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希荻微推出應用于服務(wù)器等產(chǎn)品的E-Fuses負載開(kāi)關(guān)芯片
文章來(lái)源:永阜康科技 更新時(shí)間:2023/7/26 10:34:00
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日前,中國領(lǐng)先的模擬芯片廠(chǎng)商——希荻微電子集團股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“希荻微”)宣布推出全新 E-Fuse 系列 HL8511/12和HL8521/22 產(chǎn)品,旨在保護輸出 (OUT) 上的電路,使其免受電源總線(xiàn) (IN) 電壓瞬變和大浪涌電流的不良影響,即實(shí)現保護電源總線(xiàn)免受意外輸出短路和意外過(guò)載的功能。

一、產(chǎn)品概述

HL8512/22通過(guò)控制外置NMOS,實(shí)現反向電流阻斷 (HL8511/21不提供該功能)。這些E-Fuse產(chǎn)品通過(guò)集成了功率 FET,來(lái)管理負載電流、控制輸出電壓和調節輸出斜率。

在工作期間,當IN引腳電壓超過(guò)欠壓鎖定閾值時(shí),HL8511/21和HL8512/22開(kāi)始檢測EN/UV引腳電壓閾值。如果 EN/UV 引腳電壓超過(guò) VENR,則內部 MOSFET 使能,允許電流從IN 引腳流向 OUT 引腳;如果 EN/UV 引腳電壓低于 VENF,則內部 MOSFET 關(guān)斷。E-Fuse芯片還實(shí)時(shí)監控流向設備的負載電流,確保負載電流不超過(guò)限流閾值。

HL8511/21 和 HL8512/22具有熱保護功能。當設備溫度超過(guò)熱關(guān)斷閾值(通常為150°C)時(shí),內部功率 FET 關(guān)斷,斷開(kāi)負載與電源的連接。一旦發(fā)生熱關(guān)斷,E-Fuse將持續監控設備的溫度。當溫度降低至設定值以下時(shí),HL8511/21 和 HL8512/22有自動(dòng)重啟和關(guān)閉鎖存兩個(gè)版本。

HL8511/12和HL8521/22的主要應用領(lǐng)域是服務(wù)器、SSD、POS、USB接口、線(xiàn)纜保護等。

二、產(chǎn)品優(yōu)勢

高精度的限流控制。當輸出電流是3.6A時(shí),HL8511/12和HL8521/22的限流精度范圍是+/-8%,與友商相比,希荻微的E-Fuses負載開(kāi)關(guān)系列芯片的限流控制精度更高。

超快的OCP響應時(shí)間。與友商相比,HL8511/12和HL8521/22的OCP響應時(shí)間更短,箝位輸入電流時(shí)間更及時(shí)。

支持單故障失效模式。當ISET引腳失效時(shí),HL8511/12和HL8521/22處于安全模式,仍然可以繼續進(jìn)行工作,賦能終端應用解決方案更安全和高效。

超低熱插拔電流和浪涌電流。與友商相比,HL8511/12和HL8521/22具有超低的熱插拔電流和浪涌電流,這樣可以更有效保護輸入端口,很好地控制子系統插入工作總線(xiàn)時(shí)產(chǎn)生的浪涌電流和電壓尖峰。

有效箝位VOUT,保護設備。當輸入電壓以10V/us的速度躍升,并超過(guò)過(guò)壓保護門(mén)限時(shí),HL8511/12和HL8521/22仍可將輸出電壓限定在保護門(mén)限以?xún),有效防止負載因電壓超標而損壞。

三、展望未來(lái)

希荻微總經(jīng)理David Nam表示: "希荻微的 E-Fuse 產(chǎn)品 (HL8511/12和HL8521/22) 在電流極限精度和響應時(shí)間等關(guān)鍵指標上均達到行業(yè)領(lǐng)先水平,當輸入電壓以10V/us的速度躍升時(shí),我們的E-Fuse 產(chǎn)品能夠有效地箝位VOUT!

 
 
 
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