EMC的分類(lèi)及標準： EMC(Electromagnetic Compatibility)是電磁兼容，它包括EMI(電磁騷擾)和EMS（電磁抗騷擾）。EMC定義為：設備或系統在其電磁環(huán)境中能正常工作且不對該環(huán)境中的任何設備的任何事物構成不能承受的電磁騷擾的能力。EMC整的稱(chēng)呼為電磁兼容。EMP是指電磁脈沖。

　　EMC = EMI + EMS EMI：電磁干擾 EMS：電磁相容性 (免疫力)

　　EMI可分為傳導Conduction及輻射Radiation兩部分，

　　Conduction規范一般可分為: FCC Part 15J Class B；CISPR 22(EN55022, EN61000-3-2, EN61000-3-3) Class B；

　　國標IT類(lèi)（GB9254，GB17625）和AV類(lèi)（GB13837，GB17625）。

　　FCC測試頻率在450K-30MHz，CISPR 22測試頻率在150K--30MHz，Conduction可以用頻譜分析儀測試，Radiation則必須到專(zhuān)門(mén)的實(shí)驗室測試。

　　EMI為電磁干擾，EMI是EMC其中的一部分，EMI(Electronic Magnetic Interference) 電磁干擾， EMI包括傳導、輻射、電流諧波、電壓閃爍等等。電磁干擾是由干擾源、藕合通道和接收器三部分構成的，通常稱(chēng)作干擾的三要素。 EMI線(xiàn)性正比于電流，電流回路面積以及頻率的平方即：EMI = K*I*S*F2。I是電流，S是回路面積，F是頻率，K是與電路板材料和其他因素有關(guān)的一個(gè)常數。

　　輻射干擾(30MHz—1GHz)是通過(guò)空間并以電磁波的特性和規律傳播的。但不是任何裝置都能輻射電磁波的。

　　傳導干擾(150K--30MHz)是沿著(zhù)導體傳播的干擾。所以傳導干擾的傳播要求在干擾源和接收器之間有一完整的電路連接。

　　EMI是指產(chǎn)品的對外電磁干擾。一般情況下分為Class A & Class B 兩個(gè)等級。 Class A為工業(yè)等級，Class B為民用等級。民用的要比工業(yè)的嚴格，因為工業(yè)用的允許輻射稍微大一點(diǎn)。同樣產(chǎn)品在測試EMI中的輻射測試來(lái)講，在30-230MHz下，B類(lèi)要求產(chǎn)品的輻射限值不能超過(guò)40dBm 而A類(lèi)要求不能超過(guò)50dBm(以三米法電波暗室測量為例）相對要寬松的多，一般來(lái)說(shuō)CLASSA是指在EMI測試條件下，無(wú)需操作人員介入，設備能按預期持續正常工作，不允許出現低于規定的性能等級的性能降低或功能損失。

　　EMI是設備正常工作時(shí)測它的輻射和傳導。在測試的時(shí)候，EMI的輻射和傳導在接收機上有兩個(gè)上限，分別代表Class A和Class B，如果觀(guān)察的波形超過(guò)B的線(xiàn)但是低于A(yíng)的線(xiàn)，那么產(chǎn)品就是A類(lèi)的。EMS是用測試設備對產(chǎn)品干擾，觀(guān)察產(chǎn)品在干擾下能否正常工作，如果正常工作或不出現超過(guò)標準規定的性能下降，為A級。能自動(dòng)重啟且重啟后不出現超過(guò)標準規定的性能下降，為B級。不能自動(dòng)重啟需人為重啟為C級，掛掉為D級。國標有D級的規定，EN只有A，B，C。EMI在工作頻率的奇數倍是最不好過(guò)的。

　　EMS(Electmmagnetic Suseeptibilkr) 電磁敏感度一般俗稱(chēng)為“電磁免疫力”，是設備抗外界騷擾干擾之能力，EMI是設備對外的騷擾。

