MOS管是一種場(chǎng)效應晶體管（Field-Effect Transistor，FET），其名稱(chēng)源自金屬氧化物半導體（Metal-Oxide-Semiconductor）。MOS管包括兩種類(lèi)型：NMOS（N-Channel MOS）和PMOS（P-Channel MOS）。

NMOS（N-Channel MOS）：

NMOS管是一種使用N型溝道的場(chǎng)效應晶體管。它由N型溝道、P型基底和控制門(mén)構成。
當正電壓施加到控制門(mén)上時(shí)，形成的電場(chǎng)使得N型溝道中的電子流動(dòng)，從而導通了NMOS管。

NMOS管的特點(diǎn)是在控制門(mén)施加正電壓時(shí)導通，施加零電壓時(shí)截止。

PMOS（P-Channel MOS）：

PMOS管是一種使用P型溝道的場(chǎng)效應晶體管。它由P型溝道、N型基底和控制門(mén)構成。
當負電壓施加到控制門(mén)上時(shí)，形成的電場(chǎng)使得P型溝道中的空穴流動(dòng)，從而導通了PMOS管。

PMOS管的特點(diǎn)是在控制門(mén)施加負電壓時(shí)導通，施加零電壓時(shí)截止。

NMOS和PMOS區別

三極管（雙極型晶體管）的區別：

三極管是一種雙極型晶體管，有三個(gè)控制電極：發(fā)射極、基極和集電極。
與MOS管不同，三極管是通過(guò)基極電流控制集電極和發(fā)射極之間的電流流動(dòng)。

三極管在放大和開(kāi)關(guān)電路中廣泛使用，而MOS管主要用于集成電路和數字邏輯電路中。