΔIL占輸出電流的30% to 50%。計算公式:

5. VCC電容:按規格書(shū) 要求取值,不能減小,也不要太大,注意耐壓。
6.反饋電容:按規格書(shū) 要求取值,不同廠(chǎng)家芯片取值不同,輸出電壓不同也會(huì )有不同的要求。
7.反饋電阻和EN分壓電阻:要求按規格書(shū)取值,精度1%。
06 PCB設計要求
1.輸入電容就近放在芯片的輸入Vin和功率的PGND,減少寄生電感的存在,因為輸入電流不連續,寄生電感引起的噪聲對芯片的耐壓以及邏輯單元造成不良影響。電容地端增加過(guò)孔,減少阻抗。
2.功率回路盡可能的短粗,保持較小的環(huán)路面積,較少噪聲輻射。SW是噪聲源,保證電流的同時(shí)保持盡量小的面積,遠離敏感的易受干擾的位置。如,電感靠近SW引腳,遠離反饋線(xiàn)。輸出電容靠近電感,地端增加地過(guò)孔。
3.VCC電容應就近放置在芯片的VCC管腳和芯片的信號地之間,盡量在一層,不要有過(guò)孔。
4.FB是芯片最敏感,最容易受干擾的部分,是引起系統不穩定的最常見(jiàn)原因 。
1)FB電阻連接到FB管腳竟可能短,靠近IC放置,減少噪聲的耦合;FB下分壓電阻通常接信號地AGND;
2)遠離噪聲源,SW點(diǎn),電感,二極管(非同步buck);FB走線(xiàn)包地;
3)大電流負載的FB在負載遠端取,反饋電容走線(xiàn)要就近取。
5.BST的電容走線(xiàn)盡量短,不要太細。
6.芯片散熱要按設計要求,盡量在底下增加過(guò)孔散熱。
|