　　EMS中的等級是指：Class A，測試完成后設備仍在正常工作；Class B，測試完成或測試中需要重啟后可以正常工作；Class C，需要人為調整后可以正常重啟并正常工作；Class D，設備已損壞，無(wú)論怎樣調整也無(wú)法啟動(dòng)。嚴格程度EMI是B > A，EMS是A > B > C > D。

　　開(kāi)關(guān)電源輸入EMI電路：X電容的作用：

　　抑制差模雜訊，電容量越大，抑制低頻雜訊效果越好。

　　Y電容的作用：

　　抑制共模雜訊，電容量越大，抑制低頻雜訊效果越好。Y電容使次級到初級地線(xiàn)提供一個(gè)低阻抗回路，使流向地再通過(guò)LISN回來(lái)的電流直接短路掉，由于Y電容非完全理想，次級各部分間也存在阻抗，所以不可能全部回來(lái)。還是有一部分流到地。Y電容必須直接用盡量短的直線(xiàn)連接到初級和次級的冷地, 如果開(kāi)通時(shí)MOS的dv/dt大于關(guān)斷時(shí)的dv/dt, 則Y電容連接到初級的地; 反之連接到V+。

　　共模電感的作用：

　　抑制共模雜訊，電感量越大，抑制低頻雜訊效果越好。增加共模電流部分的阻抗，減小共模電流。

　　差模電感的作用：

　　抑制差模雜訊，電感量越大，抑制低頻雜訊效果越好。

　　開(kāi)關(guān)電源設計前EMI一般應對策略采用交流輸入EMI濾波器

　　通常干擾電流在導線(xiàn)上傳輸時(shí)有兩種方式:共模方式和差模方式。共模干擾是載流體與大地之間的干擾:干擾大小和方向一致，存在于電源任何一相對大地、或中線(xiàn) 對大地間，主要是由du/dt產(chǎn)生的，di/dt也產(chǎn)生一定的共模干擾。而差模干擾是載流體之間的干擾:干擾大小相等、方向相反，存在于電源相線(xiàn)與中線(xiàn)及 相線(xiàn)與相線(xiàn)之間。干擾電流在導線(xiàn)上傳輸時(shí)既可以共模方式出現，也可以差模方式出現;但共模干擾電流只有變成差模干擾電流后，才能對有用信號構成干擾。

　　交流電源輸人線(xiàn)上存在以上兩種干擾，通常為低頻段差模干擾和高頻段共模干擾。在一般情況下差模干擾幅度小、頻率低、造成的干擾小;共模干擾幅度大、頻率高， 還可以通過(guò)導線(xiàn)產(chǎn)生輻射，造成的干擾較大。若在交流電源輸人端采用適當的EMI濾波器，則可有效地抑制電磁干擾。電源線(xiàn)EMI濾波器基本原理如圖1所示， 其中差模電容C1、C2用來(lái)短路差模干擾電流，而中間連線(xiàn)接地電容C3、C4則用來(lái)短路共模干擾電流。共模扼流圈是由兩股等粗并且按同方向繞制在一個(gè)磁芯 上的線(xiàn)圈組成。如果兩個(gè)線(xiàn)圈之間的磁藕合非常緊密，那么漏感就會(huì )很小，在電源線(xiàn)頻率范圍內差模電抗將會(huì )變得很小;當負載電流流過(guò)共模扼流圈時(shí)，串聯(lián)在相線(xiàn)上的線(xiàn)圈所產(chǎn)生的磁力線(xiàn)和串聯(lián)在中線(xiàn)上線(xiàn)圈所產(chǎn)生的磁力線(xiàn)方向相反，它們在磁芯中相互抵消。 因此即使在大負載電流的情況下，磁芯也不會(huì )飽和。而對于共模干擾電流，兩個(gè)線(xiàn)圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)是同方向的，會(huì )呈現較大電感，從而起到衰減共模干擾信號的作用。 這里共模扼流圈要采用導磁率高、頻率特性較佳的鐵氧體磁性材料。

