3.3V 直流母線(xiàn)在寬帶網(wǎng)絡(luò )系統中廣受歡迎，用于各種較低電壓，為 DSP、ASIC 和 FPGA 供電。這些較低的電壓范圍為1V至2.5V，通常需要高負載電流。為了保持高轉換效率，降壓轉換器的功率MOSFET導通損耗必須降至。問(wèn)題在于，3.3V總線(xiàn)還頻繁使用亞邏輯電平MOSFET。這種MOSFET具有相對較高的RDS（ON），將轉換器的滿(mǎn)載效率限制在 85% 左右。更有效的解決方案是使用邏輯電平MOSFET，其R值非常低DS（ON）但需要一個(gè) 5V 電源。LTC1876 通過(guò)將一個(gè) 1.2MHz 升壓型穩壓器 （其從一個(gè) 3.3V 輸入產(chǎn)生一個(gè) 5V 偏置電源）與兩個(gè)提供低電壓輸出的降壓型控制器相結合，允許使用邏輯電平 MOSFET。通過(guò)將所有三個(gè)穩壓器集成到單個(gè) IC 中，LTC1876 實(shí)現了小型且成本低廉的高效電源。

設計示例

圖1所示為采用3.3V輸入提供2.5V/15A和1.8V/15A的設計。因為 LTC1876 為 MOSFET 柵極驅動(dòng)提供了一個(gè) 5V 偏置，所以 RDS（ON）MOSFET Si4838 （典型值為 2.4mΩ） 可用于實(shí)現高效率。圖2顯示，在很寬的負載范圍內，總效率高于90%。

 
圖1.LTC1876 設計可在 15A 和 15A 時(shí)將 3.3V 轉換至 2.5V，在 15A 時(shí)轉換 1.8V。

圖2還顯示，該設計的輕載效率超過(guò)84%。這是 LTC1876 突發(fā)模式操作的一個(gè)直接優(yōu)勢。兩個(gè)降壓通道的異相運行進(jìn)一步提高了效率。通道的頂部MOSFET與第二通道的MOSFET異相180°，從而限度地減少了通過(guò)輸入電容的RMS電流。這大大降低了與輸入電容ESR相關(guān)的功率損耗。圖3顯示了此操作的詳細電流波形。

圖2.設計效率高，如圖1所示。

  
圖3.每個(gè)開(kāi)關(guān)穩壓器的峰值電流為5A，但輸入端的總紋波仍然僅為5A，使C化在要求。

結論

LTC1876 采用三種技術(shù)，從一個(gè)低輸入電壓高效地為低電壓 DSP、ASIC 和 FPGA 供電。種技術(shù)使用內部升壓穩壓器為MOSFET柵極驅動(dòng)提供單獨的5V電壓。其次，其突發(fā)模式操作可在輕負載下實(shí)現高效率。是異相技術(shù)，可限度地減少輸入RMS損耗并降低輸入噪聲。完整的穩壓器電路保持小巧且價(jià)格低廉，因為所有三個(gè)開(kāi)關(guān)穩壓器（一個(gè)升壓穩壓器和兩個(gè)降壓控制器）都集成在單個(gè)IC中。對于提供單獨 5V 或輸入電源大于 5V 的系統，內部升壓穩壓器可用于提供開(kāi)關(guān)電流高達 1A 的第三個(gè)升壓輸出。