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瑞薩電子推出新型柵極驅動(dòng)IC用于驅動(dòng)EV逆變器的IGBT和SiC MOSFET |
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文章來(lái)源:永阜康科技 更新時(shí)間:2023/1/31 10:18:00 |
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全新柵極驅動(dòng)IC支持1200V功率器件,隔離電壓為3.75kVrms

全球半導體解決方案供應商瑞薩電子 今日宣布,推出一款全新柵極驅動(dòng)IC——RAJ2930004AGM,用于驅動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)(EV)逆變器的IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC(碳化硅)MOSFET等高壓功率器件。
柵極驅動(dòng)IC作為電動(dòng)汽車(chē)逆變器的重要組成部分,在逆變器控制MCU,及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們在低壓域接收來(lái)自MCU的控制信號,并將這些信號傳遞至高壓域,快速開(kāi)啟和關(guān)閉功率器件。為適應電動(dòng)車(chē)輛電池的更高電壓,RAJ2930004AGM內置3.75kVrms(kV均方根)隔離器,比上一代產(chǎn)品的2.5kVrms隔離器更高,可支持耐壓高達1200V的功率器件。此外,全新驅動(dòng)IC擁有150V/ns(納秒)或更高的CMTI(共模瞬態(tài)抗擾度)性能,在滿(mǎn)足逆變器系統所需的高電壓和快速開(kāi)關(guān)速度的同時(shí),帶來(lái)可靠的通信與更強的抗噪能力。新產(chǎn)品在小型SOIC16封裝中實(shí)現柵極驅動(dòng)器的基本功能,使其成為低成本變頻器系統的理想選擇。
RAJ2930004AGM可與瑞薩IGBT產(chǎn)品以及其它制造商的IGBT和SiC MOSFET器件共同使用。除適用于牽引逆變器外,該柵極驅動(dòng)器IC還非常適合采用功率半導體的各類(lèi)應用,如車(chē)載充電器和DC/DC轉換器。為助力開(kāi)發(fā)商將產(chǎn)品迅速推向市場(chǎng),瑞薩推出xEV逆變器套件解決方案,該方案將柵極驅動(dòng)IC與MCU、IGBT和電源管理IC相結合,并計劃在2023年上半年發(fā)布包含新柵極驅動(dòng)IC的版本。
瑞薩電子汽車(chē)模擬應用特定業(yè)務(wù)部副總裁大道昭表示:“瑞薩很高興面向車(chē)載應用推出具有高隔離電壓和卓越CMTI性能的第二代柵極驅動(dòng)IC。我們將繼續推動(dòng)針對電動(dòng)車(chē)輛的應用開(kāi)發(fā),打造能減少電力損失并滿(mǎn)足用戶(hù)系統高水平功能安全性的解決方案!
RAJ2930004AGM柵極驅動(dòng)IC的關(guān)鍵特性
隔離能力
• 耐受隔離電壓:3.75kVrms
• CMTI(共模瞬態(tài)抗擾度):150V/ns
柵極驅動(dòng)能力
• 輸出峰值電流:10A
• 保護/故障檢測功能
• 片上有源米勒鉗制
• 軟關(guān)斷
• 過(guò)流保護(DESAT保護)
• 欠壓鎖定(UVLO)
• 故障反饋
工作溫度范圍
• -40至125°C(Tj:最高150°C)
該產(chǎn)品將通過(guò)實(shí)現高成本效益的逆變器來(lái)推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)采用率的提升,從而最大限度減少對環(huán)境的影響。
供貨信息
RAJ2930004AGM柵極驅動(dòng)IC現可提供樣片,并計劃在2024年第一季度量產(chǎn)。 |
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