　　圖1 電源線(xiàn)濾波器基本電路圖

　　利用吸收回路改善開(kāi)關(guān)波形

　　開(kāi)關(guān)管或 二極管在開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程中，由于存在變壓器漏感和線(xiàn)路電感，二極管存儲電容和分布電容，容易在開(kāi)關(guān)管集電極、發(fā)射極兩端和二極管上產(chǎn)生尖峰電壓。通常情況下采用RC/RCD吸收回路，RCD浪涌電壓吸收回路如圖2所示。

　　圖2 RCD浪涌電壓吸收回路

　　當吸收回路上的電壓超過(guò)一定幅度時(shí)，各器件迅速導通，從而將浪涌能量泄放掉，同時(shí)將浪涌電壓限制在一定的幅度。在開(kāi)關(guān)管集電極和輸出二極管的正極引線(xiàn)上串接 可飽和磁芯線(xiàn)圈或微晶磁珠，材質(zhì)一般為鈷(Co)，當通過(guò)正常電流時(shí)磁芯飽和，電感量很小。一旦電流要反向流過(guò)時(shí)，它將產(chǎn)生很大的反電勢，這樣就能有效地 抑制二極管VD的反向浪涌電流。

　　利用開(kāi)關(guān)頻率調制技術(shù)

　　頻率控制技術(shù)是基于開(kāi)關(guān)干擾的能量主要集中在特定的頻率上，并具有較大的頻譜峰值。如果能將這些能量分散在較寬的頻帶上，則可以達到降低于擾頻譜峰值的目的。通常有兩種處理方法:隨機頻率法和調制頻率法。

　　隨機頻率法是在電路開(kāi)關(guān)間隔中加人一個(gè)隨機擾動(dòng)分量，使開(kāi)關(guān)干擾能量分散在一定范圍的頻帶中。研究表明，開(kāi)關(guān)干擾頻譜由原來(lái)離散的尖峰脈沖干擾變成連續分布干擾，其峰值大大下降。

　　調制頻率法是在鋸齒波中加人調制波(白噪聲)，在產(chǎn)生干擾的離散頻段周?chē)�形成邊頻帶，將干擾的離散頻帶調制展開(kāi)成一個(gè)分布頻帶。這樣，干擾能量就分散到這些分布頻段上。在不影響變換器工作特性的情況下，這種控制方法可以很好地抑制開(kāi)通、關(guān)斷時(shí)的干擾。

　　采用軟開(kāi)關(guān)技術(shù)

　　開(kāi)關(guān)電源的干擾之一是來(lái)自功率開(kāi)關(guān)管通/斷時(shí)的du/dt，因此，減小功率開(kāi)關(guān)管通/斷的du/dt是抑制開(kāi)關(guān)電源干擾的一項重要措施。而軟開(kāi)關(guān)技術(shù)可以減小開(kāi)關(guān)管通/斷的du/dt。

　　如果在開(kāi)關(guān)電路的基礎上增加一個(gè)很小的電感、電容等諧振元件就構成輔助網(wǎng)絡(luò )。在開(kāi)關(guān)過(guò)程前后引人諧振過(guò)程，使開(kāi)關(guān)開(kāi)通前電壓先降為零，這樣就可以消除開(kāi)通過(guò)程中電壓、電流重疊的現象，降低、甚至消除開(kāi)關(guān)損耗和干擾，這種電路稱(chēng)為軟開(kāi)關(guān)電路。

　　根據上述原理可以采用兩種方法，即在開(kāi)關(guān)關(guān)斷前使其電流為零，則開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)就不會(huì )產(chǎn)生損耗和干擾，這種關(guān)斷方式稱(chēng)為零電流關(guān)斷;或在開(kāi)關(guān)開(kāi)通前使其電壓為 零，則開(kāi)關(guān)開(kāi)通時(shí)也不會(huì )產(chǎn)生損耗和干擾，這種開(kāi)通方式稱(chēng)為零電壓開(kāi)通。在很多情況下，不再指出開(kāi)通或關(guān)斷，僅稱(chēng)零電流開(kāi)關(guān)和零電壓開(kāi)關(guān)，基本電路如圖3和 圖4所示。

