采用最新一代工藝，可提供低導通電阻和擴展的安全工作區
東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）今日宣布，推出采用東芝最新一代U-MOS X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產(chǎn)品適用于數據中心和通信基站所用的工業(yè)設備電源線(xiàn)路上的開(kāi)關(guān)電路和熱插拔電路[1]等應用。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。
TPH3R10AQM具有業(yè)界領(lǐng)先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導通電阻，比東芝目前100V產(chǎn)品“TPH3R70APL”低16%[2]。通過(guò)同樣的比較，TPH3R10AQM將安全工作區擴展了76%[3]，使其適合線(xiàn)性模式工作。而且降低導通電阻和擴大安全工作區的線(xiàn)性工作范圍可以減少并聯(lián)連接的數量。此外，其柵極閾值電壓范圍為2.5V至3.5V，不易因柵極電壓噪聲而發(fā)生故障。
新產(chǎn)品采用高度兼容的SOP Advance(N)封裝。
未來(lái)，東芝將繼續擴展其功率MOSFET產(chǎn)品線(xiàn)，通過(guò)減少損耗來(lái)提高電源效率，并幫助降低設備功耗。
應用
- 數據中心和通信基站等通信設備的電源
- 開(kāi)關(guān)電源（高效率DC-DC轉換器等）
特性
- 具有業(yè)界領(lǐng)先的[2]低導通電阻：RDS(ON)＝3.1mΩ（最大值）（VGS＝10V）
- 寬安全工作區
- 高額定結溫：Tch（最大值）＝175℃
主要規格
（除非另有說(shuō)明，Ta＝25℃）
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器件型號
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TPH3R10AQM
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絕對最大額定值
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漏極-源極電壓VDSS（V）
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100
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漏極電流（DC）ID（A）
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Tc＝25℃
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120
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結溫Tch（℃）
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175
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電氣特性
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漏極-源極導通電阻RDS(ON)
最大值（mΩ）
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VGS＝10V
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3.1
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VGS＝6V
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6.0
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總柵極電荷（柵極-源極+柵極-漏極）Qg典型值（nC）
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83
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柵極開(kāi)關(guān)電荷Qsw典型值（nC）
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32
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輸出電荷Qoss典型值（nC）
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88
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輸入電容Ciss典型值（pF）
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5180
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封裝
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名稱(chēng)
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SOP Advance(N)
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尺寸典型值（mm）
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4.9×6.1
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庫存查詢(xún)與購買(mǎi)
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在線(xiàn)購買(mǎi)
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注：
[1] 在設備運行時(shí)，在不關(guān)閉系統的情況下導通和關(guān)斷系統部件的電路。
[2] 截至2023年6月的東芝調查。
[3] 脈沖寬度：tw＝10ms，VDS＝48V
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