對于LED驅動(dòng)電源的干擾問(wèn)題并不好解決，主要原因是干擾帶來(lái)的影響往往是防不勝防、且難以預測的，面對大小不一的種種干擾如何能把這個(gè)問(wèn)題做好，就需要找到干擾問(wèn)題的根源所在。
一、LED驅動(dòng)電源產(chǎn)生干擾的原因
　　LED驅動(dòng)電源首先將工頻交流整流為直流，再逆變?yōu)楦哳l，最后經(jīng)過(guò)整流濾波電路輸出，得到穩定的直流電壓，因此自身含有大量的諧波干擾。同時(shí)，由于變壓器的漏感和輸出二極管的反向恢復電流造成的尖峰，都形成了電磁干擾。開(kāi)關(guān)電源中的干擾源主要集中在電壓、電流變化大的元器件上，突出表現在開(kāi)關(guān)管、二極管、高頻變壓器上面。
　�、匍_(kāi)關(guān)電路產(chǎn)生的電磁干擾
　　開(kāi)關(guān)電路是開(kāi)關(guān)電源的主要干擾源之一。開(kāi)關(guān)電路是開(kāi)關(guān)電源的核心（同樣LED路燈電源與LED隧道燈驅動(dòng)電源也一樣），主要由開(kāi)關(guān)管和高頻變壓器組成。它產(chǎn)生的du/dt具有較大幅度的脈沖，頻帶較寬且諧波豐富。這種脈沖干擾產(chǎn)生的主要原因是：開(kāi)關(guān)管負載為高頻變壓器初級線(xiàn)圈，是感性負載。在開(kāi)關(guān)管導通瞬間，初級線(xiàn)圈產(chǎn)生很大的涌流，并在初級線(xiàn)圈的兩端出現較高的浪涌尖峰電壓；在開(kāi)關(guān)管斷開(kāi)瞬間，由于初級線(xiàn)圈的漏磁通，致使一部分能量沒(méi)有從一次線(xiàn)圈傳輸到二次線(xiàn)圈，儲藏在電感中的這部分能量將和集電極電路中的電容、電阻形成帶有尖峰的衰減振蕩，疊加在關(guān)斷電壓上，形成關(guān)斷電壓尖峰。電源電壓中斷會(huì )產(chǎn)生與初級線(xiàn)圈接通時(shí)一樣的磁化沖擊電流瞬變，這種瞬變是一種傳導型電磁干擾，既影響變壓器初級，還會(huì )使傳導干擾返回配電系統，造成電網(wǎng)諧波電磁干擾，從而影響其他設備的安全和經(jīng)濟運行。
　�、谡�流電路產(chǎn)生的電磁干擾
　　整流電路中，在輸出整流二極管截止時(shí)有一個(gè)反向電流，它恢復到零點(diǎn)的時(shí)間與結電容等因素有關(guān)。其中，能將反向電流迅速恢復到零的二極管稱(chēng)為硬恢復特性二極管，這種二極管在變壓器漏感和其他分布參數的影響下將產(chǎn)生較強的高頻干擾，其頻率可達幾十MHz。高頻整流回路中的整流二極管正向導通時(shí)有較大的正向電流流過(guò)，在其受反偏電壓而轉向截止時(shí)，由于PN結中有較多的載流子積累，因而在載流子消失之前的一段時(shí)間里，電流會(huì )反向流動(dòng)，致使載流子消失的反向恢復電流急劇減少而發(fā)生很大的電流變化。
　�、鄹哳l變壓器
　　高頻變壓器的初級線(xiàn)圈、開(kāi)關(guān)管和濾波電容構成的高頻開(kāi)關(guān)電流環(huán)路可能會(huì )產(chǎn)生較大的空間輻射，形成輻射干擾。如果電容濾波容量不足或高頻特性不好，電容上的高頻阻抗會(huì )使高頻電流以差模方式傳導到交流電源中形成傳導干擾。需要注意的是，在二極管整流電路產(chǎn)生的電磁干擾中，整流二極管反向恢復電流的di/dt遠比續流二極管反向恢復電流的di/dt大得多。作為電磁干擾源來(lái)研究，整流二極管反向恢復電流形成的干擾強度大、頻帶寬。但是，整流二極管產(chǎn)生的電壓跳變遠小于功率開(kāi)關(guān)管導通和關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的電壓跳變。因此，也可不計整流二極管產(chǎn)生的│dv/dt│影響，把整流電路當成電磁干擾耦合通道的一部分來(lái)研究。
　�、芊植茧娙菀�起的干擾
　　開(kāi)關(guān)電源工作在高頻狀態(tài)，因而其分布電容不可忽略。一方面，散熱片與開(kāi)關(guān)管集電極間的絕緣片接觸面積較大，且絕緣片較薄，因此兩者間的分布電容在高頻時(shí)不能忽略。高頻電流會(huì )通過(guò)分布電容流到散熱片上，再流到機殼地，產(chǎn)生共模干擾；另一方面，脈沖變壓器的初次級之間存在著(zhù)分布電容，可將原邊電壓直接耦合到副邊上，在副邊作直流輸出的兩條電源線(xiàn)上產(chǎn)生共模干擾。
　�、蓦s散參數影響耦合通道的特性