　　圖3 零電壓開(kāi)關(guān)諧振電路

　　圖4 零電流開(kāi)關(guān)諧振電路

　　通常采用軟開(kāi)關(guān)電路控制技術(shù)，結合合理的元器件布局及印制電路板布線(xiàn)、接地技術(shù)，對開(kāi)關(guān)電源的EMI干擾具有一定的改善作用。

　　采用電磁屏蔽措施一般采用電磁屏蔽措施都能有效地抑制開(kāi)關(guān)電源的電磁輻射干擾。開(kāi)關(guān)電源的屏蔽措施主要是針對開(kāi)關(guān)管和高頻變壓器而言。開(kāi)關(guān)管工作時(shí)產(chǎn)生大量的熱量，需要給 它裝散熱片，從而使開(kāi)關(guān)管的集電極與散熱片間產(chǎn)生較大的分布電容。因此，在開(kāi)關(guān)管的集電極與散熱片間放置絕緣屏蔽金屬層，并且散熱片接機殼地，金屬層接到 熱端零電位，減小集電極與散熱片間藕合電容，從而減小散熱片產(chǎn)生的輻射干擾。針對高頻變壓器，首先應根據導磁體屏蔽性質(zhì)來(lái)選擇導磁體結構，如用罐型鐵芯和 El型鐵芯，則導磁體的屏蔽效果很好。變壓器外加屏蔽時(shí)，屏蔽盒不應緊貼在變壓器外面，應留有一定的氣隙。如采用有氣隙的多層屏蔽物時(shí)，所得的屏蔽效果會(huì ) 更好。另外，在高頻變壓器中，常常需要消除初、次級線(xiàn)圈間的分布電容，可沿著(zhù)線(xiàn)圈的全長(cháng)，在線(xiàn)圈間墊上銅箔制成的開(kāi)路帶環(huán)，以減小它們之間的禍合，這個(gè)開(kāi) 路帶環(huán)既與變壓器的鐵芯連接，又與電源的地連接，起到靜電屏蔽作用。如果條件允許，對整個(gè)開(kāi)關(guān)電源加裝屏蔽罩，那樣就會(huì )更好地抑制輻射干擾。

　　開(kāi)關(guān)電源設計后EMI的實(shí)際整改策略--傳導部分1MHZ 以?xún)纫圆钅８蓴_為主

　　1150KHZ-1MHz，以差模為主，1-5MHz，差模和共模共同起作用，5MHz 以后基本上是共模。差模干擾的分容性藕合和感性藕合。一般1MHZ以上的干擾是共模，低頻段是差摸干擾。用一個(gè)電阻串個(gè)電容后再并到Y電容的引腳上，用示波器測電阻兩引腳的電壓可以估測共模干擾；

　　2保險過(guò)后加差模電感或電阻；

　　3小功率電源可采用PI型濾波器處理(建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些)。

　　4前端的π型EMI零件中差模電感只負責低頻EMI，體積別選太大(DR8太大，能用電阻型式或DR6更好)否則幅射不好過(guò)，必要時(shí)可串磁珠，因為高頻會(huì )直接飛到前端不會(huì )跟著(zhù)線(xiàn)走。

　　5傳導冷機時(shí)在0.15-1MHZ超標，熱機時(shí)就有7DB余量。主要原因是初級BULK電容DF值過(guò)大造成的，冷機時(shí)ESR比較大，熱機時(shí)ESR比較小，開(kāi)關(guān)電流在ESR上形成開(kāi)關(guān)電壓，它會(huì )壓在一個(gè)電流LN線(xiàn)間流動(dòng)，這就是差模干擾。解決辦法是用ESR低的電解電容或者在兩個(gè)電解電容之間加一個(gè)差模電感。

