近日，從順義科創(chuàng )集團獲悉，入駐企業(yè)北京銘鎵半導體有限公司實(shí)現4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破，成為國內首批掌握第四代半導體4英寸氧化鎵單晶襯底生長(cháng)技術(shù)公司之一。
銘鎵半導體工作人員在做相關(guān)試驗。
北京銘鎵半導體有限公司創(chuàng )始人、董事長(cháng)陳政委向記者介紹，穩態(tài)氧化鎵晶體為單斜結構，存在（100）和（001）兩個(gè)解理面，主面（001）晶體的生長(cháng)對工藝過(guò)程控制的要求極高，也更適于制備功率半導體器件，因此控制生長(cháng)主面（001）晶相氧化鎵晶體難度非常大。陳政委告訴記者：“此次，我們使用導模法成功制備了高質(zhì)量4英寸（001）主面氧化鎵單晶，完成了4 英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破，并且將進(jìn)行多次重復性實(shí)驗，從很大程度上解決了氧化鎵晶體生長(cháng)的相關(guān)技術(shù)難題�！�
北京銘鎵半導體有限公司成立于2020年，專(zhuān)注于新型超寬禁帶半導體材料氧化鎵單晶、外延襯底和高頻大功率器件的制造，是國內較早將半導體氧化鎵材料產(chǎn)業(yè)化落地的企業(yè)之一。2022年6月，該公司完成了由社會(huì )資本領(lǐng)投8千萬(wàn)元A輪融資，順義科創(chuàng )集團及時(shí)準確掌握企業(yè)發(fā)展訴求，騰退園區989平方米閑置廠(chǎng)房，協(xié)助企業(yè)解決擴產(chǎn)空間需求，助推氧化鎵擴大加工線(xiàn)及新建潔凈室順利落地。2023年底完成擴產(chǎn)計劃后，銘鎵半導體將建成國內首條集晶體生長(cháng)、晶體加工、薄膜外延、性能測試于一體的氧化鎵完整產(chǎn)業(yè)線(xiàn)，成為年產(chǎn)千片以上規模的氧化鎵材料企業(yè)，滿(mǎn)足下游100多家器件設計、制造封裝工業(yè)企業(yè)與科研院所的材料供應需求。
銘鎵半導體潔凈室。
陳政委表示，在完成4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破的同時(shí)，公司光學(xué)晶體已完成中試，開(kāi)始轉型規�；慨a(chǎn)，其生產(chǎn)的摻雜人工光學(xué)晶體已獲得客戶(hù)的廣泛認可，另外磷化銦多晶材料產(chǎn)線(xiàn)也已上線(xiàn)運營(yíng)，完成重點(diǎn)客戶(hù)認證工作，并獲得長(cháng)期穩定性訂單。
目前，銘鎵半導體已研制并生產(chǎn)出高質(zhì)量、大尺寸氧化鎵單晶片與外延片、大尺寸藍寶石窗口材料、磷化銦多晶及單晶襯底、高靈敏日盲紫外探測傳感器件、高靈敏光電型局部放電檢測系統等產(chǎn)品。 |
