功率MOS在使用過(guò)程中是否能夠安全持續的工作，是設計者必須要考慮的問(wèn)題，設計者在應用MOS時(shí)，必須考慮MOS的SOA區間，我們知道開(kāi)關(guān)電源中的MOS長(cháng)期工作在高電流高電壓下，很容易出現過(guò)熱燒毀的情況，如果散熱不及時(shí)的話(huà)，很容易發(fā)生爆炸。
 
那什么是MOS的安全工作區域呢？我們稱(chēng)為SOA （Safe operating area）由一系列限制條件組成的一個(gè)漏源極電壓VDS和漏極電流ID的二維坐標圖，開(kāi)關(guān)器件正常工作時(shí)的電壓和電流都不應該超過(guò)該限定范圍。結合功率MOSFET的耐壓、電流特性和熱阻特性，來(lái)理解功率MOSFET的安全工作區SOA曲線(xiàn)。它定義了最大的漏源極電壓值、漏極電流值，以保證器件在正向偏置時(shí)安全的工作。
 
如下圖，SOA曲線(xiàn)左上方的邊界斜線(xiàn)，受漏源極的導通電阻RDS（ON）限制；SOA曲線(xiàn)右邊垂直的邊界，是最大的漏源極電壓BVDSS；SOA曲線(xiàn)最上面水平線(xiàn)，由最大的脈沖漏極電流IDM的限制，右上方平行的一組斜線(xiàn)，是不同的單脈沖寬度下的最大漏源極電流。

①藍色：在VDS電壓比較小時(shí)，ID通過(guò)的電流大小主要由MOS管的RSDS（on）來(lái)進(jìn)行限制。在該區域內，當VGS電壓與環(huán)境溫度條件不變時(shí)時(shí)，我們近似把RDSON看似一個(gè)定值，由此得出VDS= ID · RDS（ON）。
 
②黃色：在VDS升高到一定的值以后，MOS的安全區域主要由MOS的熱阻相關(guān)也就是耗散功率來(lái)進(jìn)行限制，而DC曲線(xiàn)則表示當流過(guò)電流為連續的直流電流時(shí)，MOSFET可以耐受的電流能力。其它標示著(zhù)時(shí)間的曲線(xiàn)則表示MOSFET可以耐受的單個(gè)脈沖電流（寬度為標示時(shí)間）的能力。單次脈沖是指單個(gè)非重復(單個(gè)周期)脈沖，單脈沖測試的是管子瞬間耐受耗散功率（雪崩能量）的能力，從這部分曲線(xiàn)來(lái)看，時(shí)間越短，可以承受的瞬間耗散功率就越大。
 
③紅色：MOS管所能承受的最大脈沖漏級電流，也是對最大耗散功率進(jìn)行了限制。

④綠色：MOS管所能承受的VDS最大電壓，如果VDS電壓過(guò)高，PN結會(huì )發(fā)生反偏雪崩擊穿，造成MOS管損壞。
 
在實(shí)際的應用中，必須確保MOS管工作在SOA區域以?xún)�，超出限制區域會(huì )造成電子元器件的損壞，不僅要考慮正常工作狀態(tài)下的功率能不能滿(mǎn)足設計要求，還要特別考慮容性負載的情況下，開(kāi)關(guān)接通瞬間會(huì )有一個(gè)大電流存在，這個(gè)時(shí)候就要考慮MOS的抗脈沖電流參數了。
 
以上圖中的SOA安全區域是在一定的特定條件下的要求，在實(shí)際的應用中，環(huán)境溫度會(huì )發(fā)生變化，也就是MOS的TJ溫度發(fā)生變化，安全區域也會(huì )隨之發(fā)生變化，所以在實(shí)際的應用中一定要考慮對SOA區域進(jìn)行降額使用，保證MOS完全工作在合理的安全的工作區間內。
 
如下圖所示：在溫度升高之后，MOS所能承受的功率一定會(huì )被降額，當溫度升高到100攝氏度的時(shí)候，功率降低為原來(lái)的50%左右。同樣，RDSON 以及VDS最高電壓，ID max電流全部受到溫度的影響。