　　6測試150KHZ總超標的解決方案：加大X電容看一下能不能下來(lái)，如果下來(lái)了說(shuō)明是差模干擾。如果沒(méi)有太大作用那么是共模干擾，或者把電源線(xiàn)在一個(gè)大磁環(huán)上繞幾圈, 下來(lái)了說(shuō)明是共模干擾。如果干擾曲線(xiàn)后面很好，就減小Y電容，看一下布板是否有問(wèn)題，或者就在前面加磁環(huán)。

　　7可以加大PFC輸入部分的單繞組電感的電感量。

　　8PWM線(xiàn)路中的元件將主頻調到60KHZ左右。

　　9用一塊銅皮緊貼在變壓器磁芯上。

　　10共模電感的兩邊感量不對稱(chēng)，有一邊匝數少一匝也可引起傳導150KHZ-3MHZ超標。

　　11一般傳導的產(chǎn)生有兩個(gè)主要的點(diǎn)：200K和20M左右，這幾個(gè)點(diǎn)也體現了電路的性能；200K左右主要是漏感產(chǎn)生的尖刺；20M左右主要是電路開(kāi)關(guān)的噪聲。處理不好變壓器會(huì )增加大量的輻射，加屏蔽都沒(méi)用，輻射過(guò)不了。

　　12將輸入BUCK電容改為低內阻的電容。

　　13對于無(wú)Y-CAP電源，繞制變壓器時(shí)先繞初級，再繞輔助繞組并將輔助繞組密繞靠一邊，后繞次級。

　　14將共模電感上并聯(lián)一個(gè)幾Ｋ到幾十Ｋ電阻。

　　15將共模電感用銅箔屏蔽后接到大電容的地。

　　16在PCB設計時(shí)應將共模電感和變壓器隔開(kāi)一點(diǎn)以免互相干擾。

　　17保險套磁珠。

　　18三線(xiàn)輸入的將兩根進(jìn)線(xiàn)接地的Y電容容量從2.2nF減小到471。

　　19對于有兩級濾波的可將后級0.22uFX電容去掉(有時(shí)前后X電容會(huì )引起震蕩) 。

　　20對于π型濾波電路有一個(gè)BUCK電容躺倒放在PCB上且靠近變壓器此電容對傳導150KHZ-2MHZ的Ｌ通道有干擾，改良方法是將此電容用銅泊包起來(lái)屏蔽接到地，或者用一塊小的PCB將此電容與變壓器和PCB隔開(kāi)�；蛘邔⒋穗娙萘⑵饋�(lái), 也可以用一個(gè)小電容代替。

　　21對于π型濾波電路有一個(gè)BUCK電容躺倒放在PCB上且靠近變壓器此電容對傳導150KHZ-2MHZ的Ｌ通道有干擾，改良方法是將此電容用一個(gè)1uF/400V或者說(shuō)0.1uF/400V電容代替, 將另外一個(gè)電容加大。

　　22將共模電感前加一個(gè)小的幾百u(mài)H差模電感。

　　23將開(kāi)關(guān)管和散熱器用一段銅箔包繞起來(lái)，并且銅箔兩端短接在一起，再用一根銅線(xiàn)連接到地。

　　24將共模電感用一塊銅皮包起來(lái)再連接到地。

　　25將開(kāi)關(guān)管用金屬套起來(lái)連接到地。

　　26加大X2電容只能解決150K左右的頻段，不能解決20M以上的頻段，只有在電源輸入加以一級鎳鋅鐵氧體黑色磁環(huán)，電感量約50uH-1mH。

　　27在輸入端加大X電容。

　　28加大輸入端共模電感。

　　29將輔助繞組供電二極管反接到地。

　　30將輔助繞組供電濾波電容改用瘦長(cháng)型電解電容或者加大容量。

　　31加大輸入端濾波電容。

　　32150KHZ-300KHZ和20MHZ-30MHZ這兩處傳導都不過(guò)，可在共模電路前加一個(gè)差模電路。也可以看看接地是否有問(wèn)題，該接地的地方一定要加強接牢，主板上的地線(xiàn)一定要理順，不同的地線(xiàn)之間走線(xiàn)一定要順暢不要互相交錯的。

