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4個(gè)方面了解MOS管
文章來(lái)源:永阜康科技 更新時(shí)間:2023/5/31 10:16:00
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01 MOS管種類(lèi)&結構

MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制造成增強型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類(lèi)型,但實(shí)際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是這兩種。

至于為什么不使用耗盡型的MOS管,不建議刨根問(wèn)底。

對于這兩種增強型MOS管,比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小且容易制造。所以開(kāi)關(guān)電源和馬達驅動(dòng)的應用中,一般都用NMOS。下面的介紹中,也多以NMOS為主。

MOS管原理圖上可以看到,漏極和源極之間有一個(gè)寄生二極管。這個(gè)叫體二極管,在驅動(dòng)感性負載(如馬達),這個(gè)二 極管很重要。順便說(shuō)一句,體二極管只在單個(gè)的MOS管中存在,在集成電路芯片內部通常是沒(méi)有的。下圖是MOS管的構造圖,通常的原理圖中都畫(huà)成右圖所示的樣子。(柵極保護用二極管有時(shí)不畫(huà))

MOS管的三個(gè)管腳之間有寄生電容存在,如右圖所示。這不是我們需要的,而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的。寄生電容的存在使得在設計或選擇驅動(dòng)電路的時(shí)候要麻煩一些,但沒(méi)有辦法避免,在MOS管的驅動(dòng)電路設計時(shí)再詳細介紹。

02 MOS管導通特性

導通的意思是作為開(kāi)關(guān),相當于開(kāi)關(guān)閉合。

NMOS的特性,Vgs大于一定的值就會(huì )導通,適合用于源極接地時(shí)的情況(低端驅動(dòng)),只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。

PMOS的特性,Vgs小于一定的值就會(huì )導通,使用與源極接VCC時(shí)的情況(高端驅動(dòng))。但是,雖然PMOS可以很方便地用作高端驅動(dòng),但由于導通電阻大,價(jià)格貴,替換種類(lèi)少等原因,在高端驅動(dòng)中,通常還是使用NMOS。

下圖是瑞薩2SK3418的Vgs電壓和Vds電壓的關(guān)系圖?梢钥闯鲂‰娏鲿r(shí),Vgs達到4V,DS間壓降已經(jīng)很小,可以認為導通。

03 MOS開(kāi)關(guān)管損失

不管是NMOS還是PMOS,導通后都有導通電阻存在,因而在DS間流過(guò)電流的同時(shí),兩端還會(huì )有電壓(如2SK3418特性圖所示),這樣電流就會(huì )在這個(gè)電阻上消耗能量,這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOS管會(huì )減小導通損耗,F在的小功率MOS管導通電阻一般在幾十毫歐左右,幾毫歐的也有。

MOS在導通和截止的時(shí)候,一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個(gè)下降的過(guò)程,流過(guò)的電流有一個(gè)上升的過(guò)程,在這段時(shí)間內,MOS管的損失是電壓和電流的乘積,叫做開(kāi)關(guān)損失。通常開(kāi)關(guān)損失比導通損失大得多,而且開(kāi)關(guān)頻率越快,損失也越大。

下圖是MOS管導通時(shí)的波形?梢钥闯,導通瞬間電壓和電流的乘積很大,造成的損失也就很大。降低開(kāi)關(guān)時(shí)間,可以減小每次導通時(shí)的損失;降低開(kāi)關(guān)頻率,可以減小單位時(shí)間內的開(kāi)關(guān)次數。這兩種辦法都可以減小開(kāi)關(guān)損失。

04 MOS管驅動(dòng)

跟雙極性晶體管相比,一般認為使MOS管導通不需要電流,只要GS電壓高于一定的值,就可以了。這個(gè)很容易做到,但是,我們還需要速度。

在MOS管的結構中可以看到,在GS,GD之間存在寄生電容,而MOS管的驅動(dòng),實(shí)際上就是對電容的充放電。對電容的充電需要一個(gè)電流,因為對電容充電瞬間可以把電容看成短路,所以瞬間電流會(huì )比較大。選擇/設計MOS管驅動(dòng)時(shí)要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。

第二注意的是,普遍用于高端驅動(dòng)的NMOS,導通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅動(dòng)的MOS管導通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同,所以這時(shí)柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個(gè)系統里,要得到比VCC大的電壓,就要專(zhuān)門(mén)的升壓電路了。很多馬達驅動(dòng)器都集成了電荷泵,要注意的是應該選擇合適的外接電容,以得到足夠的短路電流去驅動(dòng)MOS管。

上邊說(shuō)的4V或10V是常用的MOS管的導通電壓,設計時(shí)當然需要有一定的余量。而且電壓越高,導通速度越快,導通電阻也越小,F在也有導通電壓更小的MOS管用在不同的領(lǐng)域里,但在12V汽車(chē)電子系統里,一般4V導通就夠用了。

 
 
 
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