圖3.3.1 中的 MOS 管屬于 N 溝道增強型。這種類(lèi)型的MOS管采用P型襯底，導電溝道是 N 型。在vC5=0時(shí)沒(méi)有導電溝道，開(kāi)啟電壓Vcs(u)為正。工作時(shí)使用正電源，同時(shí)應將襯底接源極或者接到系統的電位上。在圖3.3.1給出的符號中，用D S間斷開(kāi)的線(xiàn)段表示Vcs=0時(shí)沒(méi)有導電。
溝道，即 MOS管為增強型。襯底 B 上的箭頭指向 MOS管內部，表示導電溝道為N型。柵極引出端畫(huà)在靠近源極一側。
2. P溝道增強型
圖3.3.6 是 P 溝道增強型 MOS 管的結構示意圖和符號。它采用 N 型襯底，導電溝道為 P型。vGS=0時(shí)不存在導電溝道，只有在柵極上加以足夠大的負電壓時(shí)，才能把 N型襯底中的少數載流子——空穴吸引到柵極下面的襯底表面，形成P型的導電溝道。因此，P溝道增強型 MOS管的開(kāi)啟電壓Vcs(x)為負值。這種MOS管工作時(shí)使用負電源，同時(shí)需將襯底接源極或接至系統的電位上。
P 溝道增強型 MOS 管的符號如圖3.3.6中所示，其中襯底上指向外部的箭頭表示導電溝道為 P型�！�
用P 溝道增強型 MOS 管接成的開(kāi)關(guān)電路如圖3.3.8所示。
當 v =0時(shí)，MOS 管不導通，輸出為低電平。VoL。只要 R 遠小于 MOS管的截止內阻.RorF,則。VoL= VvD。
當v1
1. N溝道耗盡型
N 溝道耗盡型 MOS 管的結構形式與 N 溝道增強型 MOS管的相同，都采用P 型襯底，導電溝道為 N型。所不同的是在耗盡VpD型 MOS 管中，柵極下面的二氧化硅絕緣層中摻進(jìn)RD了一定濃度的正離子。這些正離子所形成的電場(chǎng)足以將襯底中的少數載流子——電子吸引到柵極下面的襯底表面，在 D-S 間形成導電溝道。因 v i 此，在vCS=0時(shí)就已經(jīng)有導電溝道存在了。vC3為增大； 為負時(shí)導電溝道 v 正時(shí)導電溝道變寬， i vGS變窄， i 減小。
直到 v 小于某一個(gè)負電壓值VcS(eff)時(shí)，導電溝道才消失，MOS 管截止。V6S(eff)圖3.3.8 用 P溝道增強型稱(chēng)為 N 溝道耗盡型 MOS管的夾斷電壓。 MOS管接成的開(kāi)關(guān)電路 圖3.3.9是 N溝道耗盡型 MOS 管的符號,圖中 D-S間是連通的，表示vCS=0時(shí)已有導電溝道存在。其余部分的畫(huà)法和增強型 MOS 管相同�！≡谡９ぷ鲿r(shí)，N溝道耗盡型 MOS管的襯底同樣應接至源極或系統的電位上。
2. P 溝道耗盡型
P 溝道耗盡型 MOS管與 P 溝道增強型 MOS 管的結構形式相同，也是 N 型襯底，導電溝道為 P 型。所不同的是在 P 溝道耗盡型 MOS管中，vcs=0時(shí)已經(jīng)vCs有導電溝道存在了。當 vcs為負時(shí)導電溝道進(jìn)一步加寬， i 的增加；而vCS為正時(shí)導電溝道變窄， i 的減小。當( v 的正電壓大于夾斷電壓Vcs(odf)時(shí)，導電溝道消失，管子截止�！ �
圖3.3.10 是 P 溝道耗盡型 MOS 管的符號。工作時(shí)應將它的襯底和源極相連，或將襯底接至系統的電位上。
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