　　33在整流橋上并電容，當考慮共模成分時(shí)，應該鄰角并電容，當考慮差模成分時(shí)，應該對角并電容。

　　34加大輸入端差模電感。

　　1MHZ---5MHZ差模共�；旌�

　　采用輸入端并聯(lián)一系列X電容來(lái)濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標并以解決。

　　1對于差模干擾超標可調整X 電容量,添加差模電感器，調差模電感量。

　　2對于共模干擾超標可添加共模電感,選用合理的電感量來(lái)抑制；

　　3也可改變整流二極管特性來(lái)處理一對快速二極管如FR107 一對普通整流二極管1N4007。

　　4對于有Y電容的電源，干擾在1M以前以差模為主，2-5M是差模和共模干擾。對于NO-Y來(lái)說(shuō)，情況不一樣，1M以前的共模也非常厲害。在前面加很多X電容，濾光差模，改不改變壓器對差模沒(méi)有影響了，如果還有變化，就是共模了。差共模分離的方法：在A(yíng)C輸入端加很多X電容，從小到大，這樣可以把差模濾去，剩下的就是共模了，再與總的噪音相比較，就能看出差模的大小。

　　5繞制變壓器時(shí)將所有同名端放在一邊，可降低1.0MHZ-5.0MHZ傳導干擾。

　　6對于小功率用兩個(gè)差模電感，減少差模電感匝數可降低傳導1.2MHZ干擾。

　　7加大Y電容，可降低傳導中段1MHZ-5MHZ干擾。

　　8對于無(wú)Ｙ電容的開(kāi)關(guān)電源EMI在1MHZ-6MHZ超標，如加了Ｙ電容后EM降下來(lái)了的話(huà)，就可在變壓器初次級間加多幾層膠紙。

　　9將MOS管散熱片接MOS管S極。

　　10在輸入端濾波電容上并聯(lián)小容量高壓瓷片或者高壓貼片電容。

　　5M---20MHZ以共摸干擾為主，采用抑制共摸的方法。

　　1對于外殼接地的，在地線(xiàn)上用一個(gè)磁環(huán)串繞2-3 圈會(huì )對10MHZ 以上干擾有較大的衰減作用；

　　2可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔，銅箔要閉環(huán)。

　　3處理后端輸出整流管的吸收電路和初級大電路并聯(lián)電容的大小。

　　4在變壓器初級繞組上用一根很細的三重絕緣線(xiàn)并繞一個(gè)屏蔽繞組，屏蔽繞組的一端接電源端另外一端通過(guò)一個(gè)電容接到地。

　　5可將共模電感改為一邊匝數比另一邊多一匝,另其有差模的作用。

　　6將開(kāi)關(guān)管D極加一小散熱片且必需接高壓端的負極,變壓器的初級起始端連接到MOS管D極。

　　7將次級的散熱片用一個(gè)102的Y電容接到初級的L/N線(xiàn), 可降低導干擾。

　　8如果加大Ｙ電容傳導干擾下來(lái)了，則可以改變變壓器繞法來(lái)改良，可在初次級間加多幾層膠帶；如果加大Ｙ電容傳導干擾未改善，就要改電路可改好不必改變壓器繞法。

　　9將變壓器電感量適當加大，可降低RCC開(kāi)關(guān)電源在半載時(shí)的傳導干擾。

　　10用變壓器次級輔助繞組來(lái)屏蔽初級主繞組，比用變壓器初級輔助繞組來(lái)屏蔽初級主繞組，傳導整體要好得多。

　　11傳導整體超標，用示波器看開(kāi)關(guān)管G和D極波形都有重疊的現象，光藕供電電阻從輸出濾波共模電感下穿過(guò)接輸出正極改接不從大電流下穿過(guò)后一切OK。

