我們在實(shí)際電子產(chǎn)品設計調試過(guò)程中，經(jīng)常會(huì )有這樣的疑問(wèn)，MOS管為什么會(huì )被靜電擊穿?靜電擊穿是指擊穿MOS管G極的那層絕緣層嗎?擊穿就一定短路了嗎?JFET管靜電擊穿又是怎么回事?

其實(shí)MOS管一個(gè)ESD敏感器件,它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應而帶電,又因在靜電較強的場(chǎng)合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。

靜電擊穿有兩種方式;

一是電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路;

二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開(kāi)路或者是源極開(kāi)路。

現在的mos管沒(méi)有那么容易被擊穿，尤其是是大功率的vmos,主要是不少都有二極管保護。vmos柵極電容大，感應不出高壓。若是碰上3DO型的mos管冬天不帶防靜電環(huán)試試，基本上摸一個(gè)掛一個(gè)。

與干燥的北方不同，南方潮濕不易產(chǎn)生靜電。還有就是現在大多數CMOS器件內部已經(jīng)增加了IO口保護。但用手直接接觸CMOS器件管腳不是好習慣。至少使管腳可焊性變差。