　　在傳導干擾頻段（<30MHz），多數開(kāi)關(guān)電源干擾的耦合通道是可以用電路網(wǎng)絡(luò )來(lái)描述的。但是，開(kāi)關(guān)電源中的任何一個(gè)實(shí)際元器件，如電阻、電容、電感乃至開(kāi)關(guān)管、二極管都包含有雜散參數，且研究的頻帶愈寬，等值電路的階次愈高。因此，包括各元器件雜散參數和元器件間的耦合在內的開(kāi)關(guān)電源的等效電路將復雜得多。在高頻時(shí)，雜散參數對耦合通道的特性影響很大，分布電容的存在成為電磁干擾的通道。另外，在開(kāi)關(guān)管功率較大時(shí)，集電極一般都需加上散熱片，散熱片與開(kāi)關(guān)管之間的分布電容在高頻時(shí)不能忽略，它能形成面向空間的輻射干擾和電源線(xiàn)傳導的共模干擾。
二、開(kāi)關(guān)電源電磁干擾的控制技術(shù)
　　要解決開(kāi)關(guān)電源的電磁干擾問(wèn)題，可從3個(gè)方面入手：1）減小干擾源產(chǎn)生的干擾信號；2）切斷干擾信號的傳播途徑；3）增強受干擾體的抗干擾能力。因此，開(kāi)關(guān)電源電磁電磁干擾要控制技術(shù)主要有：電路措施、EMI濾波、元器件選擇、屏蔽和印制電路板抗干擾設計等。
　�、贉p少開(kāi)關(guān)電源本身的干擾
　　軟開(kāi)關(guān)技術(shù)：在原有的硬開(kāi)關(guān)電路中增加電感和電容元件，利用電感和電容的諧振，降低開(kāi)關(guān)過(guò)程中的du/dt和di/dt，使開(kāi)關(guān)器件開(kāi)通時(shí)電壓的下降先于電流的上升，或關(guān)斷時(shí)電流的下降先于電壓的上升，來(lái)消除電壓和電流的重疊。
　　開(kāi)關(guān)頻率調制技術(shù)：通過(guò)調制開(kāi)關(guān)頻率fc，把集中在fc及其諧波2fc、3fc…上的能量分散到它們周?chē)�的頻帶上，以降低各個(gè)頻點(diǎn)上的EMI幅值。該方法不能降低干擾總量，但能量被分散到頻點(diǎn)的基帶上，從而使各個(gè)頻點(diǎn)都不超過(guò)EMI規定的限值。為了達到降低噪聲頻譜峰值的目的，通常有兩種處理方法：隨機頻率法和調制頻率法�！�
　　元器件的選擇：選擇不易產(chǎn)生噪聲、不易傳導和輻射噪聲的元器件。通常特別值得注意的是，二極管和變壓器等繞組類(lèi)元器件的選用。反向恢復電流小、恢復時(shí)間短的快速恢復二極管是開(kāi)關(guān)電源高頻整流部分的理想器件。
　　共模干擾的有源抑制技術(shù)：設法從主回路中取出一個(gè)與導致電磁干擾的主要開(kāi)關(guān)電壓波形完全反相的補償EMI噪聲電壓，并用它去平衡原開(kāi)關(guān)電壓。
　　濾波：EMI濾波器的主要目的之一，就是要在150kHz～30MHz的頻段范圍獲得較高的插入損耗，但對頻率為50Hz工頻信號不產(chǎn)生衰減，使額定電壓、電流順利通過(guò)，同時(shí)還必須滿(mǎn)足一定的尺寸要求。任何電源線(xiàn)上的傳導干擾信號，均可用差模和共模信號來(lái)表示。在一般情況下，差模干擾幅度小，頻率低，所造成的干擾較��；共模干擾幅度大，頻率高，還可以通過(guò)導線(xiàn)產(chǎn)生輻射，所造成的干擾較大。因此，欲削弱傳導干擾，把EMI信號控制在有關(guān)EMC標準規定的極限電平以下，最有效的方法就是在開(kāi)關(guān)電源輸入和輸出電路中加裝電磁干擾濾波器。
　　PCB設計：PCB抗干擾設計主要包括PCB布局、布線(xiàn)及接地，其目的是減小PCB的電磁輻射和PCB上電路之間的串擾。開(kāi)關(guān)電源布局的最佳方法與其電氣設計類(lèi)似。在確定PCB的尺寸形狀后，再確定特殊元器件（如各種發(fā)生器、晶振等）的位置。最后，根據電路的功能單元，對電路的全部元器件進(jìn)行布局。
　　減小電磁干擾的緩沖電路：其由線(xiàn)性阻抗穩定網(wǎng)絡(luò )組成，作用是消除在供電電力線(xiàn)內潛在的干擾，包括電力線(xiàn)干擾、電快速瞬變，電涌，電壓高低變化和電力線(xiàn)諧波等。這些干擾對一般穩壓電源來(lái)說(shuō)，影響不是很大，但對高頻開(kāi)關(guān)電源的影響顯著(zhù)。
　�、谇袛喔蓴_信號的傳播途徑—共模、差模電源線(xiàn)濾波器設計
　　電源線(xiàn)干擾可以使用電源線(xiàn)濾波器濾除。一個(gè)合理有效的開(kāi)關(guān)電源EMI濾波器應該對電源線(xiàn)上差模和共模干擾都有較強的抑制作用。
　�、墼鰪娒舾须娐返目垢蓴_能力