　　12在輸入端L線(xiàn)和N線(xiàn)各接一681/250V的Y電容，Y電容另外一端接次級地。

　　13將次級的輔助繞組用來(lái)屏蔽初級主繞組，可降低傳導3-15MHZ干擾。用次級的輔助繞組來(lái)屏蔽初級主繞組，比用初級的輔助繞組來(lái)屏蔽初級主繞組傳導要好得多。

　　14在PCB板底層放一層銅片接初級大電容負極。

　　15將整個(gè)電源用一塊銅片包起來(lái), 銅片接初級大電容負極。

　　16減小Y電容容量。

　　對于20--30MHZ

　　1對于一類(lèi)產(chǎn)品可以采用調整對地Y2電容量或改變Y2電容位置；

　　2調整一二次側間的Y1 電容位置及參數值；

　　3在變壓器外面包銅箔，變壓器最里層加屏蔽層，調整變壓器的各繞組的排布。

　　4改變PCB LAYOUT；

　　5輸出線(xiàn)前面接一個(gè)雙線(xiàn)并繞的小共模電感；

　　6在輸出整流管兩端并聯(lián)RC濾波器且調整合理的參數；

　　7在變壓器與MOSFET之間加磁珠；

　　8在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容。

　　9可以用增大MOS 驅動(dòng)電阻。

　　10可能是電子負載引起的,可改用電阻負載。

　　11可將MOS管D 端對地接一個(gè)101的電容。

　　12可將輸出整流二極管換一個(gè)積電容小一點(diǎn)的。

　　13可將輸出整流二極管的RC回路去掉。

　　14將輸入端加兩個(gè)Y電容對地，可降低傳導25MHZ-30MHZ干擾。

　　15緊貼變壓器的磁芯上加一銅皮，銅皮連接到地。

　　16傳導后段25MHZ超標可在輸出端加共模電感，也可在開(kāi)關(guān)管源極檢測電阻上套一長(cháng)的導磁力合適的磁珠。

　　開(kāi)關(guān)電源設計后EMI的實(shí)際整改策略--輻射部分30---50MHZ 普遍是MOS 管高速開(kāi)通關(guān)斷引起，

　　1可以用增大MOS 驅動(dòng)電阻；

　　2RCD 緩沖電路采用1N4007 慢管；

　　3VCC 供電電壓用1N4007 慢管來(lái)解決；

　　4或者輸出線(xiàn)前端串接一個(gè)雙線(xiàn)并繞的小共模電感；

　　5在MOSFET 的D-S 腳并聯(lián)一個(gè)小吸收電路；

　　6在變壓器與MOSFET 之間加BEAD CORE；

　　7在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容；

　　8PCB 心LAYOUT 時(shí)大電解電容，變壓器，MOS 構成的電路環(huán)盡可能的��；

　　9變壓器，輸出二極管，輸出平波電解電容構成的電路環(huán)盡可能的小。

　　50---100MHZ 普遍是輸出整流管反向恢復電流引起，

　　1可以在整流管上串磁珠；

　　2調整輸出整流管的吸收電路參數；

　　3可改變一二次側跨接Y電容支路的阻抗,如PIN腳處加BEAD CORE或串接適當的電阻；

　　4也可改變MOSFET，輸出整流二極管的本體向空間的輻射（如鐵夾卡MOSFET; 鐵夾卡DIODE，改變散熱器的接地點(diǎn)）。

　　5增加屏蔽銅箔抑制向空間輻射.

　　200MHZ 以上開(kāi)關(guān)電源已基本輻射量很小，一般可過(guò)EMI 標準。

　　開(kāi)關(guān)電源EMI的對策處理小結1外部構造的屏蔽處理；

　　2產(chǎn)品外部的電纜線(xiàn)處理；

　　3產(chǎn)品內部的電纜線(xiàn)處理；

　　4PCB布線(xiàn)處理；

　　5開(kāi)關(guān)電源的振蕩頻率的選擇；

　　6IC型號的選擇；

　　7磁性材料的頻率和帶寬的選擇；

　　8變壓器的選型、繞法和設計；

　　9散熱器的接地方式的處理。