開(kāi)關(guān)電源EMI整改中，關(guān)于不同頻段干擾原因及抑制辦法：

1MHZ以?xún)?---以差模干擾為主

1.增大X電容量；

2.添加差模電感；

3.小功率電源可采用PI型濾波器處理(建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些)。

1MHZ---5MHZ---差模共�；旌�

采用輸入端并聯(lián)一系列X電容來(lái)濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標并以解決，

1.對于差模干擾超標可調整X電容量,添加差模電感器，調差模電感量;

2.對于共模干擾超標可添加共模電感,選用合理的電感量來(lái)抑制；

3.也可改變整流二極管特性來(lái)處理一對快速二極管如FR107一對普通整流二極管1N4007。

5M---以上以共摸干擾為主，采用抑制共摸的方法。

對于外殼接地的，在地線(xiàn)上用一個(gè)磁環(huán)串繞2-3圈會(huì )對10MHZ以上干擾有較大的衰減作用;

可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔, 銅箔閉環(huán).

處理后端輸出整流管的吸收電路和初級大電路并聯(lián)電容的大小。

對于20--30MHZ，

1.對于一類(lèi)產(chǎn)品可以采用調整對地Y2電容量或改變Y2電容位置；

2.調整一二次側間的Y1電容位置及參數值；

3.在變壓器外面包銅箔；變壓器最里層加屏蔽層；調整變壓器的各繞組的排布。

4.改變PCB LAYOUT；

5.輸出線(xiàn)前面接一個(gè)雙線(xiàn)并繞的小共模電感；

6.在輸出整流管兩端并聯(lián)RC濾波器且調整合理的參數；

7.在變壓器與MOSFET之間加BEAD CORE；

8.在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容。

9. 可以用增大MOS驅動(dòng)電阻.

30---50MHZ 普遍是MOS管高速開(kāi)通關(guān)斷引起

1.可以用增大MOS驅動(dòng)電阻；

2.RCD緩沖電路采用1N4007慢管；

3.VCC供電電壓用1N4007慢管來(lái)解決；

4.或者輸出線(xiàn)前端串接一個(gè)雙線(xiàn)并繞的小共模電感；

5.在MOSFET的D-S腳并聯(lián)一個(gè)小吸收電路；

6.在變壓器與MOSFET之間加BEAD CORE；

7.在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容；

8.PCB心LAYOUT時(shí)大電解電容，變壓器，MOS構成的電路環(huán)盡可能的��；

9.變壓器，輸出二極管，輸出平波電解電容構成的電路環(huán)盡可能的小。

50---100MHZ 普遍是輸出整流管反向恢復電流引起

1.可以在整流管上串磁珠；

2.調整輸出整流管的吸收電路參數；

3.可改變一二次側跨接Y電容支路的阻抗,如PIN腳處加BEAD CORE或串接適當的電阻；

4.也可改變MOSFET，輸出整流二極管的本體向空間的輻射（如鐵夾卡MOSFET; 鐵夾卡DIODE，改變散熱器的接地點(diǎn)）。

5.增加屏蔽銅箔抑制向空間輻射.

200MHZ以上開(kāi)關(guān)電源已基本輻射量很小，一般可過(guò)EMI標準

補充說(shuō)明:

開(kāi)關(guān)電源高頻變壓器初次間一般是屏蔽層的,以上未加綴述.

開(kāi)關(guān)電源是高頻產(chǎn)品,PCB的元器件布局對EMI.,請密切注意此點(diǎn).

開(kāi)關(guān)電源若有機械外殼,外殼的結構對輻射有很大的影響.請密切注意此點(diǎn).

主開(kāi)關(guān)管,主二極管不同的生產(chǎn)廠(chǎng)家參數有一定的差異,對EMC有一定的影響.